异质结InP/InGaAs探测器欧姆接触温度特性研究

摘要

为了研究异质结InP/InGaAs探测器帽层的欧姆接触特性,采用Au/p-InP传输线模型(TLM),对比不同退火温度下的接触特性,在480℃、30 s的退火条件下实现室温比接触电阻为3.84×10-4Ω·cm2,同时,对欧姆接触的温度特性进行了研究,发现随着温度降低比接触电阻增加,在240 ～ 353 K温度范围内界面电流传输主要为热电子-场发射机制(TFE);240 K以下,接触呈现肖特基特性.利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分别对界面处的扩散程度和化学反应进行了分析,发现经过480℃、30 s退火后样品界面处存在剧烈的互扩散,反应产物Au10ln3有利于改善Au/p-InP的接触性能.