一种InP基InAlAs-InGaAs啁啾超晶格结构

摘要

本实用新型公开了一种InP基InAlAs‑InGaAs啁啾超晶格结构，该结构由若干个周期的交替生长的InGaAs/InAlAs组成，每个周期内有一层InAlAs和一层InGaAs，其厚度相对于前一个周期以固定的步长分别递增和递减。这种材料结构置于高/低带隙材料界面处可以为载流子在垂直方向的输运提供平滑过渡，降低载流子阻塞效。