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一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法

摘要

本发明涉及一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法,通过在InP基普通InGaAs半导体异变缓冲层上外延一层反向失配超薄外延层来实现降低异变材料表面粗糙度,其厚度不超过异变缓冲层上反向失配外延层的临界厚度,一般为0.5-5nm。本发明不需要在过低的生长温度下生长材料,避免引入多余背景杂质,工艺简单,成本低,具有良好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN103066157B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201310005426.1

  • 发明设计人 顾溢;张永刚;

    申请日2013-01-07

  • 分类号

  • 代理机构上海泰能知识产权代理事务所;

  • 代理人黄志达

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室

  • 入库时间 2022-08-23 09:36:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-30

    授权

    授权

  • 2013-07-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20130107

    实质审查的生效

  • 2013-04-24

    公开

    公开

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