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International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting

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1.Single Atom Devices in Silicon and Germanium

机译：硅和锗中的单个原子器件
- 作者：Simmons M. Y.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
2.Trap-Assisted Tunneling in Vertical Si and SiGe Hetero-Tunnel-FETs

机译：垂直Si和SiGe异隧道 - FET中的陷阱辅助隧道
- 作者：Vandooren A.;Leonelli D.;Rooyackers R.;Hikavyy A.;Devriendt K.;Loo R.;Demand M.;Groeseneken G.;Huyghebaert C.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
3.Fabrication of Bonded GeOI Substrates with Thin Al2O3/SiO2 Buried Oxide Layers

机译：用薄的Al2O3 / SiO2掩埋氧化物层的粘合地质底物的制备
- 作者：Moriyama Yoshihiko;Ikeda Keiji;Kamimuta Yuuichi;Oda Minoru;Irisawa Toshifumi;Nakamura Yoshiaki;Sakai Akira;Tezuka Tsutomu
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
4.Passivation and Nucleation of Ge(100) via H2O and HOOH Dosing

机译：通过H2O和HOOH给药钝化和核心GE（100）
- 作者：Kaufman-Osborn Tobin;Lee Joon Sung;Kiantaj K.;Kummel Andrew C.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
5.Space-Filling Arrays of Three-Dimensional Epitaxial Ge and Si1-xGex Crystals

机译：三维外延GE和Si1-XGEx晶体的空间填充阵列
- 作者：Falub C. V.;Isa F.;Kreiliger T.;Bergamaschini R.;Marzegalli A.;Taboada A. G.;Chrastina D.;Isella G.;Muller E.;Niedermann P.;Dommann A.;Neels A.;Pezous A.;Meduna M.;Miglio L.;von Kanel H.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
6.Post-Si-CMOS Devices - Scaling FETs to (Beyond?) 10 nm: From Semiclassical to Quantum Models

机译：后SI-CMOS器件 - 将FETS缩放到（超越？）10 nm：从Semicalassical到量子型号
- 作者：Fischetti Massimo V.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
7.Low Temperature RPCVD Epitaxial Growth of Si1-xGex and Ge Using Si2H6 and Ge2H6

机译：使用Si2H6和GE2H6的Si1-Xgex和Ge的低温RPCVD外延生长
- 作者：Wirths S.;Buca D.;Tiedemann A. T.;Bernardy P.;Hollander B.;Stoica T.;Mussler G.;Breuer U.;Mantl S.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
8.Terahertz Imaging Using Strained-Si MODFETs as Sensors

机译：使用应变Si Modfets作为传感器的Terahertz成像
- 作者：Meziani Y. M.;Garcia-Garcia E.;Velazquez-Perez J. E.;Coquillat D.;Dyakonova N.;Knap W.;Grigelionis I.;Fobelets K.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
9.Morphology Evolution of Epitaxial SiGe in Patterns

机译：外延SiGe在模式中的形态演化
- 作者：Seiss Birgit;Dutartre Didier
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
10.Clear Experimental Proof of the Compliant Behavior of Free-Standing Si Nanostructures on SOI for Ge Nanoheteroepitaxy by GI-XRD

机译：Gi-XRD的Ge Nanoheteroepitaxy的独立Si纳米结构兼容行为的明确实验证明
- 作者：Schroeder Thomas;Kozlowski Grzegorz;Zaumseil Peter;Yamamoto Yuji;Bauer Joachim;Schulli Tobias;Tillack Bernd
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
11.Improving the On-Resistance of FETs for Power Applications

机译：提高FET的电阻为电力应用
- 作者：Isemann H.;Fischer I.;Hahnel D.;Oehme M.;Schulze J.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
12.Analysis of USJ Formation with Combined RTA/Laser Annealing Conditions for 28nm High-K/Metal Gate CMOS Technology Using Advanced TCAD for Process and Device Simulation

机译：使用先进的TCAD进行RTA /激光退火条件的USJ形成与RTA /激光退火条件，采用先进的TCAD进行工艺和设备仿真
- 作者：Bazizi E. M.;Pandey S. M.;Wang C.;Jiang I.;Chu S.;Benistant F.;Herrmann T.;Faul J.;Franke D.-W.;Wiatr M.;Horstmann M.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
13.The SiGeSn Approach Towards Si-Based Lasers

