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机译:蓝宝石衬底上在4 GHz下具有12.1W / mm连续波输出功率密度的N极性GaN MIS-HEMT
Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA, USA;
GaN; N-polar; high-electron-mobility transistor (HEMT); metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD);
机译:蓝宝石衬底上的InAlN / GaN HEMT,在18 GHz时的输出功率密度为2.9W / mm
机译:在蓝宝石衬底上生长的4.69W / mm输出功率密度InAlN / GaN HEMT
机译:用10.3W / mm输出功率和47.4%PAE的N极GaN深凹槽晶体管线性度评价
机译:使用基于Al
机译:N极GaN MIS-HEMTS具有氮化硅钝化MM波应用
机译:凹图案蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的晶体质量和光输出功率
机译:在轴上蓝宝石衬底上的N极性GaN的mOCVD生长:alN的影响 GaN表面小丘密度上的成核层
机译:siC衬底上的Ga和N极性GaN生长。