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Lester Eastman Conference on High Performance Devices
Lester Eastman Conference on High Performance Devices
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1.
A ROOM TEMPERATURE BALLISTIC DEFLECTION TRANSISTOR FOR HIGH PERFORMANCE APPLICATIONS
机译:
高性能应用的室温弹性偏转晶体管
作者:
QUENTIN DIDUCK
;
HIROSHI IRIE
;
MARTIN MARGALA
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
A ROOM;
TRANSISTOR;
APPLICATIONS;
2.
PACKAGING AND WIDE-PULSE SWITCHING OF 4 MM × 4 MM SILICON CARBIDE GTOs
机译:
包装和宽脉冲切换4 mm×4 mm碳化硅gtos
作者:
HEATHER OBRIEN
;
M. GAIL KOEBKE
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
silicon carbide;
pulsed power;
3.
BI-DIRECTIONAL SCALABLE SOLID-STATE CIRCUIT BREAKERS FOR HYBRID-ELECTRIC VEHICLES
机译:
用于混合电动车辆的双向可伸缩固态断路器
作者:
D. P. URCIUOLI
;
VICTOR VELIADIS
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
SSCB;
bi-directional;
VJFET;
SiC;
4.
MILLIMETER WAVE TO TERAHERTZ IN CMOS
机译:
毫米波到CMOS的太赫兹
作者:
K. K. O
;
S. SANKARAN
;
C. CAO
;
E.-Y. SEOK
;
D. SHIM
;
C. MAO
;
R. HAN
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
CMOS;
mm-wave;
oscillator;
Schottky diode;
detector;
phase locked loop;
terahertz;
5.
EMISSION AND INTENSITY MODULATION OF TERAHERTZ ELECTROMAGNETIC RADIATION UTILIZING 2-DIMENSIONAL PLASMONS IN DUAL-GRATING-GATE HEMT'S
机译:
三赫兹电磁辐射的发射和强度调制利用双光栅门HEMT中的二维等级
作者:
TAIICHI OTSUJI
;
TAKUYA NISHIMURA
;
YUKI TSUDA
;
YAHYA MOUBARAK MEZIANI
;
TETSUYA SUEMITSU
;
EIICHI SANO
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
Terahertz;
plasmon;
resonance;
emitter;
instability;
injection locking;
intensity modulator;
6.
HIGH CURRENT DENSITY/HIGH VOLTAGE AlGaN/GaN HFETs ON SAPPHIRE
机译:
蓝宝石的高电流密度/高压Algan / GaN HFETs
作者:
JUNXIA SHI
;
M. POPHRISTIC
;
L. F. EASTMAN
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
AlGaN/GaN;
HFETs;
7.
SURFACE ACOUSTIC WAVE PROPAGATION IN GaN-ON-SAPPHIRE UNDER PULSED SUB-BAND ULTRAVIOLET ILLUMINATION
机译:
脉冲子带紫外照明下GaN-On-Sapphire中的表面声波传播
作者:
VENKATA S. CHIVUKULA
;
DAUMANTAS CIPLYS
;
KAI LIU
;
MICHAEL S. SHUR
;
REMIS GASKA
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
Surface Acoustic Wave;
Ultraviolet Sensor;
Gallium Nitride;
8.
MBE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF Mg-DOPED III-NITRIDES ON SAPPHIRE
机译:
蓝宝石中MG掺杂III-氮化物的生长和表征
作者:
X. CHEN
;
K. D. MATTHEWS
;
D. HAO
;
W. J. SCHAFF
;
L. F. EASTMAN
;
W. WALUKIEWICZ
;
J. W. AGER
;
K. M. YU
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
Molecular beam epitaxy;
InGaN;
Mg-doped;
9.
PERFORMANCE OF MOSFETs ON REACTIVE-ION-ETCHED GaN SURFACES
机译:
MOSFET在反应离子蚀刻GaN表面上的性能
作者:
KE TANG
;
WEIXIAO HUANG
;
T. PAUL CHOW
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
GaN;
MOSFET;
RIE;
Subthreshold swing;
Field-effect mobility;
Annealing;
10.
4-NM AlN BARRIER ALL BINARY HFET WITH SiNx GATE DIELECTRIC
机译:
4-NM ALN屏障所有二进制HFET,带SINX栅极电介质
作者:
TOM ZIMMERMANN
;
YU CAO
;
DEBDEEP JENA
;
HUILI GRACE XING
;
PAUL SAUNIER
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
4-NM;
BARRIER;
DIELECTRIC;
11.
GaN TRANSISTORS FOR POWER SWITCHING AND MILLIMETER-WAVE APPLICATIONS
机译:
用于电源开关和毫米波应用的GaN晶体管
作者:
TETSUZO UEDA
;
YASUHIRO UEMOTO
;
TSUYOSHI TANAKA
;
DAISUKE UEDA
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
AlGaN/GaN;
heterojunction FET;
Gate Injection Transistor;
on-state resistance;
breakdown voltage;
MIS-HFET;
microstrip line;
12.
MONTE CARLO SIMULATIONS OF In_(0.75)Ga_(0.25)As MOSFETs AT 0.5 V SUPPLY VOLTAGE FOR HIGH-PERFORMANCE CMOS
机译:
MONTE CARLO模拟IN_(0.75)GA_(0.25)作为MOSFET,适用于0.5 V电源电压,适用于高性能CMOS
作者:
J. S. AYUBI-MOAK
;
K. KALNA
;
A. ASENOV
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
III-V MOSFETs;
implant-free;
enhancement-mode MOSFET;
Monte Carlo device simations;
13.
