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1.
III/V Nanowire FETs for CMOS?
机译:
用于CMOS的III / V纳米线FET?
作者:
Lars-Erik Wernersson
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
2.
Performance Evaluation of 15nm Gate Length Double-Gate n-MOSFETs with HighMobility Channels: III-V, Ge and Si
机译:
具有高迁移率通道:III-V,Ge和Si的15nm栅极长度双栅极n-MOSFET的性能评估
作者:
Donghyun Kim
;
Tejas Krishnamohan
;
Krishna C. Saraswat
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
3.
Si/SiGe Bound-to-continuum Terahertz Quantum Cascade Emitters
机译:
Si / SiGe束缚到连续的太赫兹量子级联发射极
作者:
D.J. Paul
;
G. Matmon
;
L. Lever
;
Z. Ikonic
;
R.W. Kelsall
;
D. Chrastina
;
G. Isella
;
H. von K?nel
;
E. Müller
;
A. Neels
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
4.
Nucleation Control for High Density Formation of Si-based Quantum Dotson Ultrathin SiO2
机译:
硅基量子Dotson超薄SiO2高密度形成的成核控制
作者:
K. Makihara
;
A. Kawanami
;
M. Ikeda
;
S. Higashi
;
S. Miyazaki
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
5.
Strain Loss in Epitaxial Si:C Films Induced by Phosphorus Diffusion
机译:
磷扩散引起的外延Si:C薄膜的应变损失
作者:
B. Yang
;
J.P. de. Souza
;
K.L. Saenger
;
S. Bedell
;
A. Reznicek
;
T. Adam
;
M.Hospstaken
;
D.K. Sadana
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
6.
Asymmetric Energy Distribution of Interface Traps in GermaniumMOSFETs with HfO2 Gate Dielectric
机译:
HfO2栅介电质锗MOSFET中界面陷阱的不对称能量分布
作者:
Ruilong Xie
;
Nan Wu
;
Chen Shen
;
Chunxiang Zhu
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
7.
Reactive Ion Etch of Si3N4 Spacers High Selective to Germanium
机译:
对锗具有高选择性的Si3N4垫片的反应性离子蚀刻
作者:
Efraín Altamirano
;
Eddy Kunnen
;
Brice De Jaeger
;
Werner Boullart
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
8.
Selective Epitaxial Growth with Full Control of Pattern Dependency Behavior for pMOSFET Structures
机译:
完全控制pMOSFET结构的图案依赖行为的选择性外延生长
作者:
M. Kolahdouz
;
J. H?llstedt
;
M. Ostling
;
R. Wise
;
H. H. Radamson
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
9.
Mobilty Modeling Of Strained Germanium (s-Ge) Quantum Well (QW)Heterostructure pMOSFETs
机译:
应变锗(s-Ge)量子阱(MQW)超结构MOSFET的迁移率建模
作者:
Tejas Krishnamohan
;
Anh-Tuan Pham
;
Christoph Jungemann
;
Bernd Meinerzhagen
;
Krishna C. Saraswat
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
10.
Effect of Ion Implantation and Anneals on Fully-strained SiC and SiC:P films using Multiple Characterization Techniques
机译:
多重表征技术研究离子注入和退火对全应变SiC和SiC:P薄膜的影响
作者:
A. Madan
;
J. Li
;
Z. Ren
;
B. (F). Yang
;
E. Harley
;
T. N. Adam
;
R. Loesing
;
Z. Zhu
;
T. Pinto
;
A. Chakravarti
;
A. Dube
;
R. Takalkar
;
J.W. Weijtmans
;
L. Black
;
D. Schepis
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
11.
Chemical Mechanical Polishing of Epitaxial Germanium on SiO2-patterned Si(001) Substrates
机译:
SiO2图案化的Si(001)衬底上外延锗的化学机械抛光
作者:
J. M. Hydrick
;
J. S. Park
;
J. Bai
;
C. Major
;
M. Curtin
;
J. G. Fiorenza
;
M. Carroll
;
A.Lochtefeld
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
12.
Fabrication and Characterization of Suspended Uniaxial Tensile Strained-SiNanowires for Gate-All-Around n-MOSFETs
机译:
环绕全栅n-MOSFET的悬浮单轴拉伸应变SiNanowire的制备与表征
作者:
P. Hashemi
;
M. Canonico
;
J.K.W. Yang
;
L. Gomez
;
K.K. Berggren
;
J. L. Hoyt
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
13.
Liquid Phase Diffusion Growth of SiGe Single Crystals under Magnetic Fields
机译:
磁场下SiGe单晶的液相扩散生长
作者:
N. Armour
;
M. Yildiz
;
E. Yildiz
;
S. Dost
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
14.
UV AND VISIBLE RAMAN SPECTROSCOPYAPPLIED TO sSi/Si1-XGeX AND sSOISTACKS
机译:
紫外和可见拉曼光谱法应用于sSi / Si1-XGeX和sSOISTACK
作者:
D.Rouchon
;
J M. Hartmann
;
A. Crisci
;
M. Mermoux
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
15.
Chemical Vapor Deposition Epitaxy of Silicon-basedMaterials using Neopentasilane
机译:
使用新戊硅烷对硅基材料进行化学气相沉积外延
作者:
J. C. Sturm
;
K. H. Chung
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
16.
Electrodeposition of Nanoscale SixGe1-x from an Air- and Water Stable Ionic Liquid
机译:
从空气和水稳定的离子液体中电沉积纳米级SixGe1-x
作者:
R. Al-Salman
;
S. Zein El Abedin
;
F. Endres
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
17.
Simultaneous Optimization Of The Material Properties, Uniformity And DepositionRate Of Polycrystalline CVD And PECVD Silicon-Germanium Layers For MEMSApplications
机译:
同时优化用于MEMS的多晶CVD和PECVD硅锗层的材料性能,均匀性和沉积速率
作者:
George Bryce
;
Simone Severi
;
Bert Du Bois
;
Myriam Willegems
;
Gert Claes
;
Rita Van Hoof
;
Luc Haspeslagh
;
Stefaan Decoutere
;
Ann Witvrouw
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
18.
Channel Strain Characterization in Embedded SiGe by Nano-beam Diffraction
机译:
纳米束衍射表征嵌入式SiGe中的沟道应变
作者:
J. Li
;
A. Lamberti
;
A. Domenicucci
;
L. Gignac
;
H. Utomo
;
Z. Luo
;
N. Rovedo
;
S. Fang
;
H. Ng
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J. Holt
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A. Madan
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C. W. Lai
;
J. H. Ku
;
D. Schepis
;
J.-P. Han
;
M. Lagus
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
19.
Selective Epitaxial Growth of Si(Ge) forHigh Performance MOSFET Applications
机译:
用于高性能MOSFET应用的Si(Ge)的选择性外延生长
作者:
I. Mizushima
会议名称:
《SiGe, Ge, and Related Compounds 3: Materials, Processing, and Devices》
|
2008年
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