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2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices
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1.
S3-P4: Impact of drain conductance in InGaaS-HEMTs operated in a class-F amplifier
机译:
S3-P4:在F类放大器中运行的InGaaS-HEMT中漏极电导的影响
作者:
Yoshida Tomohiro
;
Otsuji Taiichi
;
Suemitsu Tetsuya
;
Oyama Masashi
;
Watanabe Kunihiko
;
Umeda Yohtaro
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Delays;
HEMTs;
Harmonic analysis;
Logic gates;
MODFETs;
Resistance;
Class F;
Delay time anarysis;
InGaAs-HEMTs;
Millimater Wave;
PAE;
2.
S2-T6: Microchannel cooled, high power GaN-on-Diamond MMIC
机译:
S2-T6:微通道冷却的大功率GaN-on-Diamond MMIC
作者:
Creamer C.T.
;
Chu K.K.
;
Chao P.C.
;
Schmanski B.
;
Yurovchak T.
;
Sweetland S.
;
Campbell Geoff
;
Eppich Henry
;
Ohadi Michael
;
McCluskey Patrick
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Cooling;
Diamonds;
MMICs;
Radio frequency;
Reliability;
Substrates;
Transistors;
GaN-on-Diamond MMICs;
liquid phase micro-channel coooler;
power amplifier;
3.
S7-N5: SnO
2
colloidal nanoparticles based ultraviolet photodetector with high signal to noise ratio
机译:
具有高信噪比的S7-N5:SnO
2 inf>胶体纳米粒子紫外光电探测器
作者:
Sharma P.
;
Sawyer S.
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Dark current;
Detectors;
Fabrication;
Materials;
Nanoparticles;
Photodetectors;
Signal to noise ratio;
UV detector;
high signal to noise ratio;
nanoparticles;
tin oxide;
4.
S5-H6: Leakage current suppression in InGaaS-channel MOSFETs: Recessed InP source/drain spacers and InP channel caps
机译:
S5-H6:InGaaS沟道MOSFET中的泄漏电流抑制:凹陷的InP源极/漏极隔离层和InP通道盖
作者:
Huang Cheng-Ying
;
Lee Sanghoon
;
Chobpattana Varistha
;
Stemmer Susanne
;
Gossard Arthur C.
;
Rodwell Mark J.W.
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Indium gallium arsenide;
Indium phosphide;
Leakage currents;
Logic gates;
MOSFET;
Photonic band gap;
Tunneling;
Band-to-band tunneling;
InGaAs MOSFET;
InP;
Leakage;
MOS devices;
Semiconductor devices;
Source/drain;
Spacer;
5.
S3-P10: Embedded microfluidic cooling of high heat flux electronic components
机译:
S3-P10:高热通量电子元件的嵌入式微流体冷却
作者:
Ditri John
;
McNulty Michael K.
;
Igoe Suzanne
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Cooling;
Electronic packaging thermal management;
Fluids;
Heat transfer;
Heating;
Manifolds;
Thermal resistance;
6.
S3-P1: Reliability and lifetime of pseudomorphic UVC leds on AlN substrate under various stress condition
机译:
S3-P1:在各种应力条件下,AlN衬底上的准晶UVC led的可靠性和寿命
作者:
Kitamura K.
;
Grandusky J.R.
;
Moe C.G.
;
Chen J.
;
Mendrick M.C.
;
Li Y.
;
Toita M.
;
Nagase K.
;
Morishita T.
;
Ishii H.
;
Yamada S.
;
Schowalter L.J.
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Degradation;
Leakage currents;
Light emitting diodes;
Power generation;
Reliability;
Stress;
Substrates;
Degradation failure analysis;
aluminum nitride (AlN) light-emitting diode (LED);
reliability;
ultraviolet (UV);
7.
S3-P11: Thin-film coatings for improved thermal performances of GaN-based HEMTs
机译:
S3-P11:薄膜涂层,用于改善GaN基HEMT的热性能
作者:
Aubry R.
;
Michel N.
;
Jacquet J.C.
;
Baczkowski L.
;
Patard O.
;
Chartier E.
;
Lancereau D.
;
Bohbot S.
;
Di Forte Poisson M.A.
;
Oualli M.
;
Piotrowicz S.
;
Delage S.L.