InAlN/GaN MOS-HEMT WITH THERMALLY GROWN OXIDE
机译:
Inaln / GaN MOS-HEMT与热生长的氧化物
作者:
M. ALOMARI
;
F. MEDJDOUB
;
E. KOHN
;
M.-A. DI FORTE-POISSON
;
S. DELAGE
;
J.-F. CARLIN
;
N. GRANDJEAN
;
C. GAQUIèRE
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
MOS-HEMT;
InAlN/GaN;
power;
thermal oxidation;
14.
THE EFFECTS OF INCREASING AlN MOLE FRACTION ON THE PERFORMANCE OF AlGaN ACTIVE REGIONS CONTAINING NANOMETER SCALE COMPOSITIONALLY INHOMOGENEITIES
机译:
Aln Mole分数增加对纳米级组成不均匀性的AlGaN活性区域性能的影响
作者:
A. V. SAMPATH
;
M. L REED
;
C. MOE
;
G. A. GARRETT
;
E. D. READINGER
;
W. L SARNEY
;
H. SHEN
;
M. WRABACK
;
C. CHUA
;
N. M. JOHNSON
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
THE EFFECTS;
THE PERFORMANCE;
AlGaN;
15.
5-TERMINAL THz GaN BASED TRANSISTOR WITH FIELD-AND SPACE-CHARGE CONTROL ELECTRODES
机译:
基于5端子THZ GaN的晶体管,具有现场和空穴控制电极
作者:
GRIGORY SIMIN
;
MICHAEL S. SHUR
;
REMIS GASKA
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
HFETs;
THz sources;
Gallium Nitride;
field-control electrodes;
16.
PERFORMANCE COMPARISON OF SCALED III-V AND Si BALLISTIC NANOWIRE MOSFETs
机译:
缩放III-V和SI弹道纳米线MOSFET的性能比较
作者:
LINGQUAN (DENNIS) WANG
;
BO YU
;
PETER M. ASBECK
;
YUAN TAUR
;
MARK RODWELL
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
nanowire;
III-V MOSFET;
17.
SOLAR-BLIND SINGLE-PHOTON 4H-SiC AVALANCHE PHOTODIODES
机译:
太阳能单光子4H-SIC雪崩光电二极管
作者:
ALEXEY VERT
;
STANSILAV SOLOVIEV
;
JODY FRONHEISER
;
PETER SANDVIK
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
Avalanche photodiodes;
Single photon detector;
Solar-blind detector;
18.
SIMULATION AND EXPERIMENTAL RESULTS ON GaN BASED ULTRA-SHORT PLANAR NEGATIVE DIFFERENTIAL CONDUCTIVITY DIODES FOR THz POWER GENERATION
机译:
基于GaN的超短平面负差分电导率二极管进行模拟与实验结果
作者:
BARBAROS ASLAN
;
LESTER F. EASTMAN
;
QUENTIN DIDUCK
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
Terahertz;
Ballistic Transport;
Negative Differential Conductivity;
Negative Differential Resistance;
Planar Diode;
GaN Diode;
19.
THE FIRST 70NM 6-INCH GaAs PHEMT MMIC PROCESS
机译:
第一个70nm 6英寸GaAs Phemt MMIC工艺
作者:
H. KARIMY
;
L. GUNTER
;
D. DUGAS
;
P. C. CHAO
;
W. KONG
;
S. YANG
;
P. SEEKELL
;
K. H. G. DUH
;
J. LOMBARDI
;
L. MT PLEASANT
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
W-band;
PHEMT;
GaAs;
Power Amplifier;
Millimeter-Wave;
MMIC;
20.
HIGH-PERFORMANCE 50-NM METAMORPHIC HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS WITH HIGH BREAKDOWN VOLTAGES
机译:
具有高击穿电压的高性能50-NM变质高电子迁移晶体管
作者:
DONG XU
;
WENDELL M. T. KONG
;
XIAOPING YANG
;
P. SEEKELL
;
L. MOHNKERN
;
H. KARIMY
;
K. H. G. DUH
;
P. M. SMITH
;
P. C. CHAO
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
High electron-mobility transistor;
breakdown voltage;
21.
Low-temperature characteristics of In0.7Ga0.3As PHEMTs
机译:
低温特性IN0.7GA0.3 .PHEMTS
作者:
Seung-Woo Son
;
Jung Ho Park
;
Ji Min Baek
;
Jin Su Kim
;
Do-Kywn Kim
;
Dae-Hyun Kim
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
Temperature;
PHEMTs;
Temperature measurement;
Temperature dependence;
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Transconductance;
22.
MoS2 synthesis and high-performance broadband photodetector
机译:
MOS2合成和高性能宽带光电探测器
作者:
Gustavo A. Saenz
;
Anupama B. Kaul
;
Goran Karapetrov
;
James Curtis
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
Photodetectors;
Photoconductivity;
Substrates;
Broadband communication;
Two dimensional displays;
Field effect transistors;
Fabrication;
23.
Effect of carrier lifetime enhancement on the performance of ultra-high voltage 4H-SiC PiN diodes
机译:
载流子寿命增强对超高压4H-SiC引脚二极管性能的影响
作者:
Sauvik Chowdhury
;
Collin Hitchcock
;
Rajendra P. Dahal
;
Ishwara B. Bhat
;
T. Paul Chow
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
Carbon;
Temperature measurement;
Oxidation;
Charge carrier lifetime;
PIN photodiodes;
Annealing;
Substrates;
24.
