掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
其他
>
Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference
Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
1.
Benefits of POU blending on CMP slurry pot life
机译:
POU融合CMP浆料锅寿命的好处
作者:
Brandon Scott
;
Cass Shang
;
Bob Small
;
John V. Pozniak
;
Katherine Hutchison
;
Peter M. Pozniak
;
Rakesh K. Singh
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
2.
CMP: aiming for perfect planarization
机译:
CMP:旨在完美的平面化
作者:
Patrick Leduc
;
Pascal Berar
;
Jean-Francois Lugand
;
Haruki Nojo
;
Maurice Rivoire
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
3.
Numerical investigation of the effect of pad groove in chemical mechanical planarization process
机译:
垫槽在化学机械平面化过程中的数值研究
作者:
Wes Jeng
;
Jian J. Yeuan
;
Shih H. Lin
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
4.
Characterization of copper CMP process for Cu/low-K submicron interconnect structures
机译:
Cu / Low-K亚微米互连结构铜CMP工艺的表征
作者:
T. C. Tsai
;
Markus Naujok
;
L. A. Chevenger
;
H. C. Chen
;
Pak Leung
;
K. C. Lin
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
5.
In-situ electrochemical and mechanical measurements to understand the CMP polishing phenomena
机译:
原位电化学和机械测量以了解CMP抛光现象
作者:
Seung-Mahn Lee
;
Wonseop Choi
;
Rajiv K. Singh
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
6.
Polishing of copper integrated with dielectric films of K<2.8: challenges and solutions
机译:
铜抛光与k <2.8:挑战和解决方案的介电薄膜集成
作者:
Jayanthi Pallinti
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
7.
Enhancement of the pad profile and lifetime using pad conditioning simulation with disk sweep rate
机译:
使用磁盘扫描速率的焊盘调节模拟增强垫型材和寿命
作者:
Hyung-Soon Park
;
Jae-Hoon Choi
;
Woo-Jin Lee
;
Yong-Soo Choi
;
Sang-Ick Lee
;
Hyun-Chul Sohn
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
8.
An intuitive model for integration of closed-loop-control for copper CMP situ metrology
机译:
铜CMP原位计量闭环控制集成的直观模型
作者:
Mark A. Meloni
;
Jimmy Hosch
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
9.
The haze free polishing process of 12' wafers as a part of wafer re-claiming
机译:
雾霾自由抛光过程12“晶片作为晶圆重新声明的一部分
作者:
Hella Moller
;
Georg Morsch
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
10.
Effects of viscoelastic pad deformation on material removal rate in CMP
机译:
粘弹性焊盘变形对CMP中材料去除率的影响
作者:
Guanghui Fu
;
Abhijit Chandra
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
11.
Supramolecular design of abrasive-free CMP system for Cu/SiLK integration
机译:
用于Cu /丝集成的无磨料CMP系统的超分子设计
作者:
Jason Keleher
;
Craig Burkhard
;
Adam Batchellor
;
Lirong Guo
;
Charles B. Little
;
Yuzhuo Li
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
12.
A study on the optimization of chemical-mechanical polishing of poly-silicon for advanced embedded memory applications
机译:
用于高级嵌入式内存应用的多晶硅化学机械抛光优化研究
作者:
Zong-Huei Lin
;
Art Yu
;
Hsueh-Chung Chen
;
Wen-Yi Hsieh
;
Po-Wen Yen
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
13.
Regeneration of used oxide slurry and its application to oxide CMP
机译:
二氧化氧化物浆料的再生及其在氧化物CMP中的应用
作者:
Myoung-Shik Kim
;
Sang-Ho Lee
;
Jin-Goo Park
;
Kwang-Jun Lee
;
Roh-Young Sung
;
Bong-Cheon Kim
;
Sun-Woong Woo
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
14.
A novel approach to improve uniformity of Cu CMP on linear polisher
机译:
一种提高Cu CMP在线性抛光机均匀性的新方法
作者:
W. C. Chiou
;
H. H. Kuo
;
S. M. Jang
;
C. H. Yu
;
M. S. Liang
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
15.
Deep sub-micron scale STI CMP planarity analysis
机译:
深层微米尺度STI CMP平面分析
作者:
K. C. Wu
;
Karen Wong
;
Vei-Han Chan
;
David Lui
;
Ching-Hwa Chen
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
16.
Improvements in edge polishing control through advances in carrier head technology
机译:
通过载体头技术的进步改进边缘抛光控制
作者:
David A. Hansen
;
Yoichi Shiokawa
;
Brian Stephenson
;
David Watts
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
17.
Metrology data sharing between process steps, in a high volume manufacturing environment utilizing NovaScan systems, NovaNet and Nova Engineering station
机译:
流程步骤之间的计量数据共享,在利用Novascan Systems,Novanet和Nova Engineering Station的高卷制造环境中
作者:
Avron Ger
;
Oved Or
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
18.
Comparison of two different conditioning disk designs in reference to cost of ownership of tungsten CMP
机译:
两种不同的调节盘设计参考钨CMP的所有权成本
作者:
Andreas Haacker
;
Matthias Zellmer
;
Georg Morsch
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
19.
Filtration of CMP slurry using pleated and depth filters and its impact on product yields
机译:
使用褶皱和深度过滤器过滤CMP浆料及其对产品产量的影响
作者:
Holly Linkowich
;
Jeffrey Sultemeier
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
20.
