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机译:采用高压氧化降低Al_2O_3 / GaAs栅叠层的界面陷阱密度
机译:采用高压氧化降低Al_2O_3 / GaAs栅叠层的界面陷阱密度
机译:La_2O_3界面层对原子层沉积沉积的Al_2O_3 / La_2O_3 / InGaAs栅叠层中InGaAs金属氧化物半导体界面性质的影响
机译:使用表面工程和热退火技术有效减少Al2O3 / GaAs(001)栅堆叠中的界面陷阱
机译:从GA - 富含GA的表面和通过系统热退火开始的AL_2O_3 / GAAs(100)中的界面陷阱的大大减少
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:氧化和还原退火对Ge / La2O3 / ZrO2栅叠层电性能的影响
机译:使用表面工程和热退火的Al2O3 / GaAs(001)栅极堆叠的界面陷阱的有效减少