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2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.
2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.
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1.
Compact Integration of Sub-Harmonic Resistive Mixer with Differential Double Slot Antenna in G-Band Using 50nm InP-HEMT MMIC Process
机译:
使用50nm InP-HEMT MMIC工艺将亚谐波电阻混频器与差分双缝隙天线在G频段中紧凑集成
作者:
Karandikar Yogesh
;
Zirath Herbert
;
Yan Yu
;
Vassilev Vessen
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
2.
InP HBT/Si CMOS-Based 13-Bit 1.33Gsps Digital-to-Analog Converter with >70 dB SFDR
机译:
基于InP HBT / Si CMOS的13位1.33Gsps数模转换器,SFDR> 70 dB
作者:
Oyama B.
;
Ching D.
;
Thai K.
;
Gutierrez-Aitken A.
;
Cohen N.
;
Scott D.
;
Hennig K.
;
Kaneshiro E.
;
Nam P.
;
Chen J.
;
Chang-Chien P.
;
Patel V. J.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
3.
Deeply-Scaled E/D-Mode GaN-HEMTs for Sub-mm-Wave Amplifiers and Mixed-Signal Applications
机译:
适用于亚毫米波放大器和混合信号应用的深尺度E / D模式GaN-HEMT
作者:
Shinohara K.
;
Regan D.
;
Corrion A.
;
Brown D.
;
Lee V.
;
Asbeck P. M.
;
Alvarado-Rodoriguez I.
;
Cunningham M.
;
Butler C.
;
Schmitz A.
;
Kim S.
;
Holden B.
;
Chang D.
;
Margomenos A.
;
Micovic M.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
4.
A 22.4 dBm Two-Way Wilkinson Power-Combined Q-Band SiGe Class-E Power Amplifier with 23 Peak PAE
机译:
具有2%峰值PAE的22.4 dBm两路Wilkinson功率组合Q波段SiGe E类功率放大器
作者:
Datta Kunal
;
Roderick Jonathan
;
Hashemi Hossein
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
5.
60-GHz CMOS Direct-Conversion Transceiver Using Injection-Lock Oscillators
机译:
使用注入锁定振荡器的60 GHz CMOS直接转换收发器
作者:
Okada Kenichi
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
6.
A Compact 70 Watt Power Amplifier MMIC Utilizing S-Band GaN on SiC HEMT Process
机译:
在SiC HEMT工艺上利用S波段GaN的紧凑型70瓦功率放大器MMIC
作者:
Chen Shuoqi
;
Reese Elias
;
Nguyen Tuong
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
7.
Photonics-Electronics Convergence System for High Density Inter-Chip Interconnects by Using Silicon Photonics
机译:
利用硅光子技术实现高密度芯片间互连的光子电子收敛系统
作者:
Urino Yutaka
;
Horikawa Tsuyoshi
;
Nakamura Takahiro
;
Arakawa Yasuhiko
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
8.
A Non Linear Electrothermal Model of AlGaN/GaN HEMT for Switch Applications
机译:
开关应用中AlGaN / GaN HEMT的非线性电热模型
作者:
Charbonniaud C.
;
Xiong A.
;
Dellier S.
;
Gasseling T.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
9.
A Fundamental Frequency 143-152 GHz Radar Transceiver with Built-In Calibration and Self-Test
机译:
具有内置校准和自测功能的143-152 GHz基本频率雷达收发器
作者:
Sarkas Ioannis
;
Girma Mekdes Gebresilassie
;
Hasch Juergen
;
Zwick Thomas
;
Voinigescu Sorin P.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
10.
DARPA's Microscale Power Conversion Program
机译:
DARPA的微型功率转换程序
作者:
Albrecht John D.
;
Kane Avinash
;
Chang Tsu-Hsi
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
11.
A 1.8 V SiGe BiCMOS Cable Equalizer with 40-dB Peaking Control up to 60 GHz
机译:
具有40dB峰值控制,高达60GHz的1.8V SiGe BiCMOS电缆均衡器
作者:
Sarkas Ioannis
;
Voinigescu Sorin P.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
12.
