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InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响

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我们系统地研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响.我们发现InAs量子点的基态发光峰位,半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组份.最终,我们得到了室温发光波长在1.35μm,基态与第一激发态的能级间距高达103meV的InAs量子点的发光特性.第一结果对实现高T<,0>的长波长InAs量子点激光器的室温激射具有重要意义.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|453-455|共3页
会议地点厦门
作者
张子旸; 金鹏; 曲胜春; 李成明; 孟宪权; 徐波; 叶晓玲; 王占国;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类基础理论;
关键词
量子点; 光致发光; 能级间距; 发光特性;

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