机译:在GE / Si衬底(001)上生长的量子纱线(001)中刺激indaas / IngaAsp变质结构中的波长的辐射。
机译:在Ge / Si(001)衬底上生长的量子孔,在变质InGaAs / InGaASP结构中产生的刺激发射。
机译:利用静水压研究1.3μmInGaAsP激光器中大光损失与俄歇复合的耦合
机译:InGaAsP-InP压缩应变MQW脊形波导激光器在1.3 / spl mu / m时的效率和损耗的阱数,长度和温度依赖性
机译:GSMBE对压缩紧张和应变补偿的生长和压制的压缩性孔隙/ INGAASP量子阱进行1.3mum波长激光器
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:在低温和室温下高压下测量的1.3μmInGaAsP和1.5μmInGaAs量子阱激光器的辐射和俄歇复合
机译:高功率脉冲操作加宽波导1.5 m InGaasp / Inp mQW激光器的设计与实现