InAlGaN/GaN-HEMT device technologies for W-band high-power amplifier
机译:
W波段高功率放大器的InalGan / GaN-HEMT装置技术
作者:
K. Makiyama
;
S. Ozaki
;
Y. Niida
;
T. Ohki
;
N. Okamoto
;
Y. Minoura
;
M. Sato
;
Y. Kamada
;
K. Joshin
;
K. Watanabe
;
Y. Miyamoto
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
MMICs;
HEMTs;
MODFETs;
Wiring;
Films;
Cavity resonators;
Aluminum gallium nitride;
25.
A high responsivity SnO2 hollow nanospheres based ultraviolet photodetector
机译:
基于紫外光探测器的高响应性SnO2中空纳米球
作者:
P. Sharma
;
S. Sawyer
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
Photodetectors;
Detectors;
Nanoparticles;
Absorption;
Tin;
Nanobioscience;
26.
Solution dispersed 2D graphene MoS2 for an inkjet printed biocompatible photodetector
机译:
用于喷墨印刷的生物相容性光电探测器的溶液分散的2D石墨烯和MOS2
作者:
Ridwan F. Hossain
;
Isaac G. Deaguero
;
Thomas Boland
;
Anupama B. Kaul
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
Graphene;
Ink;
Polyimides;
Positron emission tomography;
Biosensors;
Resistors;
Solvents;
27.
Chemically and mechanically exfoliated MoS2 for electronic opto-electronic devices
机译:
用于电子和光电设备的化学和机械剥离MOS2
作者:
Anupama B. Kaul
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Photodetectors;
Graphene;
Two dimensional displays;
Nanomaterials;
Absorption;
Carbon;
28.
Preliminary results for broadband electrical detection of live bacteria
机译:
宽带电气检测活细菌的初步结果
作者:
X. Du
;
X. Ma
;
H. Li
;
V. Gholizadeh
;
X. Luo
;
X. Cheng
;
J. C. M. Hwang
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
Microorganisms;
Broadband communication;
Coplanar waveguides;
Microfluidics;
Loss measurement;
Insertion loss;
Microwave measurement;
29.
Experimental approach for feasibility of superlattice FETs
机译:
超晶格FET的可行性实验方法
作者:
M. Kashiwano
;
A. Yukimachi
;
Y. Miyamoto
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
Superlattices;
Field effect transistors;
Logic gates;
Indium gallium arsenide;
Fabrication;
Indium phosphide;
30.
Optimization of high-speed CMOS optical modulators with interleaved junctions
机译:
用交错连接的高速CMOS光调制器优化
作者:
Dinis Cheian
;
Luca Alloatti
;
Rajeev J. Ram
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
Junctions;
Optical modulation;
Bandwidth;
Doping;
High-speed optical techniques;
Semiconductor device modeling;
31.
Monte Carlo modeling of ultra-fast operating Ballistic Deflection Transistor
机译:
超快速操作弹出偏转晶体管的蒙特卡罗建模
作者:
J.-F. Millithaler
;
P. Marthi
;
N. Hossain
;
M. Margala
;
I. I?iguez-de-la-Torre
;
J. Mateos
;
T. González
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Transistors;
Monte Carlo methods;
Computational modeling;
Nanotechnology;
Semiconductor device modeling;
Adaptation models;
32.
Low-dispersion 180° phase shifter using two synchronized MEMS switches
机译:
使用两个同步MEMS开关的低分散180°移相器
作者:
V. Gholizadeh
;
M. J. Asadi
;
Y. Ning
;
C. Palego
;
J. C. M. Hwang
;
D. Scarbrough
;
C. L. Goldsmith
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
Microswitches;
Phase shifters;
Loss measurement;
Integrated circuit modeling;
Insertion loss;
Transmission line measurements;
33.
Pulsed power evaluation and simulation of high voltage 4H-SiC P-Type SGTOs
机译:
脉冲功率评估和高压4H-SiC P型SGTOS的仿真
作者:
Aderinto Ogunniyi
;
Heather OBrien
;
Miguel Hinojosa
;
James Schrock
;
Shelby Lacouture
;
Emily Hirsch
;
Stephen Bayne
;
Sei-Hyung Ryu
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
Silicon carbide;
Logic gates;
Thyristors;
Switches;
Inductance;
Anodes;
Delays;
34.
Comparing buffer leakage in PolarMOSH on SiC and free-standing GaN substrates
机译:
比较Polarmosh在SiC和独立GaN基板上的缓冲泄漏
作者:
Mingda Zhu
;
Bo Song
;
Zongyang Hu
;
Kazuki Nomoto
;
Ming Pan
;
Xiang Gao
;
Debdeep Jena
;
Huili Grace Xing
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Leakage currents;
Substrates;
Doping;
HEMTs;
MODFETs;
Silicon carbide;
35.
High frequency N-polar GaN planar MIS-HEMTs on sapphire with high breakdown and low dispersion
机译:
高频N极GaN平面MIS-HEMTS在蓝宝石上具有高击穿和低分散性
作者:
Xun Zheng
;
Haoran Li
;
Elaheh Ahmadi
;
Karine Hestroffer
;
Matthew Guidry
;
Brian Romanczyk
;
Steven Wienecke
;
Stacia Keller
;
Umesh K. Mishra
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2016年
关键词:
Gallium nitride;
Logic gates;
HEMTs;
Dispersion;
MODFETs;
Passivation;
Resistors;
36.
