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离子束溅射Si/Ge多层膜的界面结构研究

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摘要

采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品.通过Raman光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析,发现随着生长周期数的增加,层与层之间的互扩散效应逐渐减弱,界面结构逐渐清晰,生长周期为25的样品界面最平整.

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来源
《第六届中国功能材料及其应用学术会议》|2007年|4075-4077|共3页
会议地点武汉
作者
陈寒娴; 杨瑞东; 邓荣斌; 秦芳; 王茺; 杨宇;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国物理学会;

中国光学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
超晶格材料; Si/Ge多层膜; 界面结构; 离子束溅射;

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