机译:使用表面工程和热退火技术有效减少Al_2O_3 / GaAs(001)栅堆叠中的界面陷阱
机译:使用表面工程和热退火技术有效减少Al2O3 / GaAs(001)栅堆叠中的界面陷阱
机译:采用高压氧化降低Al_2O_3 / GaAs栅叠层的界面陷阱密度
机译:从GA - 富含GA的表面和通过系统热退火开始的AL_2O_3 / GAAs(100)中的界面陷阱的大大减少
机译:富含Ga的GaAs和GaP(001)表面上有机和无机吸附物的结构,化学和能量学。
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究
机译:使用表面工程和热退火的Al2O3 / GaAs(001)栅极堆叠的界面陷阱的有效减少
机译:通过保护性砷涂层的热解吸制备的Gaas(100)表面上的au和al肖特基势垒形成