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Symposium on GaN and related alloys
Symposium on GaN and related alloys
召开年:
1999
召开地:
Boston, MA(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Cubic InGaN grown by MOCVD
机译:
由mocvd种植的立方ingan
作者:
J.B.Li
;
H.Yang
;
L.X.Zheng
;
D.P.Xu
;
Y.T.Wang
;
Materilas Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
2.
Si delta doped GaN grwon by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition
机译:
Si Delta通过低压金属化学气相沉积掺杂GaN Grwon
作者:
J-H.Kim
;
G.M.Yang
;
S.C.Choi
;
J.Y.Choi
;
H.K.Cho
;
K.Y.Lim
;
H.J.Lee
;
Materilas Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
3.
* RBS lattice site location and damage recovery studies in GaN
机译:
* rbs格子遗址位置和甘甘宫损坏恢复研究
作者:
E.Alves
;
M.F.DaSilva
;
J.C.Soares
;
J.Bartels
;
R.Vianden
;
C.R.Abernathy
;
S.J.Pearton
;
Materilas Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
4.
Characterization of Hot-Electron effects on flicker noise in III-V nitride based heterojunctions
机译:
基于III-V氮化物的异质结的闪烁噪声的热电子效应的表征
作者:
W.Y.Ho
;
W.K.Fong
;
C.Surya
;
K.Y.Tong
;
L.W.Lu
;
W.K.Ge
;
Materilas Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
5.
Optical properties of Si-doped Al(sub)xGa(sub)1-xN/Al(sub)yGa(sub)1-yN (x=0.24-0.53, y=0.11) Multi-quantum-well structures
机译:
Si-掺杂的Al(亚)XGA(亚)1-XN / Al(Sub)YGA(Sub)1-Yn(x = 0.24-0.53,Y = 0.11)多量子阱结构的光学性质
作者:
H.Hirayama
;
Y.Aoyagi
;
Materilas Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
6.
XPS study of oxygen adsorption on (3x3) reconstructed MBE grown GaN surfaces
机译:
XPS氧气吸附研究(3x3)重建的MBE成长GaN表面
作者:
R.A.Beach
;
E.C.Piquette
;
T.C.McGill
;
Materilas Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
7.
Properties of epitaxial ZnO thin films for GaN and Related applications
机译:
GaN的外延ZnO薄膜的性质及相关应用
作者:
H.Shen
;
M.Wraback
;
J.Pamulapati
;
S.Liang
;
C.Gorla
;
Y.Lu
;
Materilas Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
1999年
8.
Probing nitride thin films in 3-dimensions using a variable energy electron beam
机译:
使用可变能量电子束探测3维的氮化物薄膜
作者:
Carol Trager-Cowan
;
D.McColl
;
F.Sweeney
;
S.T.F.Grimson
;
J.-F.Treguer
;
A.Mohammed
;
P.G.Middleton
;
S.K.manson-Smith
;
K.P.ODonnell
;
W.Van der Stricht
;
I.Moerman
;
P.Demeester
;
M.F.Wu
;
A.Vantomme
;
D.Zubia
;
S.D.Hersee
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
9.
Processing and device performance of GaN power rectifiers
机译:
GaN电源整流器的处理和设备性能
作者:
A. P. Zhang
;
G. T. Dang
;
X. A. Cao
;
H. Cho
;
F. Ren
;
J. Han
;
J. -I. Chyi
;
C. -M. Lee
;
T. -E. Nee
;
C. -C. Chuo
;
G. -C. Chi
;
S. N. G. Chu
;
R. G. Wilson
;
S. J. Pearton
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
10.
Lattice location of deuterium in plasma and gas charged Mg doped GaN
机译:
氘的晶格定位在等离子和气体充电的mg掺杂GaN
作者:
W. R. Wampler
;
J. C. Barbour
;
C. H. Seager
;
S. M. Myers
;
A. F. Wright
;
J. Han
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
11.
Grwoth kinetics of GaN thin films grown by OMVPE using single surce precursors
机译:
MOVPE使用单肌肌动脉前体生长动力学
作者:
R.A.Fischer
;
A.Wohlfart
;
A.Devi
;
W.Rogge
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
12.
Spectroscopic ellipsometry analysis of InGaN/GaN and AlGaN/GAN heterostructures using a parameteric dielectric function model
机译:
使用参数介电函数模型的InGaN / GaN和AlGaN / GaN异质结构的光谱椭圆形分析
作者:
J.Wagner
;
A.Ramakrishnanm
;
H.Obloh
;
M.Kunzer
;
K.Kohler
;
B.Johs
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
13.