100 Gb/s Optical DP-QPSK Using Two Surface Mount Dual Channel Modulator Drivers
机译:
使用两个表面贴装双通道调制器驱动器的100 Gb / s光学DP-QPSK
作者:
Steinbeiser Craig
;
Dinh Khiem
;
Chiu Anthony
;
Coutant Matt
;
Krutko Oleh
;
Tessaro Mike
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
13.
SiGe BiCMOS Technologies for Applications above 100 GHz
机译:
适用于100 GHz以上应用的SiGe BiCMOS技术
作者:
Rücker H.
;
Heinemann B.
;
Fox A.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
14.
Short-Millimeter-Wave CMOS Design for Ultrahigh-Speed Wireless Communication
机译:
用于超高速无线通信的短毫米波CMOS设计
作者:
Fujishima Minoru
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
15.
160W InAlN/GaN HEMTs Amplifier at 2 GHz with Optimized Thermal Management
机译:
具有优化的热管理的2 GHz 160W InAlN / GaN HEMT放大器
作者:
Piotrowicz S.
;
Jardel O.
;
Jacquet J.-C.
;
Lancereau D.
;
Aubry R.
;
Morvan E.
;
Sarazin N.
;
Dufraisse J.
;
Dua C.
;
Oualli M.
;
Chartier E.
;
Poisson M. A. Di-Forte
;
Gaquière C.
;
Delage S. L.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
16.
160-270-GHz InP HEMT MMIC Low-Noise Amplifiers
机译:
160-270 GHz InP HEMT MMIC低噪声放大器
作者:
Varonen M.
;
Larkoski P.
;
Fung A.
;
Samoska L.
;
Kangaslahti P.
;
Gaier T.
;
Lai R.
;
Sarkozy S.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
17.
Multi-Gate pHEMT Modeling for Switch Applications
机译:
用于交换机应用的多门pHEMT建模
作者:
Wei Ce-Jun
;
Yin Hong
;
Klimashov Olesky
;
Zhu Yu
;
Bartle Dylan
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
18.
A High-Efficiency Class F MMIC Power Amplifier at 4.0 GHz Using AlGaN/GaN HEMT Technology
机译:
使用AlGaN / GaN HEMT技术的4.0 GHz高效F类MMIC功率放大器
作者:
Zomorrodian Valiallah
;
Mishra Umesh K.
;
York Robert A.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
19.
Prospects for a BiCFET III-V HBT Process
机译:
BiCFET III-V HBT工艺的前景
作者:
Zampardi Peter J.
;
Sun Mike
;
Cismaru Cristian
;
Li Jiang
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
20.
Optoelectronic Chip Based on a Laser Integrated with a Thermoelectrophotonic Heat Pump
机译:
基于激光与热电光子热泵集成的光电芯片
作者:
Liu X.
;
Zhao G.
;
Zhang Y.
;
Deppe D. G.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
21.
Landing Radar Technology at the Jet Propulsion Laboratory: Mars Science Laboratory and Beyond
机译:
喷气推进实验室的着陆雷达技术:火星科学实验室及其他
作者:
Pollard Brian D.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
22.
A 220 GHz InP HBT Solid-State Power Amplifier MMIC with 90mW POUT at 8.2dB Compressed Gain
机译:
具有90mW POUT且具有8.2dB压缩增益的220 GHz InP HBT固态功率放大器MMIC
作者:
Reed Thomas B.
;
Rodwell Mark
;
Griffith Zach
;
Rowell Petra
;
Young Adam
;
Urteaga Miguel
;
Field Mark
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
23.
Dual-Output Stacked Class-EE Power Amplifiers in 45nm SOI CMOS for Q-Band Applications
机译:
适用于Q波段应用的45nm SOI CMOS双输出堆叠EE类功率放大器
作者:
Chakrabarti Anandaroop
;
Sharma Jahnavi
;
Krishnaswamy Harish
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
24.
GaN HEMT Junction Temperature Dependence on Diamond Substrate Anisotropy and Thermal Boundary Resistance
机译:
GaN HEMT结温度取决于金刚石衬底各向异性和热边界电阻
作者:
Nochetto Horacio C.
