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机译:基于物理的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的紧凑型直流和交流模型
VOLTAGE CHARACTERISTICS; ANALYTIC MODEL; WURTZITE GAN; FIELD; CAPACITANCE; TRANSPORT;
机译:基于物理的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的紧凑型直流和交流模型
机译:AlGaN / GaN纳米线沟道高电子迁移率晶体管基于物理的阈值电压模型
机译:钝化的AlGaN / GaN / Si高电子迁移率晶体管的直流和射频特性
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的紧凑型直流电和电容模型
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:0.1μmAlgan/ GaN高电子迁移率(HEMTS)工艺的改进的大信号模型及其在W频段中实际单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。