机译：基于SI的激光器的SIGESN方法
- 作者：Sun Greg
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
14.High Performance Ge Photodetectors and Si Modulators for Integrated Photonics

机译：用于集成光子的高性能GE光电探测器和SI调制器
- 作者：Vivien Laurent;Marris-Morini Delphine;Ziebell Melissa;Rasigade Gilles;Crozat Paul;Cassan Eric;Hartmann Jean-Michel;Fedeli Jean Marc
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
15.CVD Epitaxial Growth of GeSn Opens a New Route for Advanced Sn-Based Logic and Photonics Devices

机译：GESN的CVD外延生长为先进的SN基逻辑和光子学设备打开了新的路线
- 作者：Vincent Benjamin;Gencarelli Federica;Kumar Arul;Vantomme Andre;Merckling Clement;Lin Dennis;Afanasiev Valeri;Eneman Geert;Clarysse Trudo;Firrincieli Andrea;Gassenq Alban;Vandervorst Wilfried;Dekoster Johan;Loo Roger;Caymax Matty
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
16.Single-Crystalline Elastically Relaxed SiGe Nanomembranes: Substrates for Epitaxial Growth of Defect-Free Strained-Si/SiGe Heterostructures

机译：单晶弹性松弛的SiGe nanomembranes：用于无缺陷的应变 - Si / SiGe异质结构外延生长的基材
- 作者：Paskiewicz Deborah M.;Tanto Boy;Savage Donald E.;Evans Paul G.;Eriksson Mark A.;Lagally Max G.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
17.Strained High Percentage (60) Boron Doped Silicon-Germanium Alloys - Strain, Dopant Substitionality, Carrier Concentration, Resistivity, and Microstructure Development

机译：应变高百分比（60％）硼掺杂硅 - 锗合金 - 菌株，掺杂剂分子，载体浓度，电阻率和微观结构发育
- 作者：Reznicek Alexander;Adam Thomas N.;Hovel Harold;De Souza Joel;Zhu Zhengmao;Li Jinghong;Bedell Stephen W.;Paruchuri Vamsi;Sadana Devendra K.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
18.Epitaxial Growth of Highly Strained SiGe Layers Directly on Si(001) Substrate

机译：直接在Si（001）衬底上高度应变SiGe层的外延生长
- 作者：Halpin John;Shah Vishal;Myronov Maksym;Leadley David
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
19.Germanium nMOSFETs with GeO2 Passivation and n+/p Junctions Formed by Spin-On Dopants

机译：用GEO2钝化锗NMOSFET和通过旋涂掺杂剂形成的N + / P结
- 作者：Mantey Jason;Hsu William;Jamil Mustafa;Onyegam Emmanuel U.;Tutuc Emanuel;Banerjee Sanjay K.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
20.Monte Carlo Simulations of Ge Implant Free Quantum Well FETs - The Role of Substrate and Channel Orientation

机译：GE植入式无量子井FET的蒙特卡罗模拟 - 基板和沟道取向的作用
- 作者：Chan Kah Hou;Riddet Craig;Watling Jeremy R.;Asenov Asen
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
21.Impact of Strain Engineering on Nanoscale Ge PMOSFET

机译：应变工程对纳米级葛PMOSFET的影响
- 作者：Hsieh B.-F.;Chang S. T.;Huang M.-H.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
22.An Investigation of Growth and Properties of Si Capping Layers Used in Advanced SiGe/Ge Based pMOS Transistors

机译：基于先行SiGe / GE基于PMOS晶体管的Si封端层的生长和性能研究
- 作者：Hikavyy Andriy;Witters Liesbeth;Mitard Jerome;Vanherlee Wendy;Vandervorst Wilfried;Dekoster Johan;Loo Roger;Caymax Matty
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
23.Characterization of Ge Films on Si(001) Substrates Grown by Nanocontact Epitaxy

机译：纳米接触外延生长的Si（001）基材的GE膜的表征
- 作者：Nakamura Yoshiaki;Ikeda Wataru;Kikkawa Jun;Ichikawa Masakazu;Sakai Akira
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
24.The Optimization of SiGe Hetero-Structure Thin-Film Solar Cell by the Theoretical Calculation and Quantitative Analysis