;
Jankowski Nicholas R.
;
Bar-Cohen Avram
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
25.
A High IIP3, 50 GSamples/s Track and Hold Amplifier in 0.25 µm InP HBT Technology
机译:
采用0.25 µm InP HBT技术的高IIP3、50 GSamples / s跟踪和保持放大器
作者:
Daneshgar Saeid
;
Griffith Zach
;
Rodwell Mark J. W.
会议名称:
《》
|
2012年
26.
A Highly Efficient 0.2 THz Varactor-Less VCO with -7 dBm Output Power in 130nm SiGe
机译:
在130nm SiGe上具有-7dBm输出功率的高效0.2THz变容二极管
作者:
Chiang Pei-Yuan
;
Momeni Omeed
;
Heydari Payam
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
27.
A 60 GHz Variable Gain Amplifier with a Low Phase Imbalance in 0.18 μm SiGe BiCMOS Technology
机译:
具有0.18μmSiGe BiCMOS技术的低相位失衡的60 GHz可变增益放大器
作者:
Byeon Chul Woo
;
Song In Sang
;
Cho Seong Jun
;
Kim Hong Yi
;
Lee Chaejun
;
Park Chul Soon
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
28.
A High Gain 600 GHz Amplifier TMIC Using 35 nm Metamorphic HEMT Technology
机译:
采用35 nm变形HEMT技术的高增益600 GHz放大器TMIC
作者:
Tessmann A.
;
Leuther A.
;
Massler H.
;
Seelmann-Eggebert M.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
29.
Degradation Characteristics of High-Voltage AlGaN/GaN-on-Si Heterostructure FETs under DC Stress
机译:
直流应力下高压AlGaN / GaN-on-Si异质结构FET的退化特性
作者:
Choi Shinhyuk
;
Lee Jae-Gil
;
Yoon Hoonsang
;
Cha Ho-Young
;
Kim Hyungtak
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
30.
Determination of the Reliability of AlGaN/GaN HEMTs through Trap Detection Using Optical Pumping
机译:
通过光泵浦的陷阱检测确定AlGaN / GaN HEMT的可靠性
作者:
Cheney David
;
Deist Rick
;
Navales Jennilee
;
Gila Brent
;
Ren Fan
;
Pearton Stephen
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
31.
High-Speed InP-Based Mach-Zehnder Modulator for Advanced Modulation Formats
机译:
用于高级调制格式的基于InP的高速Mach-Zehnder调制器
作者:
Kikuchi Nobuhiro
;
Yamada Eiichi
;
Shibata Yasuo
;
Ishii Hiroyuki
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
32.
Doherty Power Amplifier Design in Gallium Nitride Technology Using a Nonlinear Vector Network Analyzer and X-Parameters
机译:
使用非线性矢量网络分析仪和X参数的氮化镓技术中的Doherty功率放大器设计
作者:
Nielsen T. S.
;
Dieudonne M.
;
Gillease C.
;
Root D. E.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
33.
F-Band Bidirectional Amplifier Using 75-nm InP HEMTs
机译:
使用75 nm InP HEMT的F波段双向放大器
作者:
Shiba Shoichi
;
Sato Masaru
;
Suzuki Toshihide
;
Nakasha Yasuhiro
;
Takahashi Tsuyoshi
;
Makiyama Kozo
;
Hara Naoki
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
34.
Simulation Study and Reduction of Reverse Gate Leakage Current for GaN HEMTs
机译:
GaN HEMT反向栅极漏电流的仿真研究及降低
作者:
Yamaguchi Y.
;
Hayashi K.
;
Oishi T.
;
Otsuka H.
;
Nanjo T.
;
Yamanaka K.
;
Nakayama M.
;
Miyamoto Y.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
35.
An S-Band GaN on Si High Power Amplifier with 170W Output Power and 70 Drain Efficiency
机译:
具有170W输出功率和70%漏极效率的S波段GaN硅高功率放大器
作者:
Kosaka N.
;
Uchida H.
;
Noto H.
