公开/公告号CN104617166B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州苏纳光电有限公司;
申请/专利号CN201510031344.3
申请日2015-01-22
分类号
代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人王锋
地址 215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼109C单元
入库时间 2022-08-23 09:52:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-01
授权
授权
2015-06-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0304 申请日:20150122
实质审查的生效
2015-05-13
公开
公开
机译: 在Si衬底上生长的InGaAs膜及其制备方法
机译: 在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法
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