机译：通过理论计算优化SiGe杂结构薄膜太阳能电池的定量分析
- 作者：Liao M.-H.;Chen Y.-Y.;Chen C.-H.;Chang L.-C;Yang C.;Hsieh C.-F.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
25.High Breakdown Voltage Schottky Gating of Doped Si/SiGe 2DEG Systems Enabled by Suppression of Phosphorus Surface Segregation

机译：通过抑制磷表面偏析实现掺杂Si / SiGe 2DEG系统的高击穿电压肖特基门控
- 作者：Huang Chiao-Ti;Li Jiun-Yun;Sturm James C.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
26.The Effect of Dose of H and He Sequential Implantation in Germanium

机译：H及H HE序列植入锗的效果
- 作者：Dai J. Y.;Jiang H. T.;Di Z. F.;Zhang M.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
27.Fully Relaxed Epitaxial Silicon Germanium on Silicon (001) with Low Threading Dislocation Density by Ion Implantation and Anneal

机译：在硅（001）上完全放松的外延硅锗，通过离子植入和退火带有低螺纹位错密度
- 作者：Liu Jinping;Kasim Johnson;Lee Paul;Chandra Reddy;See Alex;Sudijono John
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
28.Reduced Thermal Conductivity in SiGe Alloy-Based Superlattices for Thermoelectric Applications

机译：用于热电应用的基于SiGe合金的超晶图中的导热系数降低
- 作者：Aksamija Z.;Knezevic I.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
29.Extremely Sharp Phosphorus Turn-Off Slope and Effect of Hydrogen on Phosphorus Surface Segregation in Epitaxially-Grown Relaxed Si0.7Ge0.3 by RTCVD

机译：极尖的磷关断坡度和氢气对外延生长的Si0.7Ge0.3在外延生长的磷表面偏析的影响
- 作者：Li Jiun-Yun;Huang Chiao-Ti;Sturm James C.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
30.Integration of III-V on Si for High-Mobility CMOS

机译：III-V对高流动性CMOS的整合
- 作者：Waldron Niamh;Wang Gang;Nguyen Ngoc Duy;Orzali Tommaso;Merckling Clement;Brammertz Guy;Ong Patrick;Winderickx Gillis;Hellings Geert;Eneman Geert;Caymax Matty;Meuris Marc;Horiguchi Naoto;Thean Aaron
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
31.Valence Subband Structures and Hole Effective Masses of PMOS Inversion Layer in Uniaxial Strained (110) and (111) Silicon Channel

机译：单轴应变（110）和（111）硅通道中的PMOS反转层的价子带结构和孔有效质量
- 作者：Wei Fan Jun;Lin Chung-Yi;Chang Shu-Tong
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
32.Strain Control of Si and Si1-yCy Layers in Si/Si1-yCy/Si(100) Heterostructures

机译：Si / Si1-Ycy / Si（100）异质结构中Si和Si1-Ycy层的应变控制
- 作者：Kikuchi Tomohira;Sakuraba Masao;Costina Ioan;Tillack Bernd;Murota Junichi
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
33.Single-Shot Measurement of One and Two-Electron Spin States in Si/SiGe Gated Quantum Dots

机译：在Si / SiGE门控量子点中的单次和双电子旋转状态的单次测量
- 作者：Eriksson Mark A.;Prance Jon R.;Shi Zhan;Simmons C. B.;Gamble John King;Koh Teck Seng;Savage D. E.;Lagally M. G.;Schreiber L. R.;Vandersypen L. M. K.;Friesen Mark;Joynt Robert;Coppersmith S. N.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
34.Tuning the Germanium TFET: Device Optimization for Maximum Ion

机译：调整锗TFET：最大离子的装置优化
- 作者：Hahnel D.;Fischer I.;Isemann H.;Oehme M.;Schulze J.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
35.SiGe Circuits for THz Applications

机译：用于THz应用程序的SiGe电路
- 作者：Pfeiffer U. R.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
36.Germanium Channel P-Mosfet with TiO2/Al2O3 Bilayer High-K Gate Stacks and Solutions for Metal/TiO2 Interface Stability

