机译:GaAs-Ingaas-Gaas Fin阵列(001)Si基板上的隧道二极管,房间温度峰值与谷电流比为5.4
机译:(001)硅衬底上的GaAs-InGaAs-GaAs鳍状阵列隧道二极管,室温峰谷电流比为5.4
机译:Si Esaki隧穿二极管中非常高的室温峰谷电流比(2010年3月)
机译:使用双峰鳍阵列III–V隧道二极管在(001)硅基板上整体生长的三态存储单元
机译:MBE成长技术,形成具有高峰电流密度的Si / SiGe谐振间隧穿二极管和高峰谷电流量
机译:铁(001)/氧化镁(001)/铁(001)隧穿磁阻结构的原子能级表征和自旋极化扫描隧道显微镜。
机译:Si(001)上室温多功能BaTiO3-CoFe2O4外延异质结构的整体集成
机译:在AlSb / InAs / AlSb双势垒隧道结构中观察到大的峰谷电流比和大的峰电流密度
机译:具有高峰谷比的谐振隧穿二极管的Wigner函数建模