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牛智川; 倪海桥; 方志丹; 龚政; 张石勇; 吴东海; 孙征; 赵欢; 彭红玲; 韩勤; 吴荣汉;
中国科学院半导体研究所;
量子点; 砷化铟; 激光器;
机译:基于分子束外延生长的多步分级InGaAs变质缓冲液上基于GaAs的长波长InAs量子点
机译:GaAs(001)上通过分子束外延生长的InAs / InGaAs / GaNAs应变补偿量子点的光学研究
机译:通过分子束外延选择性生长形成在图案化GaAs衬底上的自组织InAs量子点
机译:通过分子束外延在(311)B GaAs上生长的InAs / InGaAs自组装量子点
机译:GaAs(100)上应变InAs岛量子盒的分子束外延生长:生长动力学,垂直自组织和激光特性
机译:基于InAs / InGaAs / GaAs量子点的超小型微盘和微环激光器
机译:在高频应用中,在成核量子点阈值以下和附近的InAs层厚度下,调制掺杂N-AlGaAs /(InAs / GaAs)/ GaAs超晶格的分子束外延
机译:通过分子束外延在(775)B Inp衬底上生长的大量改进的自组织In(0.53)Ga(0.47)as量子线激光器
机译:InGaAs-利用液滴外延生长的InGaAs量子点环结构及其制造方法
机译:利用化学束外延生长GaAs量子点的方法
机译:利用分子束外延和衬底去除技术外延生长GaAs薄膜的方法和与GaAs衬底无关的器件结构
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