一种AlGaN基紫外异质结光电晶体管探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种AlGaN基紫外异质结光电晶体管探测器及其制备方法，包括衬底及在衬底上生长的外延层，所述外延层包括从下至上依次分布的缓冲层、n型欧姆接触层、施主掺杂Al_mGa_1‑mN层、非故意掺杂Al_mGa_1‑mN层、极化掺杂p型Al_xGa_1‑xN梯度渐变层、Al_yGa_1‑yN层、Al/Ga组分渐变的Al_hGa_1‑hN层、Al_zGa_1‑zN层及分布于欧姆接触层和Al_zGa_1‑zN层上的n型欧姆接触电极，其中Al组分x的起始值≤m‑0.1，终止值为y；m‑0.4≤y≤m‑0.2；h起始值为y、终止值为z；y+0.1≤z≤y+0.2。所得晶体管的晶体质量等设计性能好、可靠性高，所得探测器的光电特性佳。