;
Yamanaka K.
;
Nakayama M.
;
Kanaya K.
;
Nogami Y.
;
Inoue A.
;
Hirano Y.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
36.
THz Indium Phosphide Bipolar Transistor Technology
机译:
太赫兹磷化铟双极晶体管技术
作者:
Rodwell M. J. W.
;
Rode J.
;
Chiang H. W.
;
Choudhary P.
;
Reed T.
;
Bloch E.
;
Danesgar S.
;
Park H.-C.
;
Gossard A. C.
;
Thibeault B. J.
;
Mitchell W.
;
Urteaga M.
;
Griffith Z.
;
Hacker J.
;
Seo M.
;
Brar B.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
37.
Engineering Design of a near Junction Thermal Transport Heat Spreader
机译:
近结热传输散热器的工程设计
作者:
Mandrusiak Gary
;
Weaver Stanton
;
Lin David
;
Browne Eric
;
Vetury Ramakrishna
;
Aimi Marco
;
Boomhower Oliver
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
38.
Performance of InP/GaAsSb DHBTs Planarized with Teflon AF Compared to DHBTs with Airbridge Interconnects
机译:
铁氟龙AF平面化的InP / GaAsSb DHBT的性能与空气桥互连的DHBT的性能
作者:
Lövblom R.
;
Flückiger R.
;
Alexandrova M.
;
Bolognesi C. R.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
39.
Scaling of SiGe BiCMOS Technologies for Applications above 100 GHz
机译:
用于100 GHz以上应用的SiGe BiCMOS技术的扩展
作者:
Chevalier P.
;
Lacave T.
;
Canderle E.
;
Pottrain A.
;
Carminati Y.
;
Rosa J.
;
Pourchon F.
;
Derrier N.
;
Avenier G.
;
Montagné A.
;
Balteanu A.
;
Dacquay E.
;
Sarkas I.
;
Céli D.
;
Gloria D.
;
Gaquière C.
;
Voinigescu S. P.
;
Chantre A.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
40.
Toward Millimeter-Wave DACs: Challenges and Opportunities
机译:
迈向毫米波DAC:挑战与机遇
作者:
Khalil W.
;
Wilson J.
;
Dupaix B.
;
Balasubramanian S.
;
Creech G. L.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
41.
Highly Linear Gallium Nitride MMIC LNAs
机译:
高度线性的氮化镓MMIC LNA
作者:
Axelsson Olle
;
Andersson Kristoffer
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
42.
High Performance Ka-Band VPIN Limiters
机译:
高性能Ka频段VPIN限制器
作者:
Santhakumar Raj
;
Allen Don
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
43.
Adaptability of a 280 GHz SiGe BiCMOS Process for High Frequency Commercial Applications
机译:
280 GHz SiGe BiCMOS工艺对高频商业应用的适应性
作者:
Preisler E.
;
Zheng J.
;
Chaudhry S.
;
Yan Z.
;
Booth R.
;
Qamar M.
;
Racanelli M.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
44.
Highly Integrated E-Band Direct Conversion Receiver
机译:
高度集成的E波段直接转换接收器
作者:
Ferndahl Mattias
;
Gavell Marcus
;
Abbasi Morteza
;
Zirath Herbert
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
|
2012年
45.
Modeling of FET Switches
机译:
FET开关建模
作者:
Kharabi Faramarz
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
46.
A High Efficiency 780 MHz GaN Envelope Tracking Power Amplifier
机译:
高效的780 MHz GaN包络跟踪功率放大器
作者:
Yan Jonmei J.
;
Theilmann Paul
;
Kimball Donald F.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
47.
Temperature Dependent Thermal Resistances at GaN-Substrate Interfaces in GaN Composite Substrates
机译:
GaN复合衬底中GaN-衬底界面处的温度相关热阻
作者:
Cho Jungwan
;
Li Yiyang
;
Altman David H.
;
Hoke William E.
;
Asheghi Mehdi
;
Goodson Kenneth E.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
48.