Advanced PENDEOEPITAXY~(TM) of GaN and Al_xGa_(1-x)N Thin Films on SiC(0001) and Si(111) Substrates via Metalorganic Chemical Vapor Deposition
机译:
通过金属化学气相沉积的SiC(0001)和Si(111)基板上的GaN和AL_XGA_(1-X)N薄膜的先进的Pendeoepitaxy〜(TM)
作者:
T. Gehrke
;
K. J. Linthicum
;
P. Rajagopal
;
E. A. Preble
;
R. F. Davis
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
14.
The atomic structure of extended defects in GaN
机译:
GaN中延长缺陷的原子结构
作者:
P.Ruterana
;
G.Nouet
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
15.
Growth of crack-free thick AlGaN layer and its application to GaN-based laser diode
机译:
无裂缝厚的AlGaN层的生长及其在GaN的激光二极管中的应用
作者:
I.Akasaki
;
S.Kamiyama
;
T.Detchprohm
;
T.Takeuchi
;
H.Amano
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
16.
The effect of the buffer layer on the structure, mobility and photoluminescence of MBE grown GaN
机译:
缓冲层对MBE成长GaN的结构,迁移率和光致发光的影响
作者:
Nikhil Sharma
;
David Tricker
;
Viki Keast
;
Stewart Hooper
;
Jon Heffernan
;
Jenny Barnes
;
AListair Kean
;
Colin Humphreys
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
17.
Electrical properties of cubic InN and GaN epitaxial layers as a function of temperature
机译:
Cubic Inn和GaN外延层作为温度函数的电气性质
作者:
J.R.L.Fernandez
;
V.a.Chitta
;
E.Abramof
;
A.Ferriera da Silva
;
J.R.Leite
;
A.Tabata
;
D.J.As
;
T.Fery
;
D.Schikora
;
K.Lischka
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
18.
Advanced PENDEOEPITAXY of GaN and Al{sub}xGa{sub}(1-x)N thin films on SiC(0001) and Si(111) substrates via metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过金属有机化学气相沉积,GaN和Al {Sub} XGA {Sub}(1-x)薄膜上的薄膜(111)和Si(111)基板上的薄膜
作者:
T. Gehrke
;
K. J. Linthicum
;
P. Rajagopal
;
E. A. Preble
;
R. F. Davis
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
19.
The microstructure and electrical properties of directly deposited TiN ohmic contacts to gallium nitride
机译:
直接沉积锡欧姆触点到氮化镓的微观结构和电性能
作者:
P. Ruterana
;
G. Nouet
;
Th. Kehagias
;
Ph. Komninou
;
Th. Karakostas
;
M. A. di Forte Poisson
;
F. Huet
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
20.
Growth of crack-free thick AlGaN layer and its application to GaN-based laser diode
机译:
无裂缝厚的AlGaN层的生长及其在GaN的激光二极管中的应用
作者:
I. Akasaki
;
S. Kamiyama
;
T. Detchprohm
;
T. Takeuchi
;
H. Amano
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
21.
Influence of internal electric fields on the ground level emission of GaN/AlGaN multi-quantum wells
机译:
内部电场对GaN / AlGaN多量子井地面排放的影响
作者:
A. Bonfiglio
;
M. Lomascolo
;
G. Traetta
;
R. Cingolani
;
A. Di Carlo
;
F. Della Sala
;
P. Lugli
;
A. Botchkarev
;
H. Morkoc
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
22.
Full band Monte Carlo comparison of wurtzite and zincblende phase GaN MESFETs
机译:
卧零和Zincblende阶段GaN Mesfet的全乐队蒙特卡罗比较
作者:
Maziar Farahmand
;
Kevin F. Brennan
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
23.
Emission enhancement of GaN/AlGaN single-quantum-wells due to screening of piezoelectric field
机译:
由于压电场筛选,GaN / AlGaN单量子阱的排放增强
作者:
A. Kinoshita
;
H. Hirayama
;
P. Riblet
;
M. Ainoya
;
A. Hirata
;
Y. Aoyagi
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
24.
Mg segregation, difficulties of p-doping in GaN
机译:
Mg偏析,甘杆菌的困难
作者:
Z.Kiliental-Weber
;
M.Benamara
;
W.Swider
;
J.Washburn
;
I.Grzegory
;
S.Porowski
;
R.D.Dupuis
;
C.J.Eiting
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
25.
