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徐向阳;
西安电子科技大学;
MESFET; GaAs; HEMT器件; HPM; 电热损伤;
机译:多指AlGaN / GaN HEMT器件操作的电热建模,包括热衬底效应
机译:获得高跨导AlGaAs / InGaAs / GaAs伪晶HEMT器件的关键
机译:唉,GaAs和GaAs / Alas超晶格低能量辐射响应的比较研究及其电子结构的损伤效应
机译:多栅极AlGaAs / InGaAs HEMT器件I-V特性的扭结效应现象
机译:回顾急性脊髓损伤的发病机理和治疗方法,并探讨使用尿液3-HPMA作为犬急性脊髓损伤后继发性损伤的新型生物标志物。
机译:InGaAs / GaAs / AlGaAs阶跃量子阱中带间激发的Rashba型和Dresselhaus型圆形光电流效应引起的自旋光电流谱
机译:ALMBE技术在HEMT器件的GaAsnAlGaAs,n-GaAsInGaAs和AlAsInAsGaAs外延系统中的应用
机译:Gaas FET和HEmT的Hpm损伤阈值
机译:高低掺杂AlGaAs / GaAs HEMT器件
机译:使用GaAs pHEMT器件的低失真宽带放大器
机译:砷化镓(GaAs)HEMT器件制造方法
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