PHEMT-Based Ultrawideband Low Noise Amplifier with Room-Cryogenic Temperature Operability
机译:
具有室温温度可操作性的基于PHEMT的超宽带低噪声放大器
作者:
Vemuri Hari
;
Velicu Silviu
;
Gilmore Angelo Scotty
;
Grein Christoph
;
Mattamana Aji
;
Quach Tony
;
Orlando Pompeii
;
Campbell Charles
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
49.
MMICs and Remote Sensing Science Instruments - A Technology Success Story
机译:
MMIC和遥感科学仪器-技术成功案例
作者:
Gaier Todd C.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
50.
A Watt-Class Digital Transmitter with a Voltage-Mode Class-S Power Amplifier and an Envelope Delta-Sigma Modulator for 450 MHz Band
机译:
瓦特级数字发射机,带有电压模式S类功率放大器和450 MHz频带的Δ-Σ调制器
作者:
Hori Shinichi
;
Wentzel Andreas
;
Hayakawa Makoto
;
Heinrich Wolfgang
;
Kunihiro Kazuaki
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
51.
Full ETSI E-Band Doubler, Quadrupler and 24 dBm Power Amplifier
机译:
完整的ETSI电子带倍频器,四倍频器和24 dBm功率放大器
作者:
Rodriguez Melissa C.
;
Tarazi Jabra
;
Dadello Anna
;
Convert Emmanuelle R. O.
;
McCulloch MacCrae G.
;
Mahon Simon J.
;
Hwang Steve
;
Mould Rodney G.
;
Fattorini Anthony P.
;
Young Alan C.
;
Harvey James T.
;
Parker Anthony E.
;
Heimlich Michael C.
;
Wang Wen-Kai
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
52.
A Novel Electrostatic Discharge (ESD) Protection Circuit in D-Mode pHEMT Technology
机译:
采用D模式pHEMT技术的新型静电放电(ESD)保护电路
作者:
Cui Qiang
;
Zhang Shuyun
;
Zhao Yibing
;
Hou Bin
;
Liou Juin J.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
53.
Back to the Future: An All-NMOS SiC Linear Voltage Regulator for High Temperature Applications
机译:
回到未来:用于高温应用的全NMOS SiC线性稳压器
作者:
Valle-Mayorga Javier
;
Rahman Ashfaqur
;
Mantooth H. Alan
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
54.
Design of Wide Tuning-Range mm-Wave VCOs Using Negative Capacitance
机译:
利用负电容设计宽调谐范围毫米波VCO
作者:
Wu Qiyang
;
Quach Tony
;
Mattamana Aji
;
Elabd Salma
;
Dooley Steven R.
;
McCue Jamin J.
;
Orlando Pompei L.
;
Creech Gregory L.
;
Khalil Waleed
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
55.
RF Performance Potential of Strained-Si, In0.53Ga0.47As, and GaSb Double-Gate Ultra-Thin-Body n-FETs with Lg=10.7 nm
机译:
Lg = 10.7 nm的应变Si,In0.53Ga0.47As和GaSb双栅极超薄体n-FET的RF性能电势
作者:
Luisier Mathieu
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
56.
A Planar Switchable Capacitor with Embedded Two-Dimensional Electron System for Higher Integrations in VLSI and RFIC
机译:
具有嵌入式二维电子系统的平面可开关电容器,可在VLSI和RFIC中实现更高的集成度
作者:
Dianat Pouya
;
Prusak Richard W.
;
Quaranta Fabio
;
Cola Adriano
;
Nabet Bahram
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
57.
S-Band Class-F Power Amplifier with Integrated Switched Mode Power Supply
机译:
具有集成开关模式电源的S波段F类功率放大器
作者:
van der Bent Gijs
;
de Hek Peter
;
Geurts Sander
;
Brouzes Hervévan Vliet Frank E.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
58.
Wideband PA Design: The 'Continuous' Mode of Operation
机译:
宽带PA设计:“连续”运行模式
作者:
Tasker Paul J.
;
Carrubba Vince
;
Wright Peter
;
Lees Jonny
;
Benedikt Johannes
;
Cripps Steve
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
59.
