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王大文; 钟战天; 范越; 牟善明;
清华大学电子工程系;
中国科学院半导体研究所国家表面物理实验室;
表面处理方式; Au/GaAs; 退火温度; 淀积; 表面处理方法; 原子态; 束缚能; 化学位移; 金属态; 端移动;
机译:使用表面工程和热退火技术有效减少Al2O3 / GaAs(001)栅堆叠中的界面陷阱
机译:使用表面工程和热退火技术有效减少Al_2O_3 / GaAs(001)栅堆叠中的界面陷阱
机译:热退火对自旋注入和通过Fe / GaAs界面进行自旋检测的影响
机译:Au催化剂在退火过程中GaAs(111)B表面的影响
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:退火对au-si和au-Gaas界面的费米级钉扎和电流传输的影响
机译:影响de En'Inrichissement superficiel en arsenic sur l'Ohmicite du Contact n-Gaas:In / au(砷表面富集对n-Gaas欧姆的影响:In / au接触)
机译:热退火样品的表面分析装置以及使用该装置的热退火样品的表面分析方法
机译:通过在反应器燃烧室中对自燃烧轮胎进行直接退火的自加热过程,连续进行热轮胎和热增强轮胎轮胎热处理的连续热解工艺,而无氧和其他能源的外部影响
机译:GAAS衬底退火和GAAS半导体器件制造方法
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