State University of New York at Albany.;
机译:门控霍尔法在InGaAs埋量子阱金属氧化物半导体场效应晶体管中的界面陷阱密度和迁移率提取
机译:具有低界面陷阱密度和低栅极泄漏电流密度的1nm电容等效厚度HfO2 / Al2O3 / InGaAs金属氧化物半导体结构
机译:通过门控霍尔测量获得的InGaAs反转层迁移率和界面陷阱密度
机译:InGaAs掩埋量子阱MOSFET中通过门控霍尔法对高于阈值电压的界面陷阱密度进行定量
机译:金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
机译:同时提取有机半导体中态宽度载流子迁移率和注入势垒的密度
机译:通过栅漏电容测量评估亚微米n(金属氧化物半导体场效应晶体管)中热孔诱导的界面态和俘获的载流子