Phonons and free carriers in a strained hexagonal GaN-AlN superlattice measured by infrared ellipsometry and raman spectrscopy
机译:
通过红外椭圆形测定和拉曼光谱测量的紧张六边形GaN-Aln超晶格中的声子和自由载体
作者:
M.Schubert
;
A.Kasic
;
T.E.STiwald
;
J.a.Woollam
;
V.Harle
;
F.Scholz
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
26.
Temperature distributionm in INGan-MQW LEDs under operation
机译:
在操作下InGaN-MQW LED中的温度分布
作者:
Veit Schwegler
;
Matthias Seyboth
;
Sven Schad
;
Marcus Scherer
;
Cristoph Kirchner
;
Markus Kamp
;
Ulrich Stempfe
;
Wolfgang Limmer
;
Rolf Saufer
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
27.
Surface activity of magnesium during GaN molecular beam epitaxial growth
机译:
GaN分子束外延生长期间镁的表面活性
作者:
V. Ramachandran
;
R. M. Feenstra
;
J. E. Northrup
;
D. W. Greve
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
28.
Optical properties of manganese doped amorphous and crystalline aluminum nitride films
机译:
锰掺杂无定形和结晶铝氮化铝膜的光学性质
作者:
M. L. Caldwell
;
H. H. Richardson
;
M. E. Kordesch
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
29.
Microstructure-based lasing in GaN/AlGaN separate confinement heterostructures
机译:
GaN / AlGaN的基于微观结构的激光分开的限制异质结构
作者:
S. Bidnyk
;
J. B. Lam
;
B. D. Little
;
G. H. Gainer
;
Y. H. Kwon
;
J. J. Song
;
G. E. Bulman
;
H. S. Kong
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
30.
The mictrosctructure and electrical properties of directly deposited TiN ohmic contacts to gallium nitride
机译:
直接沉积锡欧姆触点的米特鲁克变化和电性能与氮化镓
作者:
P.Ruterana
;
G.Nouet
;
Th.Kehagias
;
Ph.Komninou
;
Th.Karakostas
;
M.A.di Forte Posiion
;
F.Huet
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
31.
Comparison of implant isolation species for GaN field-effect transistor structures
机译:
GaN场效应晶体管结构的植入物隔离物种比较
作者:
G. Dang
;
X. A. Cao
;
F. Ren
;
S. J. Pearton
;
J. Han
;
A. G. Baca
;
R. J. Shul
;
R. G. Wilson
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
32.
Electrical transport of an AlGAN/GaN two dimensional electrong gas
机译:
AlGaN / GaN二维电子气体的电气传输
作者:
A.Saxler
;
P.Debray
;
R.Perriin
;
S.Elhamri
;
W.C.Mitchel
;
C.R.Elsass
;
I.P.Smorchkova
;
B.Heying
;
E.Haus
;
P.Fini
;
J.P.Ibbetson
;
Sgt
;
Keller
;
P.M.Petroff
;
SP.PDenBaars
;
U.K.Mishra
;
J.S.Spack
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
33.
EMission enhancement of GaN/AlGaN single-quantum-wells due to screening of piezoelectric field
机译:
由于压电场筛选,GaN / AlGaN单量子阱的排放增强
作者:
A.Kinoshita
;
H.Hirayama
;
P.Riblet
;
M.Ainoya
;
A.Hirata
;
Y.Aoyagi
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
34.
Polarity determination for mocvd growth of GaN on Si(111) by convergent beam electron diffraction
机译:
收敛光束电子衍射GaN对Si(111)的MoCVD生长的极性测定
作者:
L.Zhao
;
H.Marchand
;
P.Fini
;
S.P.Denbaars
;
U.K.Mishra
;
J.S.Speck
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
35.
New materials-theory-based model for output characteristics of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors
机译:
基于新材料理论的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的输出特性模型
作者:
J. D. Albrecht
;
P. P. Ruden
;
M. G. Ancona
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
36.
Dynamics of anomalous temperature-induced emission shift in MOCVD-grown (Al,In)GaN thin films
机译:
MOCVD-生长(Al,IN)GaN薄膜中异常温度诱导发射移位的动态
作者:
Yong-Hoon Cho
;
G. H. Gainer
;
J. B. Lam
;
J. J. Song
;
W. Yang
;
W. Jhe
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
37.
Optical properties of manganese doped amophous and crystalline aluminum nitride films.
机译:
锰掺杂无定形和结晶铝氮化铝膜的光学性质。
作者:
M.L.Caldwell
;
H.H.Richardson
;
M.E.Kordesch
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
38.
