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宋萍; 张峰焱;
中国科学技术协会;
半绝缘砷化镓; 半导体材料; 高温退火; 表面热损伤;
机译:STM在MBE的高温退火过程中观察到的富含Ga的GaAs(001)表面
机译:高温退火过程中Si(111)表面大梯田在大梯田上的演变
机译:通过使用纯净氩气进行气氛控制来抑制高温退火过程中SiC表面的粗糙化
机译:高温退火过程中表面层的修改及其对SiC二极管特性的影响
机译:在InAs(100)和GaAs(100)表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
机译:高温退火沉积在Si(100)上的Ge层的表面形貌转变
机译:用可变混合物(INP,GaAs,GaN,SiC)对单晶表面生长在单晶表面上的ZnO原子排序的影响
机译:高温退火si / siO(sub 2)/ si结构缺陷的可靠性意义
机译:掺Si的GaAs单晶锭及其制造方法,以及由掺Si的GaAs单晶锭制成的掺Si的GaAs单晶晶片
机译:Si掺杂GaAs单晶锭及其制造方法,以及由Si掺杂GaAs单晶锭制成的Si掺杂GaAs单晶晶片
机译:掺Si的GaAs单晶硅片及其制备方法,以及掺Si的GaAs单晶硅片由Si掺杂的GaAs单晶硅片制成
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