机译：锗通道P-MOSFET配有TiO2 / Al2O3双层高k门堆叠和金属/ TiO2接口稳定性的解决方案
- 作者：Zhang Liangliang;Gungi Marika;McIntyre Paul C.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
37.Phosphorus Atomic Layer Doping in Ge Using RPCVD

机译：使用RPCVD在GE中掺杂的磷原子层
- 作者：Yamamoto Yuji;Kurps Rainer;Mai Christian;Costina Ioan;Murota Junichi;Tillack Bernd
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
38.Charge Carrier Traffic at Self-Assembled Ge Quantum Dots on Si

机译：在SI上的自组装GE量子点处的充电载体流量
- 作者：Kaniewska M.;Engstrom O.;Karmous A.;Petersson G.;Kasper E.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
39.The Effect of Ge Condensation on Channel Strain during the Post Annealing Process of Recessed Source/Drain Si1-xGex

机译：晶体源/排水后退火过程中电气凝结对信道应变的影响Si1-Xgex
- 作者：Ko Dae-Hong;Kim Sun-Wook;Koo Sangmo;Jung Mijin;Lee Hoo-Jeong
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
40.Metal-Insulator-Semiconductor Contacts on Ge: Physics and Applications

机译：GE上的金属绝缘体 - 半导体触点：物理和应用
- 作者：Lin J.-Y. Jason;Roy Arunanshu M.;Sun Yun;Saraswat Krishna C.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
41.Enhancement of Phosphorus Dopant Activation and Diffusion Suppression by Fluorine Co-Implant in Epitaxially Grown Germanium

机译：氟共植入外延生长锗的磷掺杂剂活化和扩散抑制的增强
- 作者：Jung Woo-Shik;Nam Ju Hyung;Lin J.-Y. Jason;Ryu Seunghwa;Nainani Aneesh;Saraswat Krishna C.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
42.Process Development toward Enhancement-Mode Strained-Si/SiGe Double Quantum Dot

机译：增强模式的过程开发应变-Si / SiGe Double量子点
- 作者：Lu Tzu-Ming;Bishop Nathaniel C.;Pluym Tammy;Dominguez Jason;Bower John E.;Cederberg Jeffrey;Kotula Paul G.;Tracy Lisa A.;Means Joel;Lilly Michael P.;Carroll Malcolm S.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
43.Selective Epitaxial Phosphorus-Doped SiGe Layers for Short-Channel Effect Reduction

机译：选择性外延磷掺杂SiGe层，减少短信效应
- 作者：Park Jeongwon;Balasubramanian Ramachandran;Jain Amitabh;Riley Deborah;Juneja Harpreet;Kuppurao Satheesh
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
44.Effect of Germanium Concentration on the Dielectric Function of Strained Si1-xGex Films

机译：锗浓度对应变Si1-Xgex膜介电函数的影响
- 作者：Medikonda Manasa;Muthinti Gangadhara R.;Adam Thomas N.;Reznicek Alexander;Paruchuri Vamsi;Diebold Alain C.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
45.High Performance FDSOI MOSFETs and TFETs Using SiGe Channels and Raised Source and Drain

机译：高性能FDSOI MOSFET和TFET使用SIGE通道和凸起源极和排水管
- 作者：Le Royer C.;Villalon A.;Cooper D.;Andrieu F.;Hartmann J.-M.;Perreau P.;Previtali B.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
46.Electrical Characterization of P-Ge1-xSnx/P-Ge and P-Ge1-xSnx/n-Ge Heterostructures by Numerical Simulation of Admittance Spectroscopy

机译：通过进料光谱分析的数值模拟P-GE1-XSNX / P-GE和P-GE1-XSNX / N-GE异质结构的电气表征
- 作者：Baert Bruno;Truong Dao Y Nhi;Nakatsuka Osamu;Zaima Shigeaki;Nguyen Ngoc Duy
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
47.Upper Limit of Two-Dimensional Hole Gas Mobility in Ge/SiGe Heterostructures

机译：Ge / SiGe异质结构中二维空气迁移率的上限
- 作者：Tanaka Takahisa;Hoshi Yusuke;Sawano Kentarou;Shiraki Yasuhiro;Itoh Kohei M.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
48.A Study on the Static and Dynamic Behavior of the Germanium Electron-Hole Bilayer Tunnel FET: Perspectives for 0.25 V Supply Voltage Applications