Zirconium mediated hydrogen outdiffusion from p-GaN
机译:
锆介导的P-GaN的氢气过偏见
作者:
E.Kaminska
;
A.Piotrowska
;
A.Barcaz
;
J.Jasinski
;
M.Zielinski
;
K.Golaszewska
;
R.F.Davis
;
E.Goldys
;
K.Tomsia
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
39.
A study of annealed GaN grown by molecular beam epitaxy using photoluminescence spectroscopy
机译:
光致发光光谱法通过分子束外延生长的退火GaN研究
作者:
Abigail Bell
;
Ian Harrison
;
Dimitris Korakakis
;
Eric C. Larkins
;
J. M. Hayes
;
M. Kuball
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
40.
A study of the effect of V/III flux ratio and substrate temperature on the in incorporation efficiency in In{sub}xGa{sub}(1-x)/GaN heterostructures grown by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy
机译:
V / III助焊比和谱温度对射频等离子体辅助分子束外延生长的{Sub XGA {Sub}(1-X)/ GaN异质结构掺入效率的影响
作者:
M. L. OSteen
;
F. Fedler
;
R. J. Hauenstein
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
41.
Wet etching of ion-implanted GaN crystals by AZ-400K photoresist
机译:
通过AZ-400K光致抗蚀剂进行离子注入的GaN晶体的湿法蚀刻
作者:
CA.Carosella
;
B.Molnar
;
S.Schiestel
;
J.A.Sprague
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
42.
GaN decomposition in ammonia
机译:
氨中的GaN分解
作者:
D. D. Koleske
;
A. E. Wickenden
;
R. L. Henry
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
43.
Oxidation of gallium nitride epilayers in DRY oxygen
机译:
干氧中氮化镓外膜氧化
作者:
P.Chen R.Zhang
;
X.F.Xu
;
Z.Z.Chen
;
Y.G.Zhou
;
S.Y.Xie
;
Y.Shi
;
B.Shen
;
Sgt
;
L.Gu
;
Z.C.Huang
;
J.Hu
;
Y.D.Zheng
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
44.
The use of micro-raman spectroscopy to monitro high-pressure high-temperature ananealing lf ion-implanted GaN films
机译:
使用微拉曼光谱法监测离子植入的GaN薄膜的高压高温退火
作者:
M.Kuball
;
J.M.Hayes
;
T.Suski
;
J.Jun
;
H.H.Tan
;
J.S.Williams
;
C.Jagadish
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
45.
Dependence of aging on inhomogeneities in InGaN/AlGaN/GaN light-emitting diodes
机译:
老化对Ingan / AlGaN / GaN发光二极管的不均匀性的依赖性
作者:
V. E. Kudryashov
;
S. S. Mamakin
;
A. N. Turkin
;
A. E. Yunovich
;
A. N. Kovalev
;
F. I. Manyakhin
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
46.
MB E growth of nitride-arsenide materials for long wavelength optoelectronics
机译:
用于长波长光电子的氮化物 - 砷材料的MB E生长
作者:
Sylvia G.Spruytte
;
Christopher W.Coldren
;
Ann F.Marshall
;
Michael C.Larson
;
james S.Harris
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
47.
High-sensitivity visible-blind AlGaN photodiodes and photodiode arrays
机译:
高灵敏度可见 - 盲盲AlGaN光电二极管和光电二极管阵列
作者:
J. D. Brown
;
J. Matthews
;
S. Harney
;
J. Boney
;
J. F. Schetzina
;
J. D. Benson
;
K. V. Dang
;
Thomas Nohava
;
Wei Yang
;
Subash Krishnankutty
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
48.
Growith and characterization of GaN thin films on Si(111) substrates using SiC intermediate layer.
机译:
Si(111)衬底上的GaN薄膜的生长和表征使用SiC中间层。
作者:
K.Y.Lim
;
K.J.Lee
;
C.I.Park
;
K.C.Kim
;
S.C.Choi
;
W.-H.Lee
;
E.-K.Suh
;
G.M.Yang
;
K.S.Nahm
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
49.
Prism coupling as a non destrujctive tool for optical characterization of (Al, Ga) nitride compounds
机译:
棱镜耦合作为(Al,Ga)氮化物化合物的光学表征的非破坏工具
作者:
E.Dogheche
;
B.Belgacem
;
D.Remiens
;
P.Ruterana
;
F.Omnes
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
50.