CHARACTERIZATION AND MODELING OF INTEGRATED DIODE IN 1.2kV 4H-SiC VERTICAL POWER MOSFET
机译:
1.2KV 4H-SIC垂直功率MOSFET中集成二极管的表征与建模
作者:
HARSH NAIK
;
YI WANG
;
T. PAUL CHOW
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
4H-SiC;
Vertical MOSFET;
Integrated diode;
37.
EFFECT OF GATE OXIDE PROCESSES ON 4H-SiC MOSFETs ON (000-1) ORIENTED SUBSTRATE
机译:
栅极氧化物处理对(000-1)取向基板的4H-SiC MOSFET的影响
作者:
HARSH NAIK
;
KE TANG
;
T. PAUL CHOW
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2010年
关键词:
4H-SiC;
(000-1) SiC substrate;
MOSFET;
Gated Diode;
Gate oxide processes;
38.
Lester Eastman's student legacy
机译:
莱斯特伊斯曼的学生遗产
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
39.
S4-P8: Applications for epitaxial lift-off of III-V materials
机译:
S4-P8:III-V材料外延升降的应用
作者:
Stender C.L.
;
Youtsey C.
;
Tuminello F.
;
Osowski M.
;
Adams J.
;
Elarde V.
;
Miyamoto H.
;
Wibowo A.
;
Hillier G.
;
Tatavarti R.
;
Pan N.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Detectors;
Epitaxial growth;
Gallium arsenide;
Light emitting diodes;
Photovoltaic cells;
Substrates;
Epitaxial Lift-Off (ELO);
Heterojunction bipolar transitor (HBT) flexible;
Light emitting diode (LED);
Photovoltaic;
Solar;
cost reduction;
high-efficiency;
light-weight;
40.
S3-P3: Advanced no-field-plate AlGaN/GaN hemts for millimeter-wave MMIC applications
机译:
S3-P3:用于毫米波MMIC应用的高级无现场板AlGaN / GaN Hemts
作者:
Xu Dong
;
Chu K.K.
;
Diaz J.A.
;
Pleasant L.Mt.
;
Lender R.
;
Schmanski B.
;
Ashman M.
;
Hulse J.
;
Gerlach M.
;
Zhu Wenhua
;
Seekell P.
;
Schlesinger L.
;
Isaak R.
;
Nichols K.
;
Komiak J.J.
;
Yang X.P.
;
Duh K.H.G.
;
Smith P.M.
;
Chao P.C.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Gallium nitride;
HEMTs;
Logic gates;
MMICs;
MODFETs;
Power amplifiers;
Substrates;
GaN;
HEMT;
Ka band;
MMIC;
MMW;
gallium nitride;
high electron mobility transistor;
millimeter-wave;
monolithic microwave integrated circuit;
power amplifier;
wideband;
41.
S6-G4: High injection and efficiency droop in GaInN light-emitting diodes
机译:
S6-G4:Gainn发光二极管中的高注射和效率下垂
作者:
Lin Guan-Bo
;
Meyaard David S.
;
Schubert E.Fred
;
Cho Jaehee
;
Kim Jong Kyu
;
Shim Hyunwook
;
Kim Min-Ho
;
Sone Cheolsoo
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Charge carrier processes;
Electric fields;
Light emitting diodes;
Radiative recombination;
Temperature distribution;
Temperature measurement;
GaInN;
efficiency droop;
electron leakage;
high injection;
light-emitting diode;
42.
S3-P6: A generalized model for characteristics of graphene FETs in various gate biasing configurations with mobility up to 24000 cm2/vs
机译:
S3-P6:具有高达24000cm 2 sup> / vs的各种栅极偏置配置中石墨烯FET的特性的广义模型。
作者:
Tran P.X.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Equations;
Graphene;
Logic gates;
Mathematical model;
Quantum capacitance;
Transconductance;
Transistors;
Graphene transistors;
asymmetric conductance;
transconductance;
transfer characteristics;
43.
S3-P11: Thin-film coatings for improved thermal performances of GaN-based HEMTs
机译:
S3-P11:薄膜涂层,用于改善GaN的HEMTS的热性能
作者:
Aubry R.
;
Michel N.
;
Jacquet J.C.
;
Baczkowski L.
;
Patard O.
;
Chartier E.
;
Lancereau D.
;
Bohbot S.
;
Di Forte Poisson M.A.
;
Oualli M.
;
Piotrowicz S.
;
Delage S.L.
;
Djouadi A.
;
Scudeller Y.
;
Ait-Aissa K.
;
Calus J.
;
Kohn E.
;
Gaillard M.
;
Leborgne C.
;
Semmar N.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Coatings;
HEMTs;
III-V semiconductor materials;
Logic gates;
MODFETs;
Passivation;
Silicon compounds;
AlN coatings;
GaN;
HEMTs;
Thermal Management;
44.
S7-N5: SnO
2
colloidal nanoparticles based ultraviolet photodetector with high signal to noise ratio
机译:
S7-N5:SNO
2 INF>基于高信号到噪声比的紫外光探测器的胶体纳米粒子
作者:
Sharma P.