机译：锗电子孔双层隧道FET的静态和动态行为研究：0.25 V电源电压应用的透视图
- 作者：Lattanzio Livio;Dagtekin Nilay;De Michielis Luca;Ionescu Adrian M.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
49.Material Properties and Applications of Ge1-xSnx Alloys for Ge Nanoelectronics

机译：GE1-XSNX合金对GE纳米电子的材料性质及应用
- 作者：Nakatsuka Osamu;Shimura Yosuke;Takeuchi Wakana;Taoka Noriyuki;Zaima Shigeaki
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
50.Stability of Tensile-Strained Ge Studied by Transmission Electron Microscopy

机译：通过透射电子显微镜研究拉伸应力GE的稳定性
- 作者：Qi Meng;OBrien William A.;Stephenson Chad A.;Cao Ning;Thibeault Brian J.;Wistey Mark A.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
51.Demonstration of Electroluminescence from Strained Ge Membrane LED

机译：应变GE膜LED的电致发光示范
- 作者：Nam Donguk;Sukhdeo David;Cheng Szu-Lin;Huang Kevin Chih-Yao;Brongersma Mark;Nishi Yoshio;Saraswat Krishna
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
52.Ultra-High Hall Mobility (1 x 106 cm2V-1S-1) in a Two-Dimensional Hole Gas in a Strained Germanium Quantum Well Grown by Reduced Pressure CVD

机译：超高霍尔迁移率（1×106cm2v-1s-1）在紧压CVD减压锗量子中的二维空气气体中
- 作者：Dobbie Andy;Myronov Maksym;Morris Richard J. H.;Prest Martin J.;Richardson-Bullock James S.;Hassan Amna H. A. H.;Shah Vishal A.;Parker Evan H. C.;Whall Terry E.;Leadley David R.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
53.SiGe Nanoring Formation

机译：Sig E nano ring formation
- 作者：Tu Wen-Hsien;Huang S.-H.;Liu C. W.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
54.Mushroom-Free Selective Epitaxial Growth of Si, SiGe and SiGe:B Raised Sources and Drains on FD-SOI MOSFETs

机译：Si，SiGe和SiGe的自由蘑菇选择性外延生长：B凸起的FD-SOI MOSFET上的源和排水管
- 作者：Hartmann J. M.;Benevent V.;Barnes J. P.;Veillerot M.;Lafond D.;Damlencourt J. F.;Loubet N.;Dutartre D.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
55.Tensile Strained Ge Layers Obtained via a Si-CMOS Compatible Approach

机译：通过Si-CMOS兼容方法获得的拉伸应变GE层
- 作者：Capellini Giovanni;Kozlowski Grzegorz;Yamamoto Yuji;Lisker Marko;Schroeder Thomas;Ghrib Abdelhamid;de Kersauson Malo;El Kurdi Moustafa;Boucaud Philippe;Tillack Bernd
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
56.Epitaxial Growth and Anisotropic Strain Relaxation of Ge1-xSnx Layers on Ge(110) Substrates

机译：GE（110）基板上GE1-XSNX层的外延生长和各向异性应变松弛
- 作者：Asano Takanori;Shimura Yosuke;Taoka Noriyuki;Nakatsuka Osamu;Zaima Shigeaki
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
57.Recent Progress of Germanium Gate Stack Technology

机译：锗门堆栈技术的最新进展
- 作者：Toriumi Akira;Lee Choong Hyun;Tabata Toshiyuki;Wang Shengkai;Zhao Dandan;Nishimura Tomonori;Kita Koji;Nagashio Kosuke
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
58.The Effect of Gate Length on Channel Strain of Recessed Source/Drain Si1-xCx

机译：栅极长度对凹陷源/漏极沟道应变的影响Si1-XCx
- 作者：Ko Dae-Hong;Kim Sun-Wook;Byeon Dae-Seop;Koo Sangmo;Jung Mijin;Chopra Saurabh;Kim Yihwan;Lee Hoo-Jeong
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
59.Low-Contact-Resistivity Nickel Germanide Contacts on n+Ge with Phosphorus/Antimony Co-Doping and Schottky Barrier Height Lowering