;
Djouadi A.
;
Scudeller Y.
;
Ait-Aissa K.
;
Calus J.
;
Kohn E.
;
Gaillard M.
;
Leborgne C.
;
Semmar N
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Coatings;
HEMTs;
III-V semiconductor materials;
Logic gates;
MODFETs;
Passivation;
Silicon compounds;
AlN coatings;
GaN;
HEMTs;
Thermal Management;
8.
S5-H7: GaN-HEMT technology for high power millimeter-wave amplifier
机译:
S5-H7:用于大功率毫米波放大器的GaN-HEMT技术
作者:
Makiyama Kozo
;
Ozaki Shirou
;
Okamoto Naoya
;
Ohki Toshihiro
;
Niida Yoshitaka
;
Kamada Yoichi
;
Joshin Kazukiyo
;
Watanabe Keiji
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Electric fields;
Electron traps;
Gallium nitride;
Logic gates;
Millimeter wave communication;
AlGaN;
Amplifier;
Current Collapse;
GaN-HEMT;
InAlN;
Millimeter-wave;
Reliability;
9.
S6-G4: High injection and efficiency droop in GaInN light-emitting diodes
机译:
S6-G4:GaInN发光二极管的高注入和高效率下降
作者:
Lin Guan-Bo
;
Meyaard David S.
;
Schubert E.Fred
;
Cho Jaehee
;
Kim Jong Kyu
;
Shim Hyunwook
;
Kim Min-Ho
;
Sone Cheolsoo
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Charge carrier processes;
Electric fields;
Light emitting diodes;
Radiative recombination;
Temperature distribution;
Temperature measurement;
GaInN;
efficiency droop;
electron leakage;
high injection;
light-emitting diode;
10.
S2-T3: Next generation gallium nitride HEMTs enabled by diamond substrates
机译:
S2-T3:金刚石衬底实现的下一代氮化镓HEMT
作者:
Tyhach M.
;
Altman D.
;
Bernstein S.
;
Korenstein R.
;
Cho J.
;
Goodson K.E.
;
Francis D.
;
Faili F.
;
Ejeckam F.
;
Kim S.
;
Graham S.
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Density measurement;
Diamonds;
Gallium nitride;
Logic gates;
Performance evaluation;
Silicon carbide;
Transistors;
GaN;
HEMT;
diamond;
thermal interface resistance;
11.
S4-P1: Wide and extreme bandgap semiconductor devices for power electronics applications
机译:
S4-P1:用于电力电子应用的宽禁带隙半导体器件
作者:
Chow T.Paul
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Diamonds;
Gallium nitride;
HEMTs;
MODFETs;
Rectifiers;
Silicon;
Silicon carbide;
2H-GaN;
4H-SiC;
AlN;
diamond;
power rectifiers;
power transistors;
12.
S3-P3: Advanced no-field-plate AlGaN/GaN hemts for millimeter-wave MMIC applications
机译:
S3-P3:适用于毫米波MMIC应用的高级无场板AlGaN / GaN发光二极管
作者:
Xu Dong
;
Chu K.K.
;
Diaz J.A.
;
Pleasant L.Mt.
;
Lender R.
;
Schmanski B.
;
Ashman M.
;
Hulse J.
;
Gerlach M.
;
Zhu Wenhua
;
Seekell P.
;
Schlesinger L.
;
Isaak R.
;
Nichols K.
;
Komiak J.J.
;
Yang X.P.
;
Duh K.H.G.
;
Smith P.M.
;
Chao P.C.
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Gallium nitride;
HEMTs;
Logic gates;
MMICs;
MODFETs;
Power amplifiers;
Substrates;
GaN;
HEMT;
Ka band;
MMIC;
MMW;
gallium nitride;
high electron mobility transistor;
millimeter-wave;
monolithic microwave integrated circuit;
power amplifier;
wideband;
13.
S4-P7: Low-temperature hydrophobic wafer bonding for 1200V, 25A bi-directional Si UMOS IGBTs
机译:
S4-P7:用于1200V,25A双向Si UMOS IGBT的低温疏水性晶圆键合
作者:
Wu J-W.
;
Chowdhury S.
;
Naik H.
;
Picard J.
;
Lee N.
;
Hitchcock C.
