Density measurement; Diamonds; Gallium nitride; Logic gates; Performance evaluation; Silicon carbide; Transistors; GaN; HEMT; diamond; thermal interface resistance;
机译:蓝宝石衬底上氮化镓HEMT器件的高功率和线性性能
机译:在用于热管理的独立式金刚石基底上向着氮化物HEMT的进展
机译:氮化铝/金刚石和氮化镓/金刚石声表面波器件的制造
机译:S2-T3:金刚石衬底实现的下一代氮化镓HEMT
机译:氮化铝镓/氮化镓HEMT与CMOS在硅(111)衬底上的整体集成的热分析。
机译:通过氮化硅衬底上电化学沉积的氧化镓的氮化合成氮化镓纳米结构
机译:在氧化镓衬底上外延生长的氮化镓,用于在可见和电信波长下生成光子对
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。