机译：低接触式电阻率镍锗interded in + ge与磷/锑共掺杂和肖特基势垒高度降低
- 作者：Yang Bin;Lin J.-Y. Jason;Gupta Suyog;Roy Arunanshu;Liang Shurong;Maszara W. P.;Nishi Yoshio;Saraswat Krishna
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
60.Strain Engineering of Ultra-Thin Silicon-on-Insulator Structures Using Ion Implant

机译：使用离子植入物的超薄硅式绝缘子结构的应变工程
- 作者：Ding Yinjie;Cheng Ran;Zhou Qian;Du Anyan;Daval Nicolas;Nguyen Bich-Yen;Yeo Yee-Chia
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
61.Si1-xGex Nanowire Arrays for Thermoelectric Power Generation

机译：用于热电发电的Si1-XGex纳米线阵列
- 作者：Xu Bin;Li Chuanbo;Myronov Maksym;Durrani Z. A. K.;Fobelets Kristel
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
62.Two-Dimensional Analytical Model of Hetero Strained Ge/Strained Si TFET

机译：异质应变葛/紧张Si TFET的二维分析模型
- 作者：Cui Ning;Liang Renrong;Wang Jing;Xu Jun
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
63.(NH4)2S Passivation for High Mobility Germanium-Tin (GeSn) p-MOSFETs

机译：（NH4）2S高迁移率锗 - 锡（GESN）P-MOSFET的钝化
- 作者：Wang Lanxiang;Su Shaojian;Wang Wei;Gong Xiao;Yang Yue;Guo Pengfei;Zhang Guangze;Xue Chunlai;Cheng Buwen;Han Genquan;Yeo Yee-Chia
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
64.0.8nm EOT and High Hole Mobility of Ge P-MISFETs Using HfAlO/GeOx/Ge Gate Stacks Formed by Plasma Oxidation and Atomic Layer Deposition

机译：通过等离子体氧化和原子层沉积形成的Hfalo / Geox / Ge栅极堆叠0.8nm的EOT和高孔迁移率。
- 作者：Kamimuta Yuuichi;Ikeda Keiji;Oda Minoru;Moriyama Yoshihiko;Tezuka Tsutomu
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
65.Effect of Gate Metal Electrode on Chemical Bonding State in Metal/Pr-Oxide/Ge Gate Stack Structure

机译：栅极金属电极对金属/ PR氧化物/ GE栅极堆叠结构中化学粘接状态的影响
- 作者：Kato Kimihiko;Sakashita Mitsuo;Takeuchi Wakana;Taoka Noriyuki;Nakatsuka Osamu;Zaima Shigeaki
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
66.Characterization of Anisotropic Strain Relaxation after Mesa Isolation for Strained SGOI and SiGe/Si Structure with Newly Developed High-NA and Oil-Immersion Raman Method

机译：具有新开发的高Na和油浸式拉曼法的阶段分离术后各向异性应变弛豫的表征和SiGE / Si结构
- 作者：Usuda Koji;Kosemura Daisuke;Tomita Motohiro;Ogura Atsushi;Tezuka Tsutomu
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
67.Epitaxial Growth of Tensile Strained SiB Alloy on a Si Substrate

机译：Si衬底上拉伸应变Sib合金的外延生长
- 作者：Myronov Maksym;Shah Vishal A.;Rhead Stephen;Leadley David R.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
68.Band-Edge Electronic States, and Pre-Existing Defects in Remote Plasma Deposited (RPD) GeO2 and SiO2

机译：带边的电子状态，以及远程等离子体沉积的预先存在的缺陷（RPD）Geo2和SiO2
- 作者：Lucovsky Gerald;Wu Kun;Whitten Jerry L.;Papas Brian
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
69.First-Principles Study of GeO2/Ge Interfacial Traps and Oxide Defects

机译：GEO2 / GE界面陷阱和氧化物缺陷的第一原理研究
- 作者：Lu Shang-Chun;Chang Hung-Chih;Chou Tien-Pei;Liu Cheewee
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
70.Reabsorption Effects of Direct Band Emission of Ge

