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谢自力;
南京电子器件研究所;
深能级陷阱; 退火特性; 半绝缘砷化镓; 热处理; 光致电流瞬态谱;
机译:退火熔融生长的ZnO单晶中T2缺陷和E3深能级的发射特性的研究
机译:等温电容瞬态光谱法研究Cu(In,Ga)Se2薄膜中与偏压诱导的亚稳态有关的深孔陷阱能级
机译:深能级瞬变光谱研究生长的4H-SiC外延层中的深孔陷阱
机译:单晶氧化铜的光电阈值,工作功能和本体费米能级的研究,以及单晶和多晶氧化铜-铜接触的光电特性。
机译:深能级陷阱及其对InP / InGaAs异质结构电流特性影响的研究
机译:退火熔融生长ZnO单晶中T2缺陷及E3深能级发射特性的研究
机译:利用深能级瞬态光谱表征GaNas中的显性电子陷阱
机译:具有不均匀网络能级的单晶硅单晶的制造方法和具有不均匀网络能级的单晶硅单晶衬底的制造方法
机译:形成陷阱能级的方法以及使用该陷阱能级的光催化剂薄膜或薄膜型太阳能电池的制造方法
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