机译:绝缘体上硅中超小型单电子晶体管的氢倍半硅氧烷电子束光刻
机译:显影剂温度对电子束曝光的氢倍半硅氧烷氢致抗蚀剂的影响
机译:使用超薄氢倍半硅氧烷抗蚀剂层的显影工艺对最终分辨率电子束光刻的影响
机译:使用基于SEM的电子束光刻(EBL)技术形成单电子晶体管的纳米线:正电势与负电势电子束电阻
机译:用于电子和光学应用的基于纳米线的设备:溶液门控硅纳米线场效应晶体管和一维金纳米粒子阵列
机译:自上而下的GaN纳米线晶体管具有几乎为零的栅极迟滞可用于平行垂直电子设备
机译:使用超薄氢倍半硅氧烷层时电子束光刻的限制因素