Pulsed-laser-deposited AlN films for high-temperature SiC MIS devices
机译:
用于高温SIC MIS器件的脉冲激光沉积的ALN薄膜
作者:
R. D. Vispute
;
A. Patel
;
K. Baynes
;
B. Ming
;
R. P. Sharma
;
T. Venkatesan
;
C. J. Scozzie
;
A. Lelis
;
T. Zheleva
;
K. A. Jones
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
51.
Electron beam pumping in nitride vertical cavities with GaN/Al{sub}0.25Ga{sub}0.75N Bragg reflectors
机译:
用GaN / Al {Sub}×0.75N布拉格反射器泵送氮化物垂直腔中的电子束泵送
作者:
H. Klausing
;
J. Aderhold
;
F. Fedler
;
D. Mistele
;
J. Stemmer
;
O. Semchinova
;
J. Graul
;
J. Danhardt
;
S. Panzer
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
52.
High density plamsa damage induced in n-GaN schottkey diodes using Cl_2/Ar discharges
机译:
使用CL_2 / AR放电在N-GaN肖特基二极管中引起的高密度等离子体损伤
作者:
A.P.Zhang
;
G.Dang
;
F.Ren
;
X.A.Cao
;
H.Cho
;
E.S.Lambers
;
S.J.Pearton
;
R.J.Shul
;
L.Zhang
;
A.G.Baca
;
R.Hickman
;
J.M.Van Hove
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
53.
TEM study of the morphology Of GaN/SiC (0001) Grwon at various temperatures by MBE
机译:
MBE各种温度下GaN / SiC(0001)GRWON形态的TEM研究
作者:
W.L.Sarney
;
L.Salamanca-Riba
;
V.Ramachandran
;
R.M.Feenstra
;
D.W.Greve
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
54.
MBE growth of GaN films in presence of surfactants: the effect of Mg and Si
机译:
MBE在表面活性剂存在下GaN薄膜的生长:Mg和Si的作用
作者:
Guido Mula
;
Bruno Daudin
;
Christoph Adelmann
;
Philippe Peyla
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
55.
Optical spectroscopy and composition of INGaN
机译:
光谱和Ingan的组成
作者:
K.P.ODonnell
;
R.W.Martin
;
M.E.WHite
;
K.Jacobs
;
W.Van der Stricht
;
P.Demeester
;
A.Vantomme
;
M.Fgt
;
Wu
;
J.F.W.Mosselmans
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
56.
High-Quality Al_xGa_(1-x)N using low temperature-interlayer and its application to UV detector
机译:
高质量的AL_GA_(1-X)n使用低温中间层及其在UV检测器中的应用
作者:
M. Iwaya
;
S. Terao
;
N. Hayashi
;
T. Kashima
;
T. Detchprohm
;
H. Amano
;
I. Akasaki
;
A. Hirano
;
C. Pernot
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
57.
Correlation between structural properties and optical amplification in InGaN/GaN heterostructures grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长的Ingan / GaN异质结构中结构性和光学扩增的相关性
作者:
A. Kaschner
;
J. Holst
;
U. von Gfug
;
A. Hoffmann
;
F. Bertram
;
T. Riemann
;
D. Rudloff
;
P. Fischer
;
J. Christen
;
R. Averbeck
;
H. Riechert
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
58.
Comparison of the optical properties of Er{sup}(3+) doped gallium nitride prepared by metalorganic molecular beam epitaxy (MOMBE) and solid source molecular beam epitaxy (SSMBE)
机译:
通过金属组分子束外延(MOMBE)和固体源分子束外延(SSMBE)制备的ER {sup}(3+)掺杂氮化镓光学性质的比较(SSMBE)
作者:
U. Hommerich
;
J. T. Seo
;
J. D. MacKenzie
;
C. R. Abernathy
;
R. Birkhahn
;
A. J. Steckl
;
J. M. Zavada
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
59.
Growth and characterization of piezoelectrically enhanced acceptor-type AlGaN/GaN heterostructures
机译:
压电增强受体 - 型AlGaN / GaN异质结构的生长和表征
作者:
A. Michel
;
D. Hanser
;
R. F. Davis
;
D. Qiao
;
S. S. Lau
;
L. S. Yu
;
W. Sun
;
P. Asbeck
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
60.
Visible and infrared emission from GaN:Er thin films grown by sputtering
机译:
GaN的可见和红外排放:通过溅射而生长的薄膜
作者:
Hong Chen
;
K. Gurumurugan
;
M. E. Kordesch
;
W. M. Jadwisienczak
;
H. J. Lozykowski
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
61.
