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王琦; 任晓敏; 熊德平; 周静; 吕吉贺; 黄辉; 黄永清; 蔡世伟;
光通信与光波技术教育部重点实验室;
异质外延; 低温InP缓冲层; 应变层超晶格(SLS); 光探测器;
机译:GaAs分解源低温分子束外延生长InGaAs / InP的电性能和超快光响应
机译:化学束外延制备的单片集成InGaAs / InP MSM-FET光接收器
机译:金属有机化学气相沉积法制备的InP / GaAs(100)异质结构的外延横向过生长
机译:通过固体源分子束外延在GaAs上生长在GaAs上的变质INP / InGaAs双异质结双极晶体管结构
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:高衬底温度下通过液滴外延生长的单个InGaAs / GaAs量子点的单光子发射
机译:通过MOVPE制造GaAs-InP异质外延和GaAs-InP MESFET
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。
机译:基于异质外延结构InGaAs / InP的平面pin光电二极管
机译:InP / InGaAs单片集成光电探测器和异质结双极晶体管
机译:在GaAs半绝缘衬底上异质外延沉积InP的方法
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