;
Sawyer S.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Dark current;
Detectors;
Fabrication;
Materials;
Nanoparticles;
Photodetectors;
Signal to noise ratio;
UV detector;
high signal to noise ratio;
nanoparticles;
tin oxide;
45.
S4-P7: Low-temperature hydrophobic wafer bonding for 1200V, 25A bi-directional Si UMOS IGBTs
机译:
S4-P7:低温疏水性晶片键合1200V,25A双向SI UMOS IGBTS
作者:
Wu J-W.
;
Chowdhury S.
;
Naik H.
;
Picard J.
;
Lee N.
;
Hitchcock C.
;
Lu J.J.-Q.
;
Chow T.P.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Bidirectional control;
Bonding;
Insulated gate bipolar transistors;
Switches;
Temperature;
Temperature measurement;
Wafer bonding;
Bi-directional insulated gate bipolar transistor (BD-IGBT);
dual gate;
silicon wafer bonding;
46.
S3-P9: Thermal and electrical performance of microfluidically cooled 3D ICs with non-uniform power dissipation
机译:
S3-P9:具有非均匀功耗的微流体冷却3D IC的热电平和电气性能
作者:
Wan Z.
;
Xiao H.
;
Joshi Y.
;
Yalamanchili S.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Cooling;
Fluids;
Heat transfer;
Heating;
Integrated circuit modeling;
Microfluidics;
Three-dimensional displays;
3D ICs;
leakage power;
microfluidic cooling;
micropin fin;
47.
S3-P10: Embedded microfluidic cooling of high heat flux electronic components
机译:
S3-P10:高热通量电子元件的嵌入式微流体冷却
作者:
Ditri John
;
McNulty Michael K.
;
Igoe Suzanne
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Cooling;
Electronic packaging thermal management;
Fluids;
Heat transfer;
Heating;
Manifolds;
Thermal resistance;
48.
S3-P1: Reliability and lifetime of pseudomorphic UVC leds on AlN substrate under various stress condition
机译:
S3-P1:在各种应力条件下ALN衬底上的假形UVC LED的可靠性和寿命
作者:
Kitamura K.
;
Grandusky J.R.
;
Moe C.G.
;
Chen J.
;
Mendrick M.C.
;
Li Y.
;
Toita M.
;
Nagase K.
;
Morishita T.
;
Ishii H.
;
Yamada S.
;
Schowalter L.J.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Degradation;
Leakage currents;
Light emitting diodes;
Power generation;
Reliability;
Stress;
Substrates;
Degradation failure analysis;
aluminum nitride (AlN) light-emitting diode (LED);
reliability;
ultraviolet (UV);
49.
S3-P4: Impact of drain conductance in InGaaS-HEMTs operated in a class-F amplifier
机译:
S3-P4:在F类放大器中操作的InGaAs-HEMT中的漏极电导的影响
作者:
Yoshida Tomohiro
;
Otsuji Taiichi
;
Suemitsu Tetsuya
;
Oyama Masashi
;
Watanabe Kunihiko
;
Umeda Yohtaro
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Delays;
HEMTs;
Harmonic analysis;
Logic gates;
MODFETs;
Resistance;
Class F;
Delay time anarysis;
InGaAs-HEMTs;
Millimater Wave;
PAE;
50.
S7-N2: Terahertz lasing and detection in double-graphene-layer structures
机译:
S7-N2:双石墨层结构中的Terahertz激光和检测
作者:
Otsuji Taiichi
;
Alshkin Vladimir Ya.
;
Dubinov Alexander A.
;
Ryzhii Maxim
;
Mitin Vladimir
;
Shur Michael S.
;
Ryzhii Victor
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Charge carrier processes;
Graphene;
Laser transitions;
Logic gates;
Photonics;
Plasmons;
Semiconductor lasers;
detector;
emitter;
graphene;
laser;
plasmon;
quantum mechanical resonant tunneling;
terahertz;
51.
S5-H6: Leakage current suppression in InGaaS-channel MOSFETs: Recessed InP source/drain spacers and InP channel caps
机译:
S5-H6:InGaAs沟道MOSFET中的漏电流抑制:嵌入式INP源/漏极垫和INP通道盖
作者:
Huang Cheng-Ying
;
Lee Sanghoon
;
Chobpattana Varistha
;
Stemmer Susanne
;
Gossard Arthur C.
;
Rodwell Mark J.W.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Indium gallium arsenide;
Indium phosphide;
Leakage currents;
Logic gates;
MOSFET;
Photonic band gap;
Tunneling;
Band-to-band tunneling;
InGaAs MOSFET;
InP;
Leakage;
MOS devices;
Semiconductor devices;
Source/drain;
Spacer;
52.
S4-P1: Wide and extreme bandgap semiconductor devices for power electronics applications
机译:
S4-P1:电力电子应用的宽和极端带隙半导体器件
作者:
Chow T.Paul
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Diamonds;
Gallium nitride;
HEMTs;
MODFETs;
Rectifiers;
Silicon;
Silicon carbide;
2H-GaN;
4H-SiC;
AlN;
diamond;
power rectifiers;
power transistors;
53.
S5-H7: GaN-HEMT technology for high power millimeter-wave amplifier
机译:
S5-H7:高功率毫米波放大器GaN-HEMT技术
作者:
Makiyama Kozo
;
Ozaki Shirou
;
Okamoto Naoya
;
Ohki Toshihiro
;
Niida Yoshitaka
;
Kamada Yoichi
;
Joshin Kazukiyo
;
Watanabe Keiji
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Electric fields;
Electron traps;
Gallium nitride;
Logic gates;
Millimeter wave communication;
AlGaN;
Amplifier;
Current Collapse;
GaN-HEMT;
InAlN;
Millimeter-wave;
Reliability;
54.
