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鄢俊明;
电子科技大学;
高速电路; GsAs; 杂质; 缺陷; SI-GaAs;
机译:SI-GaAs中的亚稳态缺陷:高能离子辐照的影响
机译:拉曼研究10 MeV电子辐照SI-GaAs和Se掺杂外延层中的缺陷
机译:拉曼研究10 MeV电子辐照SI-GaAs和掺Se外延层中的缺陷
机译:LEC技术中轻掺杂铬Si-GaAs单晶的研究
机译:砷化镓晶体生长中缺陷,杂质和载体的特征及其对电性能,热稳定性和注入退火特性的影响。
机译:黑砷化镓(GaAs):金辅助化学蚀刻用于光阱和光子回收
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模
机译:镓砷单晶和砷化镓晶片及GaAs单晶的生产方法
机译:用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译:砷化镓产品的制造方法,装置以及半绝缘半绝缘GaAs单晶和半绝缘GaAs单晶
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