Optical spectroscopy of ingan epilayers in the low indium composition regime
机译:
InGaN癫痫铟的光谱分析
作者:
M.H.Crawford
;
J.han
;
Mgt
;
a.BSanas
;
S.M.Myers
;
G.a.Petersen
;
J.J.Figiel
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
62.
High-sensitivity visible-blind AlGaN photodiodes and photodiode arrays
机译:
高灵敏度可见 - 盲盲AlGaN光电二极管和光电二极管阵列
作者:
J.D.Benson
;
J.D.Brown
;
J.Matthews
;
S.harney
;
J.Boney
;
J.F.Schetzina
;
K.V.Dang
;
Thomas Nohava
;
Wei Yang
;
Subash Krishankutty
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
63.
Formation and stability of the prismatic stacking fault in wurtzite (Al,Ga,In) nitrides
机译:
紫立岩(Al,Ga,IN)氮化物中棱柱形堆垛性故障的形成和稳定性
作者:
P. Ruterana
;
A. Bere
;
G. Nouet
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
64.
The effect of Al in plasma-assisted MBE-grown GaN
机译:
Al在等离子体辅助MBE-生长GaN中的作用
作者:
Otto Zsebok
;
Jan V. Thordson
;
Qingxiang Zhao
;
Ulf Sodervall
;
Lars Ilver
;
Thorvald G. Andersson
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
65.
Identification of As, Ge and Se photoluminescence in GaN using radioactive isotopes
机译:
使用放射性同位素鉴定GaN中的Ge和Se光致发光
作者:
A. Stotzler
;
R. Weissenborn
;
M. Deicher
;
Isolde Collaboration
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
66.
Prism coupling as a non-destructive tool for optical characterization of (Al,Ga) nitride compounds
机译:
棱镜耦合作为(Al,Ga)氮化物化合物的光学表征的非破坏性工具
作者:
E. Dogheche
;
B. Belgacem
;
D. Remiens
;
P. Ruterana
;
F. Omnes
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
67.
Efficient acceptor activation in Al{sub}xGa{sub}(1-x)N/GaN doped superlattices
机译:
Al {sub} xga {sub}(1-x)n / gaN掺杂超晶格中有效的受护者激活
作者:
I. D. Goepfert
;
E. F. Schubert
;
A. Osinsky
;
P. E. Norris
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
68.
Threading dislocation density reduction in GaN/sapphire heterostructures.
机译:
通孔脱位密度降低GaN / Sapphire异质结构。
作者:
A.Kvit
;
A.K.Sharma
;
J.narayan
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
69.
The formation of in-rich regions at the perphery of the inverted hexahonal pits of InGaN thin-films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
机译:
由金属蒸汽相外延生长的IngaN薄膜的倒六边形盆的周边富含富含区域的富含区域
作者:
P. Li
;
S. J. Chua
;
M. Hao
;
W. Wang
;
X. Zhang
;
T. Sugahara
;
S. Sakai
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
70.
TEM study of the morphology of GaN/SiC (0001) grown at various temperatures by MBE
机译:
甘/ SIC(0001)的形态学的TEM研究MBE种植的各种温度
作者:
W. L. Sarney
;
L. Salamanca-Riba
;
V. Ramachandran
;
R. M. Feenstra
;
D. W. Greve
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
71.
Comparison of implant isolation species for GaN field-effect transistor structures
机译:
GaN场效应晶体管结构的植入物隔离物种比较
作者:
G.Dang
;
X.A.Cao
;
F.Ren
;
S.J.Pearton
;
J.Han
;
A.G.Baca
;
R.J.Shul
;
R.G.Wilson
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
72.
Growth and characterization of GaN thin films on Si(111) substrates using SiC intermediate layer
机译:
Si(111)衬底使用SiC中间层的GaN薄膜的生长和表征
作者:
K. Y. Lim
;
K. J. Lee
;
C. I. Park
;
K. C. Kim
;
S. C. Choi
;
W. -H. Lee
;
E. -K. Suh
;
G. M. Yang
;
K. S. Nahm
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
73.
HVPE and MOVPE GaN growth on slightly misoriented sapphire substrates
机译:
HVPE和Movpe GaN在略带误导的蓝宝石基板上的增长
作者:
Olivier Parillaud
;
Volker Wagner
;
Hans-Jorg Buhlmann
;
Francois Lelarge
;
Marc Ilegems
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
74.
