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一种Si(001)衬底上高In组分InGaAs探测器及其制备方法

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本发明涉及一种Si(001)衬底上高In组分InGaAs探测器及其制备方法，所述探测器结构由下往上依次为Si(001)衬底、GaP缓冲层、III族稳态条件下生长的In_yAl_1‑yAs缓冲层、As稳态条件下生长的In_yAl_1‑yAs缓冲层、In_xGa_1‑xAs吸收层和In_yAl_1‑yAs帽层。制备方法为依次外延生长即可。本发明可以实现在Si(001)衬底上制备短波红外高In组分InGaAs探测器，适合于发展大规模红外焦平面阵列和低成本器件。

著录项

公开/公告号CN106856211B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-10-19

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
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申请/专利号CN201611065587.X
发明设计人顾溢;张永刚;
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申请日2016-11-28
分类号H01L31/0304(20060101);H01L31/101(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构31233 上海泰能知识产权代理事务所;
代理人黄志达;魏峯
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室
入库时间 2022-08-23 10:20:01

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-10-19

授权

授权
2017-07-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0304 申请日:20161128

实质审查的生效
2017-07-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0304 申请日:20161128

实质审查的生效
2017-06-16

公开

公开
2017-06-16

公开

公开
2017-06-16

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