机译:使用化学剥离和室温直接晶片键合以及GaN晶片规模在ZnO缓冲蓝宝石上进行GaN晶片规模的MOVPE生长,从蓝宝石转移到玻璃基板的MOVPE GaN薄膜的结构和成分表征
机译:关于取向错误的蓝宝石衬底上HVPE GaN的形核,聚结和过度生长以及针孔的起源
机译:用光刻图案化的Ti掩模在MOCVD-GaN /蓝宝石衬底上的GaN HVPE生长过程中的自剥离过程分析
机译:HVPE和Movpe GaN在略带误导的蓝宝石基板上的增长
机译:纳米点装饰蓝宝石衬底的制造,用于氮化镓的简单生长模式沉积。
机译:用HVPE使用组合缓冲层在蓝宝石上制造2英寸独立的GaN衬底
机译:HVPE和Movpe GaN在略带误导的蓝宝石基板上的增长