机译:使用圆孔纳米图案化的SiO_2掩模在Si(001)衬底上GaAs的纳米表观
机译:使用圆孔纳米图案化的SiO_2掩模在Si(001)衬底上GaAs的纳米表观
机译:气源分子束外延利用SiO_2掩模在Si(001)衬底上InP选择性区域生长的机理
机译:具有双夹氨酸/盖和GaAs量子孔的异质结构的刺激发射,在GaAs和Ge / Si(001)基材上生长
机译:纳米透模性Si(001)底物作为量子点生长模板
机译:GaAs(001)表面的光学性质的理论分析和半导体的应变依赖性晶格特性
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:GaAs-Ingaas-Gaas Fin阵列(001)Si基板上的隧道二极管,房间温度峰值与谷电流比为5.4
机译:Gaas(001)和alas(001)衬底上si层的外延生长和界面参数