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魏永强; 刘会云; 徐波; 丁鼎; 梁基本; 王占国;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室;
InGaAs盖层; 快速热退火; 砷化镓; 量子点; 发光特性;
机译:通过后期生长快速热退火调节高In含量InGaAs / GaAs封盖的InAs量子点的光学特性
机译:快速热退火对被InAlAs / InGaAs层覆盖的自组装InAs / GaAs量子点的结构和光学性质的影响
机译:快速热退火对掺有氮化物(GaAsN)的InAs / GaAs量子点的影响,所述量子点的光发射超过〜1.5μm
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:GaAs(111)A衬底上的液滴外延生长InAs量子点的特性和热退火效应
机译:快速热退火对InGaas / Gaas量子点红外光电探测器器件特性的影响
机译:快速热退火对alGaas / Gaas调制掺杂量子阱影响的光致发光特性
机译:混合量子点中的介质覆盖层控制InGaAs / GaAs量子点能带的方法。
机译:/混合量子点中电介质覆盖层控制InGaAs / GaAs量子点能带的方法
机译:用量子点InAs / InGaAs结晶异质结构InGaAs / n0,2Al0,3Ga0,5As的方法
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