机译:快速热退火对被InAlAs / InGaAs层覆盖的自组装InAs / GaAs量子点的结构和光学性质的影响
MOLECULAR-BEAM EPITAXY; TEMPERATURE-DEPENDENCE; MU-M; PHOTOLUMINESCENCE; GAAS; LASERS;
机译:快速热退火对被InAlAs / InGaAs层覆盖的自组装InAs / GaAs量子点的结构和光学性质的影响
机译:快速热退火对被InAlAs / InGaAs层覆盖的自组装InAs / GaAs量子点的结构和光学性质的影响
机译:快速热退火对InAlAs / InGaAs层覆盖的自组装InAs / GaAs量子点的结构和光学性质的影响
机译:快速热退火对InAs / GaAs自组装量子点结构和光学性质的影响
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:通过InAlAs中间层改变GaAsSb封盖的InAs量子点的光学性质
机译:热退火Inas-InGaas-Gaas自组装量子点的磁光学研究
机译:退火对Gaas基体中自组装Inas量子点和润湿层的影响