机译：GE直接频带排放的重吸收效应
- 作者：Chen Y.-Y.;Nien Y.-H.;Chi Y.-H.;Liu C. W.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
71.Simple Fabrication of Suspended Germanium Structures and Their Electrical Properties from High Quality Ge on Si(001) Layers

机译：简单地制造悬浮的锗结构及其在Si（001）层上高质量Ge的电气性能
- 作者：Shah Vishal A.;Myronov Maksym;Wongwanitwatana Chalermwat;Morris Richard J. H.;Prest Martin J.;Richardson-Bullock James;Parker Evan H. C.;Whall Terry E.;Leadley David R.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
72.Room-Temperature Electroluminescence from Tensile Strained Double-Heterojunction Ge Pin LEDs on Si Substrates

机译：Si基板上拉伸应变双异相结合GE引脚LED的室温电致发光
- 作者：Kaschel Mathias;Schmid Marc;Gollhofer Martin;Werner Jens;Oehme Michael;Schulze Jorg
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
73.Understanding the Role of the Low Temperature Seed Layer in the Growth of Low Defect Relaxed Germanium Layers on (111) Silicon by Reduced Pressure CVD

机译：通过减压CVD了解低温种子层在（111）硅的低缺陷松弛锗层生长中的作用
- 作者：Nguyen Van Huy;Dobbie A.;Myronov M.;Leadley D. R.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
74.Epitaxial Growth of Si/Si1-xGex Films on Corrugated Substrates for Improved pMOSFET Performance

机译：瓦楞基底上Si / Si1-XGex薄膜的外延生长，提高PMOSFET性能
- 作者：Chopra Saurabh;Tran Vinh;Wood Bingxi;Ho Byron;Kim Yihwan;Chang C. P.;Kuppurao Satheesh;Liu Tsu-Jae King
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
75.Ge/SiGe Multiple Quantum Well Optoelectronic Devices for Silicon Photonics

机译：用于硅光子的Ge / Sige多量子井光电器件
- 作者：Chaisakul Papichaya;Marris-Morini Delphine;Rouifed Mohamed-Said;Isella Giovanni;Chrastina Daniel;Frigerio Jacopo;Le Roux Xavier;Edmond Samson;Coudevylle Jean-Rene;Vivien Laurent
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
76.CMOS-Compatible Plasmon Propagation and Detection in Vertical Si and Ge p-i-n Diodes

机译：垂直Si和Ge P-I-N二极管中的CMOS兼容的等离子体传播和检测
- 作者：Fischer I. A.;Esslinger M.;Vogelgesang R.;Wu J.-L.;Schulze J.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
77.Growth of High Power Ge p-i-n Detectors

机译：高功率GE P-I-N检测器的生长
- 作者：Thompson Phillip E.;Davidson III Anthony;Twigg Mark;Boos J. Brad;Park Doe;Tulchinsky David
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
78.200-mm CVD Grown Si/SiGe Resonant Interband Tunnel Diodes Optimized for High Peak-to-Valley Current Ratios

机译：200毫米CVD种植SI / SIGE共振中间带隧道二极管针对高峰谷电流比优化
- 作者：Ramesh Anisha;Berger Paul R.;Douhard Bastien;Vandervorst Wilfried;Loo Roger
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
79.Relaxed Germanium on Porous Silicon Substrates

机译：在多孔硅基板上的轻松锗
- 作者：Wietler Tobias F.;Rugeramigabo Eddy P.;Bugiel Eberhard;Rojas Enrique Garralaga
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
80.Efficient Si3H8 Based Deposition Process Suitable for High Throughput Cl2 Based SiCP/SiP Cyclic Deposition and Etch Processes

机译：基于高吞吐量CL2的基于高通量CL2的SICP / SIP循环沉积和蚀刻工艺的高效Si3H8沉积工艺
- 作者：Bauer Matthias;Goodman Matthew G.;Bartlett Gregory M.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
81.Very Low Temperature Reduced Pressure - Chemical Vapour Deposition of SiGe, Si1-yCy and Si:P Layers: Silane versus Disilane

机译：非常低的温度降低压力 - SiGe，Si1-Ycy和Si：P层的化学气相沉积：P层：硅烷与硅烷值
- 作者：Hartmann J. M.;Benevent V.;Deguet C.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
82.Nano-Cleaning of Ge(100) Surface: A STM Study

