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单晶SiC基板的表面加工方法、其制造方法和单晶SiC基板的表面加工用磨削板

摘要

一种单晶SiC基板的表面加工方法,将磨削板安装于磨削装置上,通过所述磨削板产生氧化生成物,一边除去该氧化生成物一边进行表面的磨削,所述磨削板是在具有平坦面的基体件上依次贴附有软质垫、硬质垫的磨削板,在所述硬质垫的表面固定有磨粒,所述磨粒包含比单晶SiC软且具有带隙的至少1种以上的金属氧化物。

著录项

  • 公开/公告号CN104981324B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昭和电工株式会社;

    申请/专利号CN201480008414.7

  • 发明设计人 贵堂高德;加藤智久;

    申请日2014-02-13

  • 分类号

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人刘航

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 10:09:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-27

    授权

    授权

  • 2015-11-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):B24B1/00 申请日:20140213

    实质审查的生效

  • 2015-10-14

    公开

    公开

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