S2-T4: Low-temperature substrate bonding technology for high power GaN-on-diamond HEMTs
机译:
S2-T4:高功率GaN-On-钻石HEMTS的低温衬底键合技术
作者:
Chu Kenneth K.
;
Chao Pane C.
;
Diaz Jose A.
;
Yurovchak Thomas
;
Creamer Carlton T.
;
Sweetland Scott
;
Kallaher Raymond L.
;
McGray Craig
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Bonding;
Diamonds;
Gallium nitride;
HEMTs;
MODFETs;
Silicon carbide;
Substrates;
GaN-on-diamond high-electron-mobility transistor (HEMT);
epitaxial transfer;
microwave power;
substrate bonding;
thermal management;
55.
S2-T3: Next generation gallium nitride HEMTs enabled by diamond substrates
机译:
S2-T3:由金刚石基板实现的下一代氮化镓垫圈
作者:
Tyhach M.
;
Altman D.
;
Bernstein S.
;
Korenstein R.
;
Cho J.
;
Goodson K.E.
;
Francis D.
;
Faili F.
;
Ejeckam F.
;
Kim S.
;
Graham S.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Density measurement;
Diamonds;
Gallium nitride;
Logic gates;
Performance evaluation;
Silicon carbide;
Transistors;
GaN;
HEMT;
diamond;
thermal interface resistance;
56.
S2-T1: GaN-on-diamond: A brief history
机译:
S2-T1:钻石:简要历史
作者:
Ejeckam Felix
;
Francis Daniel
;
Faili Firooz
;
Twitchen Daniel
;
Bolliger Bruce
;
Babic Dubravko
;
Felbinger Jonathan
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Diamonds;
Gallium nitride;
HEMTs;
MODFETs;
Radio frequency;
Silicon;
Substrates;
GaN-on-Diamond;
GaN-on-SiC;
HEMTs;
57.
S2-T6: Microchannel cooled, high power GaN-on-Diamond MMIC
机译:
S2-T6:微通道冷却,高功率GaN-On-Diamond MMIC
作者:
Creamer C.T.
;
Chu K.K.
;
Chao P.C.
;
Schmanski B.
;
Yurovchak T.
;
Sweetland S.
;
Campbell Geoff
;
Eppich Henry
;
Ohadi Michael
;
McCluskey Patrick
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Cooling;
Diamonds;
MMICs;
Radio frequency;
Reliability;
Substrates;
Transistors;
GaN-on-Diamond MMICs;
liquid phase micro-channel coooler;
power amplifier;
58.
Aluminum gallium nitride/silicon carbide separate absorption and multiplication avalanche photodiodes
机译:
铝镓/碳化硅单独吸收和乘法雪崩光电二极管
作者:
Rodak L. E.
;
Sampath A. V.
;
Gallinat C. S.
;
Shen H.
;
Wraback M.
;
Chen Y.
;
Zhou Q.
;
Campbell J. C.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
59.
Solid-state nanopores for detection of rod-like viruses and trapping of single DNA molecules
机译:
用于检测棒状病毒的固态纳米孔和单个DNA分子的诱捕
作者:
McMullen Angus
;
Liu Xu
;
Tang Jay
;
Stein Derek
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
Biosensing;
Solid-State Nanopores;
60.
Solid-state nanopores for detection of rod-like viruses and trapping of single DNA molecules
机译:
用于检测棒状病毒的固态纳米孔和单个DNA分子的诱捕
作者:
Liu Xu
;
McMullen Angus
;
Tang Jay
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
61.
Isolation methods for GaN lateral MOS-channel HEMTs
机译:
GaN横向MOS通道HEMTS的隔离方法
作者:
Li Zhongda
;
Waldron John
;
Chow T. Paul
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
GaN;
MOS Channel-HEMTs;
isolation;
62.
Plasmonic concentrators for enhanced light absorption in ultra-thin film organic solar cells
机译:
超薄膜有机太阳能电池中提高光吸收的等离子体浓缩器
作者:
Flanigan Patrick W.
;
Ostfeld Aminy E.
;
Ye Zhen
;
Serrino Natalie G.
;
Plummer Abigail
;
Pacifici Domenico
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
Photovoltaics;
organic;
plasmonics;
quasi-periodic;
63.
Performance enhancement of GaN high electron-mobility transistors with atomic layer deposition Al2O3 passivation
机译:
GaN高电子迁移率晶体管的性能增强Al2O3钝化
作者:
Xu Dong
;
Chu Kanin
;
Diaz J.
;
Zhu Wenhua
;
Roy R.
;
Seekell P.
;
Pleasant L. Mt.
;
Isaak R.
;
Yang Xiaoping
;
Nichols K.
;
Pritchard D.
;
Duh G.
;
Chao P. C.
;
Xu Min
;
Ye Peide
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
ALD;
GaN;
HEMT;
aluminum oxide;
atomic layer deposition;
gallium nitride;
high electron-mobility transistor;
pulsed-IV;
64.
Fast, high-efficiency Germanium quantum dot photodetectors
机译:
快速,高效的锗量子点光电探测器
作者:
Liu P.
;
Le S. T.
;
Lee S.