Diamond Materials for GaN HEMT near Junction Heat Removal
机译:
GaN HEMT结热去除附近的金刚石材料
作者:
Sandhu Rajinder
;
Gambin Vincent
;
Poust Benjamin
;
Smorchkova Ioulia
;
Lewis Gregg
;
Elmadjian Raffi
;
Li Danny
;
Geiger Craig
;
Heying Ben
;
Wojtowicz Mike
;
Oki Aaron
;
Feygelson Tatyana
;
Hobart Karl
;
Bozorg-Grayeli Elah
;
Goodson Kenneth
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
60.
High-Performance Silicon-Based RF Front-End Design Techniques for Adaptive and Cognitive Radios
机译:
自适应和认知无线电的高性能基于硅的射频前端设计技术
作者:
Larson Lawrence
;
Abdelhalem Sherif
;
Thomas Chris
;
Gudem Prasad
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
61.
A K-Band 5W Doherty Amplifier MMIC Utilizing 0.15µm GaN on SiC HEMT Technology
机译:
在SiC HEMT技术上利用0.15μmGaN的K波段5W Doherty放大器MMIC
作者:
Campbell Charles F.
;
Tran Kim
;
Kao Ming-Yih
;
Nayak Sabyasachi
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
62.
A Surface-Potential-Based Compact Model for Study of Non-Linearities in AlGaAs/GaAs HEMTs
机译:
基于表面电势的紧凑模型,用于研究AlGaAs / GaAs HEMT中的非线性
作者:
Khandelwal Sourabh
;
Fjeldly Tor A.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
63.
A 20 GHz Low Phase Noise Signal Source Using VCO and Mixer in InGaP/GaAs HBT
机译:
InGaP / GaAs HBT中使用VCO和混频器的20 GHz低相位噪声信号源
作者:
Lai Szhau
;
Bao Mingquan
;
Kuylenstierna Dan
;
Zirath Herbert
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
64.
Towards the Monolithic Integration of III-V Compound Semiconductors on Si: Selective Area Growth in High Aspect Ratio Structures vs. Strain Relaxed Buffer-Mediated Epitaxy
机译:
走向III-V化合物半导体在Si上的单片集成:高纵横比结构中的选择性区域生长与应变松弛的缓冲介导外延
作者:
Cantoro M.
;
Merckling C.
;
Jiang S.
;
Guo W.
;
Waldron N.
;
Bender H.
;
Moussa A.
;
Douhard B.
;
Vandervorst W.
;
Heyns M. M.
;
Dekoster J.
;
Loo R.
;
Caymax M.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
65.
Linearization of a Spatially-Combined X-Band 100-W GaAs FET Power Amplifier System with Predistortion Linearizer
机译:
具有预失真线性化器的空间组合X波段100W GaAs FET功率放大器系统的线性化
作者:
Chung Younkyu
;
Deckman Blythe C.
;
DeLisio Michael P.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
66.
A Compact Fully Integrated High-Efficiency 5GHz Stacked Class-E PA in 65nm CMOS Based on Transformer-Based Charging Acceleration
机译:
基于变压器的充电加速,65nm CMOS的紧凑型全集成高效5GHz堆叠式E类功率放大器
作者:
Chen Jian
;
Bhat Ritesh
;
Krishnaswamy Harish
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
67.
Device Scale Heat Removal for High Power Density GaN Devices
机译:
高功率密度GaN器件的器件规模散热
作者:
Bhunia Avijit
;
Brackley Andrew
;
Nguyen Chanh
;
Brar Berinder
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
68.
An Envelope-Tracking CMOS-SOS Power Amplifier with 50 Overall PAE and 29.3 dBm Output Power for LTE Applications
机译:
具有50%总体PAE和29.3 dBm输出功率的包络跟踪CMOS-SOS功率放大器,用于LTE应用
作者:
Hassan Muhammad
;
Olson Chris
;
Kovac Dave
;
Yan Jonmei J.
;
Nobbe Dan
;
Kelly Dylan
;
Asbeck Peter M.
;
Larson Lawrence E.
会议名称:
《2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium.》
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2012年
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