机译：纳米清洁GE（100）表面：STM研究
- 作者：Kiantaj Kiarash;Osborn Tobin Kaufman;Kummel Andrew C.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
83.Selective Epitaxial Germanium Growth on Silicon - Trench Fill and In Situ Doping

机译：在硅 - 沟槽填充和原位掺杂的选择性外延锗生长
- 作者：Huang Yi-Chiau;Li Jiping;Jin Miao;Wood Bingxi;Sanchez Errol;Kim Yihwan
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
84.Enhancement-Mode Buried Strained Silicon Channel Double Quantum Dot with Integrated Electrometer

机译：增强模式埋地应变硅通道双量子点，具有集成电计
- 作者：Bishop Nathaniel;Lu TzuMing;Pluym Tammy;Means Joel;Kotula Paul;Cederberg Jefferey;Tracy Lisa;Dominguez Jason;Lilly Michael;Carroll Malcolm
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
85.High-#x003BA; Gate Dielectrics for Ge CMOS and Related Memory Devices

机译：高 - ＆＃x003ba; GE CMOS和相关存储器件的栅极电介质
- 作者：Chin Albert;Chen P. C.;Cheng C. H.;Wu Y. H.;Liu X. Y.;Kang J. F.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
86.14 nm FinFET Stress Engineering with Epitaxial SiGe Source/Drain

机译：具有外延SiGe源/排水的14个NM FinFET应力工程
- 作者：Choi Munkang;Moroz Victor;Smith Lee;Penzin Oleg
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
87.Improvement Effect of Electrical Properties in Post-Annealed Wafer-Bonded Ge(001)-OI Substrate

机译：电气性能在退火后晶片键合GE（001）-OI衬底的改善效果
- 作者：Yamasaka Shuto;Nakamura Yoshiaki;Yoshitake Osamu;Kikkawa Jun;Izunome Koji;Sakai Akira
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
88.Optical Properties of Ge1-xSnx Epitaxial Layers with Very High Sn Contents

机译：具有非常高的SN内容的GE1-XSNX外延层的光学特性
- 作者：Nakamura M.;Shimura Y.;Takeuchi W.;Taoka N.;Nakatsuka O.;Zaima S.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
89.Benchmarking of Novel Contact Architectures on Silicon and Germanium

机译：硅和锗的新型联系架构的基准
- 作者：Ahmed Khaled;Chopra Saurabh;Agrawal Ashish;Datta Suman
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
90.Study of Electron Transport Characteristics through Self-Aligned Si-Based Quantum Dots

机译：通过自对准Si基量子点研究电子传输特性
- 作者：Makihara Katsunori;Liu Chong;Ikeda Mitsuhisa;Miyazaki Seiichi
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
91.NMOS Epitaxy - Defect Free and Low Resistivity Films

机译：NMOS外延 - 无缺陷和低电阻率薄膜
- 作者：Ishii Masato;Li Xuebin;Kim Yihwan;Ramachandran Balasubramanian
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
92.Uniaxially Strained Ge-Rich SiGe Nanowire Channel Technology for High-Performance CMOS

机译：高性能CMOS的单轴紧张的GE富含SiGe纳米线通道技术
- 作者：Ikeda Keiji;Oda Minoru;Irisawa Toshifumi;Kamimuta Yuuichi;Moriyama Yoshihiko;Tezuka Tsutomu
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
93.Highly-Crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 VHF-ICP - Crystalline Nucleation Initiated by Ni-Nanodots

机译：高度结晶的GE：H薄膜生长来自GEH4 VHF-ICP - 结晶核酸核，由Ni-Nanodots引发
- 作者：Makihara Katsunori;Gao Jin;Sakaike Kouhei;Hayashi Syohei;Deki Hidenori;Ikeda Mitsuhisa;Higashi Seiichiro;Miyazaki Seiichi
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年
94.Si Tunneling Field Effect Transistor with Tunnelling In-Line with the Gate Field

机译：SI隧道场效应晶体管，隧道与栅极字段
- 作者：Fischer I. A.;Hahnel D.;Isemann H.;Kottantharayil A.;Murali G.;Oehme M.;Schulze J.
- 会议名称：《International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting》 | 2012年