Gallium nitride; Logic gates; HEMTs; Dispersion; MODFETs; Passivation; Resistors;
机译:蓝宝石上的N-Polar GaN MIS-HEMT,具有高的功率增益截止频率和三端击穿电压
机译:蓝宝石衬底上在4 GHz下具有12.1W / mm连续波输出功率密度的N极性GaN MIS-HEMT
机译:蓝宝石衬底上通过MOCVD生长的N极性AlGaN / GaN MIS-HEMT的射频性能
机译:蓝宝石上具有高击穿和低色散的高频N极性GaN平面MIS-HEMT
机译:N极GaN MIS-HEMTS具有氮化硅钝化MM波应用
机译:AlN /蓝宝石模板上的薄沟道AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的高横向击穿电压
机译:栅漏间距对原位SiN钝化InAlGaN / GaN MIS-HEMT的低频噪声性能的影响