Low-Frequency Noise in SiO_2/AlGaN/GaN Heterostructures on SiC and Sapphire Substrates
机译:
SiC和蓝宝石基板上SiO_2 / AlGaN / GaN异质结构的低频噪声
作者:
N. Pala
;
R. Gaska
;
M. Shur
;
J. W. Yang
;
M. Asif Khan
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
75.
The nature and impact of ZnO buffer layers on the initial stages of the hydride vapor phase epitaxy of GaN
机译:
ZnO缓冲层对GaN的氢化物气相外延初期的性质和影响
作者:
Shulin Gu
;
Rong Zhang
;
Jingxi Sun
;
Ling Zhang
;
T. F. Kuech
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
76.
Dynamics of anomalous temperature-induced emission shift in MOCVD_grown (Al, In)GaN thin films
机译:
MOCVD_GROWN(Al,IN)GaN薄膜的异常温度诱导发射变换的动态
作者:
Gong-Hoon Cho
;
G.H.Gainer
;
J.Blam
;
J.J.Song
;
W.Yang
;
W.Jhe
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
77.
Role of arsenic hexagonal growth-suppression on a cubic GaNAs growth using metalorganic chemical vapor deposition
机译:
砷六边形生长抑制对使用金属化学气相沉积的立方GANA生长的作用
作者:
S. Yoshida
;
T. Kimura
;
J. Wu
;
J. Kikawa
;
K. Onabe
;
Y. Shiraki
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
78.
Surface activity of magnesium during GAN molecular beam epitaxial growth
机译:
GaN分子束外延生长期间镁的表面活性
作者:
V.Ramachandran
;
R.M.Feenstra
;
J.E.Northrup
;
D.W.Greve
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
79.
Optical spectroscopy and composition of InGaN
机译:
光谱和Ingan的组成
作者:
K. P. ODonnell
;
R. W. Martin
;
M. E. White
;
K. Jacobs
;
W. Van der Stricht
;
P. Demeester
;
A. Vantomme
;
M. F. Wu
;
J. Off. W. Mosselmans
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
80.
Photoluminescence and cathodoluminescence of GaN doped with Pr
机译:
GaN的光致发光和阴极发光掺杂有PR
作者:
H. J. Lozykowski
;
W. M. Jadwisienczak
;
I. Brown
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
81.
Vertical transport properties of GaN Schottky diodes grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子梁外延生长的GaN肖特基二极管的垂直运输特性
作者:
M. Misra
;
A. V. Sampath
;
T. D. Moustakas
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
82.
Visible and infrared emission from GaN:Er thin films grown by sputtering
机译:
GaN的可见和红外排放:通过溅射而生长的薄膜
作者:
Hong Chen
;
K.Gurumurugan
;
M.E.Kordesch
;
W.M.Jadwisienczak
;
H.J.Lozykowski
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
83.
Growth kinetics of GaN thin films grown by OMVPE using single source precursors
机译:
使用单源前体通过OMVPE生长的GaN薄膜的生长动力学
作者:
R. A. Fischer
;
A. Wohlfart
;
A. Devi
;
W. Rogge
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
84.
Microstructural investigations on GaN films grown by laser induced molecular beam epitaxy
机译:
激光诱导分子束外延生长GaN薄膜的微观结构研究
作者:
H. Zhou
;
F. Phillipp
;
M. Gross
;
H. Schroder
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
85.
Oxidation of gallium nitride epilayers in dry oxygen
机译:
干氧中氮化镓外膜氧化
作者:
P. Chen
;
R. Zhang
;
X. F. Xu
;
Z. Z. Chen
;
Y. G. Zhou
;
S. Y. Xie
;
Y. Shi
;
B. Shen
;
S. L. Gu
;
Z. C. Huang
;
J. Hu
;
Y. D. Zheng
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
86.
Surface mprphology o f GaN: flat versus vicinal surface
机译:
表面形态O F GaN:平与张视场
作者:
M.H.Xie
;
S.M.Seutter
;
L.X.Zheng
;
S.H.Cheung
;
Y.F.Ng
;
Huasheng Wu
;
S.Y.Tong
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
87.
Correlation between sheet carrier density-mobility product and persistent photoconductivity in AlGaN/GaN modulation doped heterostructures
机译:
载玻片密度 - 迁移产物与AlGaN / GaN调制掺杂异质结构中的持续光电导性的相关性
作者:
J.Z.Li
;
J.Li
;
J.Y.Lin
;
H.X.Jiang
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
88.
Vertical transprot properties of GaN schottky diodes grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子梁外延生长的GaN肖特基二极管的垂直运输特性
作者:
M.Misra
;
A.V.Sampath
;
T.D.Moustakas
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
89.
