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InGaAs-InP基异质结光电晶体管

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本发明公开了一种InGaAs‑InP基异质结光电晶体管，包括衬底、生长在衬底上的发射区、生长在发射区上的基区、生长在基区上的集电区，其特征在于：所述发射区为P型InP，所述基区为N型InGaAs，所述集电区为P型InGaAs，通过调整所述发射区、基区、集电区的厚度和掺杂浓度来优化所述光电晶体管的工作电压和光响应度。本发明的InGaAs‑InP基异质结光电晶体管，能够探测波长1550nm的红外光，且在0.5V工作电压、20μW/cm

著录项

公开/公告号CN109309141A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-05

原文格式PDF
申请/专利权人苏州大学;
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申请/专利号CN201811140121.0
发明设计人陈俊;张军喜;
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申请日2018-09-28
分类号
代理机构苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人殷海霞
地址 215000 江苏省苏州市相城区济学路8号
入库时间 2024-02-19 06:43:01

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-03-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/11 申请日:20180928

实质审查的生效
2019-02-05

公开

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