;
Lu J.J.-Q.
;
Chow T.P.
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Bidirectional control;
Bonding;
Insulated gate bipolar transistors;
Switches;
Temperature;
Temperature measurement;
Wafer bonding;
Bi-directional insulated gate bipolar transistor (BD-IGBT);
dual gate;
silicon wafer bonding;
14.
S2-T1: GaN-on-diamond: A brief history
机译:
S2-T1:GaN金刚石:简要历史
作者:
Ejeckam Felix
;
Francis Daniel
;
Faili Firooz
;
Twitchen Daniel
;
Bolliger Bruce
;
Babic Dubravko
;
Felbinger Jonathan
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Diamonds;
Gallium nitride;
HEMTs;
MODFETs;
Radio frequency;
Silicon;
Substrates;
GaN-on-Diamond;
GaN-on-SiC;
HEMTs;
15.
Lester Eastman's student legacy
机译:
莱斯特·伊士曼的学生遗产
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
16.
S3-P9: Thermal and electrical performance of microfluidically cooled 3D ICs with non-uniform power dissipation
机译:
S3-P9:具有非均匀功耗的微流体冷却3D IC的热和电性能
作者:
Wan Z.
;
Xiao H.
;
Joshi Y.
;
Yalamanchili S.
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Cooling;
Fluids;
Heat transfer;
Heating;
Integrated circuit modeling;
Microfluidics;
Three-dimensional displays;
3D ICs;
leakage power;
microfluidic cooling;
micropin fin;
17.
S7-N2: Terahertz lasing and detection in double-graphene-layer structures
机译:
S7-N2:双石墨烯层结构中的太赫兹激光发射和检测
作者:
Otsuji Taiichi
;
Alshkin Vladimir Ya.
;
Dubinov Alexander A.
;
Ryzhii Maxim
;
Mitin Vladimir
;
Shur Michael S.
;
Ryzhii Victor
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Charge carrier processes;
Graphene;
Laser transitions;
Logic gates;
Photonics;
Plasmons;
Semiconductor lasers;
detector;
emitter;
graphene;
laser;
plasmon;
quantum mechanical resonant tunneling;
terahertz;
18.
S3-P6: A generalized model for characteristics of graphene FETs in various gate biasing configurations with mobility up to 24000 cm
2
/vs
机译:
S3-P6:用于各种栅极偏置配置中的石墨烯FET特性的通用模型,其迁移率高达24000 cm
2 sup> / vs
作者:
Tran P.X.
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Equations;
Graphene;
Logic gates;
Mathematical model;
Quantum capacitance;
Transconductance;
Transistors;
Graphene transistors;
asymmetric conductance;
transconductance;
transfer characteristics;
19.
S2-T4: Low-temperature substrate bonding technology for high power GaN-on-diamond HEMTs
机译:
S2-T4:适用于大功率GaN-on-diamond HEMT的低温衬底键合技术
作者:
Chu Kenneth K.
;
Chao Pane C.
;
Diaz Jose A.
;
Yurovchak Thomas
;
Creamer Carlton T.
;
Sweetland Scott
;
Kallaher Raymond L.
;
McGray Craig
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Bonding;
Diamonds;
Gallium nitride;
HEMTs;
MODFETs;
Silicon carbide;
Substrates;
GaN-on-diamond high-electron-mobility transistor (HEMT);
epitaxial transfer;
microwave power;
substrate bonding;
thermal management;
20.
S4-P8: Applications for epitaxial lift-off of III-V materials
机译:
S4-P8:III-V材料外延剥离的应用
作者:
Stender C.L.
;
Youtsey C.
;
Tuminello F.
;
Osowski M.
;
Adams J.
;
Elarde V.
;
Miyamoto H.
;
Wibowo A.
;
Hillier G.
;
Tatavarti R.
;
Pan N.
会议名称:
《2014 Lester Eastman Conference on High Performance Devices》
|
2014年
关键词:
Detectors;
Epitaxial growth;
Gallium arsenide;
Light emitting diodes;
Photovoltaic cells;
Substrates;
Epitaxial Lift-Off (ELO);
Heterojunction bipolar transitor (HBT) flexible;
Light emitting diode (LED);
Photovoltaic;
Solar;
cost reduction;
high-efficiency;
light-weight;
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