;
Paine D.
;
Zaslavsky A.
;
Pacifici D.
;
Cosentino S.
;
Mirabella S.
;
Miritello M.
;
Crupi I.
;
Terrasi A.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
Germanium;
photodetector;
quantum dots;
65.
Plasmonic interferometry for biosensing
机译:
用于生物传感的等离子体干涉测量法
作者:
Feng Jing
;
Siu Vince
;
Roelke Alec
;
Mehta Vihang
;
Rhieu Steve
;
Palmore Tayhas
;
Pacifici Domenico
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
Plasmonic interferometers;
biosensor;
surface plasmon polariton;
66.
GaN-based light emitting diode with embedded SiO2 pattern for enhanced light extraction
机译:
具有嵌入式SiO2图案的GaN的发光二极管,用于增强光提取
作者:
Hou Wenting
;
Zhao Liang
;
Wang Xiaoli
;
You Shi
;
Detchprohm Theeradetch
;
Wetzel Christian
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
Ni self assembly;
green light emitting diode;
light extraction efficiency;
nano-pattern n-GaN substrate;
67.
a-Plane GaN light emitting diodes on self-assembled Ni nano-islands
机译:
自组装Ni纳米岛上的A平面GaN发光二极管
作者:
Wang Xiaoli
;
Hou Wenting
;
Zhao Liang
;
You Shi
;
Detchprohm Theeradetch
;
Wetzel Christian
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
68.
Fabrication and characterization of vertically aligned carbon nanofibers as a biosensor platform for hypoglycemia
机译:
垂直对准碳纳米纤维作为低血糖血症生物传感器平台的制造与表征
作者:
MacArthur Kimberly C.
;
Tulip Fahmida S.
;
Mamun Khandaker A. Al
;
McFarlane Nicole
;
Islam Syed K.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
VACNF;
glucose biosensor;
glucose oxidase;
horseradish peroxidase;
hypoglycemia;
vertically aligned carbon nanofibers;
69.
ZnO/Zn1#x2212;xMgxO QCL: A high power room temperature THz source
机译:
ZnO / Zn1− xmgxo qcl:高功率室温thz源
作者:
Chou HungChi
;
Zeller John
;
Manzur Tariq
;
Anwar Mehdi
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
Absorption Coefficient;
Nitrides;
Optical Gain;
Oxide Semiconductor;
Quantum Cascade Lasers;
THz Power;
Terahertz;
Wall Plug Efficiency;
ZnMgO;
70.
Low threshold lasers from wavelength-engineered colbidal quantum dot enabled by single-exciton optical gain
机译:
通过单励磁光学增益的波长工程光盘量子点的低阈值激光器
作者:
Dang Cuong
;
Roh Kwangdong
;
Lee Joonhee
;
Nurmikko Arto
;
Breen Craig
;
Steckel Jonathan S.
;
Coe-Sullivan Seth
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
RGB lasers;
colloidal quantum dot;
optical gain;
single exciton gain;
71.
Improved efficiency high power 260 nm pseudomorphic ultraviolet light emitting diodes
机译:
提高效率高功率260nm假形紫外线发光二极管
作者:
Grandusky James R.
;
Chen Jianfeng
;
Mendrick Mark C.
;
Gibb Shawn R.
;
Schowalter Leo J.
;
Moe Craig
;
Wraback Michael
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
Aluminum Nitride;
Light Emitting Diode;
Ultraviolet;
72.
Improved photon extraction by substrate thinning and surface roughening in 260 nm pseudomorphic ultraviolet light emitting diodes
机译:
通过衬底稀疏和表面粗糙化改善光子提取,在260nm假形紫外线发光二极管
作者:
(Jeff) Chen Jianfeng
;
Grandusky James R.
;
Mendrick Mark C.
;
Gibb Shawn R.
;
Schowalter Leo J.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
-wire and -dot devices;
Light-emitting diodes;
Quantum-well;
73.
Confocal microscopy study on spatial variation of photoluminescence in blue-emitting InGaN/GaN MQWs with different growth parameters
机译:
不同生长参数蓝色发射ingan / GaNMS中光致发光空间变化的共聚焦显微镜研究
作者:
Li C.
;
Stokes E. B.
;
Hefti R.
;
Moyer P.
;
Zhang A.
;
Armour E.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
InGaN MQWs;
MOCVD;
photoluminescence inhomogeneity;
scanning confocal microscopy;
74.
Design of GaN and SiC 5–20kV vertical superjunction structures
机译:
GaN和SIC 5-20kV垂直超结术的设计
作者:
Li Zhongda
;
Naik Harsh
;
Chow T. Paul
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
GaN;
SiC;
super junction;
75.
Rectification by doped Mott-insulator junctions
机译:
通过掺杂的Mott-Insulator结彻彻
作者:
Sabou Florian C.
;
Bodington Natalie
;
Marston J. B.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
76.
Cascaded-transition Quantum Cascade laser
机译:
级联过渡量子级联激光
作者:
Zhang Jingyuan Linda
;
Huang Xue
;
Gmachl Claire F.
;
Tokranov Vadim
;
Oktyabrsky Serge
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
77.
Efficient multi-bit SRAMs using spatial wavefunction switched (SWS)-FETs
机译:
使用空间波段切换(SWS)-FET的高效多位SRAM
作者:
Gogna P.
;
Lingalugari M.
;
Chandy J.
;
Jain F. C.
;
Heller E.
