机译:InP / InGaAsSb / InGaAs双异质结双极晶体管中发射极尺寸效应的研究
机译:具有成分分级的基极和InAs发射极接触层的高速InGaAsSb / InP双异质结双极晶体管
机译:InP / InGaAsSb / InGaAs双异质结双极晶体管中发射极尺寸效应的研究
机译:自对准InAlAs / InGaAsSb / InGaAs双异质结双极晶体管的制备与表征
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:MBE制备的I型InGaAsSb双量子阱激光结构的PCSEL性能
机译:INP / Ingaas双异质结双极晶体管的电子特性建模
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。