Focused ion beam etching of nanometer-size GaN/AlGaN device structures and their optical characterization by micro-photoluminescence/Raman mapping
机译:
聚焦离子束蚀刻纳米尺寸GaN / AlGaN装置结构及其微光致发光/拉曼映射的光学特性
作者:
M. Kuball
;
M. Benyoucef
;
F. H. Morrissey
;
C. T. Foxon
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
90.
Microstructure and physical properties of GaN films on sapphire substrates
机译:
蓝宝石基材上GaN薄膜的组织和物理性质
作者:
Zhizhong Chen
;
Rong Zhang
;
Jianming Zhu
;
Bo Shen
;
Yugang Zhou
;
Peng Chen
;
Weiping Li
;
Yi Shi
;
Shulin Gu
;
Youdou Zheng
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
91.
Structural and optical property investigations on Mg-alloying in epitaxial zinc oxide films on sapphire
机译:
蓝宝石中外延氧化锌薄膜镁合金化的结构和光学性质研究
作者:
A. K. Sharma
;
C. Jin
;
A. Kvit
;
J. Narayan
;
J. F. Muth
;
C. W. Teng
;
R. M. Kolbas
;
O. W. Holland
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
92.
The nature and impact of ZNO buffer layers on the initial stages of the hydride vapor phase epitaxy of GaN
机译:
ZnO缓冲层对GaN的氢化物气相外延初期的性质和影响
作者:
Shulin Gu
;
Rong Zhang
;
Jingxi Sun
;
Ling zhang
;
T.F.Kuech
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
93.
Polarity determination for MOCVD growth of GaN on Si(111) by convergent beam electron diffraction
机译:
收敛光束电子衍射GaN对Si(111)的MoCVD生长的极性测定
作者:
L. Zhao
;
H. Marchand
;
P. Fini
;
S. P. Denbaars
;
U. K. Mishra
;
J. S. Speck
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
|
2000年
94.
Nonlinear optical characterization of GaN layers grown by MOCVD on sapphire
机译:
Mocvd在蓝宝石上生长的GaN层的非线性光学特征
作者:
Ivan M. Tiginyanu
;
Igor V. Kravetsky
;
Dimitris Pavlidis
;
Andreas Eisenbach
;
Ralf Hildebrandt
;
Gerd Marowsky
;
Hans L. Hartnagel
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
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2000年
95.
Development of wide bandgap semiconductor photonic device structures by exciment laser micromachining
机译:
宽带隙半导体光子器件结构的研制通过灭活激光微机械
作者:
Qiang Zhao
;
Michael Lukitach
;
Jie Xu
;
Gregory Auner
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
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2000年
96.
Microstructure and physical properties of GaN films on sapphire substreates
机译:
蓝宝石亚基GaN薄膜的组织与物理性质
作者:
Zhizhong Chen
;
Rong Zhang
;
Jianming Zhu
;
Bo Shen
;
Yugang Zhou
;
Peng Chen
;
Weiping Li
;
Yi Shi
;
Shulin Cu
;
Youdou Zheng
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
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2000年
97.
High-gain, high-speed ZnO MSM ultraviolet photodetectors
机译:
高增益,高速ZnO MSM紫外线光电探测器
作者:
H. Shen
;
M. Wraback
;
C. R. Gorla
;
S. Liang
;
N. Emanetoglu
;
Y. Liu
;
Y. Lu
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
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2000年
98.
Growth and characterization of piezoelectrically enhanced acceptor-type alGaN/GaN Heterostructures
机译:
压电增强受体 - 型AlGaN / GaN异质结构的生长和表征
作者:
A.Michel
;
D.Hanser
;
R.F.Davis
;
D.Qiao
;
S.S.Lau
;
L.S.Yu
;
W.Sun
;
Pgt
;
Asbeck
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
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2000年
99.
Formation and stability of the prismatic stacking faultin wurtzite (Al, Ga, In) nitrides
机译:
棱镜堆积故障的形成与稳定性吡塔(Al,Ga,In)氮化物
作者:
P.Ruterana
;
A.Bere
;
G.Nouet
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
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2000年
100.
Prism coupling as a non destructive tool for optical characterization of (Al,Ga) nitride compounds
机译:
棱镜耦合作为(Al,Ga)氮化物化合物的光学表征的非破坏性工具
作者:
E. Dogheche
;
B. Belgacem
;
D. Remiens
;
P. Ruterana
;
F. Omnes
会议名称:
《Symposium on GaN and related alloys》
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2000年
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