;
Hasaneen E-S.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
Multi Bit SRAM;
SWS-FET;
78.
Large signal analytical and SPICE model of THz plasmonic FET
机译:
THz等离子体FET的大信号分析与Spice模型
作者:
Gutin Alexey
;
Muraviev Andrey
;
Shur Michael
;
Kachorovskii Valentin
;
Ytterdal Trond
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
SPICE;
plasmonic detector;
terahertz detector;
79.
Novel packaging and high-current pulse-switching of 1.0 cm2 SiC SGTOs
机译:
新型包装和高电流脉冲切换为1.0cm 2 sup> siC sctos
作者:
OBrien Heather
;
Ogunniyi Aderinto
;
Scozzie Charles
;
Cheng Lin
;
Agarwal Anant
;
Shaheen William
;
Francois Michel
;
Temple Victor
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
power semiconductor switches;
pulse power system switches;
pulse-shaping circuits;
thyristors;
80.
Photoconductive enhancement effects of graphene quantum dots on ZnO nanoparticle photodetectors
机译:
石墨烯量子点对ZnO纳米粒子光电探测器的光电导性提高效应
作者:
Shao Dali
;
Sawyer Shayla
;
Hu Tao
;
Yu Mingpeng
;
Lian Jie
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
Graphene quantum dots;
UV photodetector;
ZnO nanoparticles;
81.
DC breakdown and TDDB study of ALD SiO2 on GaN
机译:
GaN上ALD SiO2的DC分类和TDDB研究
作者:
Takashima Shinya
;
Li Zhongda
;
Chow T. Paul
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
GaN;
MOS;
SiOlt;
infgt;
2lt;
/infgt;
TDDB;
barrier height;
breakdown;
82.
Aluminum gallium nitride/silicon carbide separate absorption and multiplication avalanche photodiodes
机译:
铝镓/碳化硅单独吸收和乘法雪崩光电二极管
作者:
Rodak L. E.
;
Sampath A. V.
;
Gallinat C. S.
;
Enck R. W.
;
Smith J.
;
Shen H.
;
Wraback M.
;
Chen Y.
;
Zhou Q.
;
Campbell J. C.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
aluminum gallium nitride;
avalanche photodiode;
silicon carbide;
ultra-violet;
83.
Investigation of pyroelectric polarization effect on GaN MOS capacitors and field-effect transistors
机译:
GaN MOS电容器热电偏振效应的研究与场效应晶体管
作者:
Zhang J.
;
Hitchcock C.
;
Li Z.
;
Chow T. P.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
GaN;
MOS capacitor;
MOSC-HEMT;
polarization;
84.
Physics of visible and UV LED devices
机译:
可见光和UV LED设备的物理学
作者:
Dobrinsky Alex
;
Shatalov Max
;
Gaska Remis
;
Shur Michael
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
LED;
Ultraviolet;
external quantum efficiency;
internal quantum efficiency;
85.
Comparison of AC I-V characteristic of Si and SiC MOSFETs
机译:
Si和SiC MOSFET的AC I-V特征比较
作者:
Naik Harsh
;
Chow T. Paul
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
AC I–V measurement;
C-V measurement;
MOSFETs;
SiC;
flatband voltage;
threshold voltage;
86.
Performance of single-and dual-color detectors using InAs/GaSb strained layer superlattices
机译:
使用INAS / GASB紧张层超晶格的单次和双色探测器的性能
作者:
Plis E.
;
Gautam N.
;
Klein B.
;
Myers S.
;
Schuler-Sandy T.
;
Kutty M. N.
;
Tian Z.-B.
;
Krishna S.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
InAs/GaSb;
Strained Layer Superlattice;
dual-band detector;
mid-pBiBn;
pBp;
87.
Transient analysis of memristors
机译:
回忆下的瞬态分析
作者:
Mazady Anas
;
Anwar Mehdi
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
analysis;
circuit;
memristor;
model;
transient;
88.
Evidence of deep ultraviolet amplified spontaneous emission in electron beam pumped AlGaN multiple-quantum-well-based structures
机译:
深度紫外线的证据放大了电子束的自发发射,泵送了AlGaN多量子阱基结构
作者:
Nikiforov A. Yu.
;
Zhang W.
;
Woodward J.
;
Yin J.
;
Paiella R.
;
Ludwig K. F.
;
Moustakas T. D.
;
Zhou L.
;
Smith D. J.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
Deep UV emitting AlGaN quantum wells;
cathodoluminescence;
deep UV lasers;
electron beam pumping;
molecular beam epitaxy;
stimulated emission;
89.
Terahertz wave generation using graphene — Toward the creation of terahertz graphene injection lasers
机译:
使用石墨烯的太赫兹波生成 - 朝着制造太赫兹石墨烯注射激光器
作者:
Otsuji T.
;
Tombet S. Boubanga
;
Satou A.
;
Ryzhii V.
;
Ryzhii M.
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
Graphene;
current injection;
gain;
laser;
terahertz;
90.
Intra-pulse modal instability and beam steering in Quantum Cascade laser
机译:
Quantum Cascade激光器中的脉冲内模态不稳定性和光束转向
作者:
Yao Yu
;
Bouzi Pierre M.
;
Aung Nyan L.
;
Liu Peter Q.
;
Huang Yuting
;
Gmachl Claire
;
Wang Xiaojun
会议名称:
《Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2012年
关键词:
Quantum Cascade laser;
beam steering;
instability;
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