低温双离子束溅射Ge/Si多层膜自组织Ge量子点的制备方法

摘要

本发明提供一种低温双离子束溅射Ge/Si多层膜自组织Ge量子点的制备方法，使用氩(Ar)气作为工作气体，包括两个离子束溅射枪，其特征在于在工作室本底真空压强小于3.0×10^-4Pa，基片温度为200℃～400℃，工作气体(Ar)真空度为1.0×10^-2Pa～4.0×10^-2Pa的条件下，用双离子束溅射技术在硅(Si)基底材料上交替溅射沉积Si空间层和Ge量子点层。它利用前一层Ge量子点所产生的表面应变势场作用，实现后续层Ge量子点的有序生长，提高了薄膜表面平整度和成膜质量，获得了高密度、尺寸均匀、能满足量子尺寸效应的Ge/Si多层膜自组织Ge量子点，解决了与集成电路工艺技术相兼容的问题，且生产成本低，易于工业化规模生产。