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蒋最敏; 姜晓明; 等;
复旦大学应用表面物理国家重点实验室;
上海200433;
中科院高能所;
同步辐射实验室;
北京100039;
Si(001)衬底; 自组织生长; Ge; 量子点; 组分; 应变; 硅衬底; 锗; 半导体; 同步辐射掠入射; X射线衍射;
机译:亚单层C覆盖引起的Si(001)衬底上Ge量子点的自组织生长
机译:在稀薄的Si_(0.4)Ge_(0.6)/ LT-Si_(0.4)Ge_(0.6)/ Si(001)虚拟衬底上生长的应变Ge量子阱中的高迁移率空穴
机译:在Si(001)衬底上通过混合外延生长的松弛SiGe梯度缓冲液上的应变Ge-SiGe异质结构的XRD分析
机译:Si(001)上生长的GeSn虚拟衬底上应变Ge的发光
机译:通过分子束外延生长在非平面图案化砷化镓(001)衬底上进行无应变和应变半导体纳米结构的制造。
机译:纳米断层扫描技术在坑式Si(001)衬底上生长的SiGe岛中的合金化和应变松弛
机译:Ge(si)(001)虚拟衬底上si(001)和Insb上si1-xGex和Ge缓冲层的应变弛豫研究。
机译:si(001)衬底上生长的假晶si1-xGex合金的空穴传输理论。
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:通过Si衬底上的分子束外延形成的Sigesn虚拟基板,用于GESN的应变生长
机译:在同一衬底上形成拉伸应变的SiGe鳍片和压缩应变的SiGe鳍片的方法和结构
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