Tribological aspects in chemical mechanical polishing
机译:
化学机械抛光的摩擦学方面
作者:
Hyoung-Jae Kim
;
Dae-Hwee Kwon
;
Hae-Do Jeong
;
Eung-Sun Lee
;
Young-Jae Shin
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
21.
Control of critical pressure and adhesion strength in copper and low dielectric constant layer in the CMP
机译:
控制CMP中铜和低介电常数层临界压力和粘附强度的控制
作者:
Tohru Hara
;
Hiroki Toida
;
Fumiaki Togoh
;
Masaki Kado
;
Toshiro Doy
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
22.
Evaluation of 200 mm MPTI floating head with pressure zone control
机译:
用压力区控制评价200毫米MPTI浮头
作者:
H. M. Wang
;
G. Moloney
;
J. Yang
;
P. Lao
;
Cormac Walsh
;
A. Reyes
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
23.
Fixed abrasives and selective chemistries: some real advantages for direct STI CMP
机译:
固定磨料和选择性化学:直接STI CMP的一些实际优势
作者:
John J. Gagliardi
;
Richard Webb
;
Chris Rueb
;
Greg Menk
;
Pete McReynolds
;
Gopal Prabhu
;
Tom Osterheld
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
24.
Post CMP cleaning of cleaning of high selectivity slurry for STI CMP
机译:
后CMP清洁清洁高选择性浆料清洁STI CMP
作者:
Hugh Li
;
Joseph Li
;
Diane Hymes
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
25.
New family of agents for high selectivity in ceria-based STI CMP
机译:
基于Ceria的STI CMP中的高选择性新家
作者:
Eric Oswald
;
Brian Edelbach
;
Bob Her
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
26.
Reduction in the polishing residue and micro dishing induced during the plug isolation CMP using acidic slurry
机译:
使用酸性浆料在塞子隔离CMP期间诱导抛光残留物和微量凹陷
作者:
Hyung-Soon Park
;
Pan-Ki Kwon
;
Woo-Jin Lee
;
Ki-Chul Ahn
;
Sang-Ick Lee
;
Yong-Soo Choi
;
Hyun-Chul Sohn
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
27.
Production worthy bonded abrasive direct STI-CMP for sub-0.18 μm applications
机译:
生产值得粘合的磨料直接STI-CMP用于亚018μm应用
作者:
Carlton Ollison
;
Keith G. Pierce
;
Yoichi Shiokawa
;
Brian Stephenson
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
28.
Analysis of removal of particles during post-CMP cleaning
机译:
后CMP清洗过程中粒子去除分析
作者:
Tinggang Zhang
;
Emmanuel Estragnat
;
Hong Liang
;
Jonah Lee
;
Kris Bahten
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
29.
Characteristics of slurry including phosphoric acid for CMP of copper and tantalum nitride
机译:
浆料中CMP磷酸的浆料特征,氮化物
作者:
Jong-Heun Lim
;
Min-Ho Kim
;
Jong-Dai Park
;
Chan-Seok Park
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
30.
Automated process control of within-wafer and wafer-to-wafer uniformity in oxide CMP
机译:
氧化物CMP晶圆内晶圆内和晶片到晶片均匀性的自动化过程控制
作者:
Jimin Zhang
;
Joseph Paik
;
Brian Lusher
;
Brian Brown
;
Sidney Huey
;
Moshe Sarfaty
;
Arulkumar Shanmugasundram
;
Alexander Schwarm
;
Andrea Sikora
;
Annabel Nickles
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
31.
The pad life performance study of WCMP process
机译:
WCMP过程的垫寿命性能研究
作者:
Pao Kang Niu
;
Shui-Hung Chen
;
Mu-Chi Chiang
;
S. N. Peng
;
S. C. Wang
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
32.
Minimization of metal loss during chemical mechanical planerization of copper-oxide and copper-low k damascene structures
机译:
铜氧化铜和铜低k型镶嵌结构化学机械平面期间金属损失最小化
作者:
Kapila Wijekoon
;
Yongsik Moon
;
Shijian LI
;
Wei-Yung Hsu
;
Suketu Parikh
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
33.
CMP process control Via in-situ and real-time chemical endpoint detection
机译:
CMP过程通过原位和实时化学端点检测控制
作者:
Matthias Handke
;
Werner Moser
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
34.
A study on chemical mechanical polishing of polymer-based materials for advanced BEOL interconnections
机译:
高级BEOL互连聚合物基材料的化学机械抛光研究
作者:
Liang-Yuan Fang
;
Hsueh-Chung Chen
;
Shao-Chung Hu
;
Wen-Yi Hsieh
;
Po-Wen Yen
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
35.
Evaluation of 200 mm MPTI floating head with varied consumables
机译:
用各种耗材评价200毫米MPTI浮头
作者:
H. M. Wang
;
G. Moloney
;
J. Yang
;
P. Lao
;
C. Walsh
;
A. Reyes
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
36.
Development of a production worthy chemical-mechanical polishing process at the 0.13μm technology node with copper/SOD low-k interconnections
机译:
在0.13μm技术节点下使用铜/ SOD低k互连开发生产有价值的化学机械抛光工艺
作者:
Hsueh-Chung Chen
;
Shih-Hsun Hsu
;
Teng-Chun Tsai
;
Shao-Chung Hu
;
Ming-Hsu Lin
;
Fu-Yang
;
Chia-Lin Hsu
;
Wen-Yi Hsieh
;
Po-Wen Yen
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
37.
STI CMP process with high-selectivity slurry
机译:
具有高选择性浆料的STI CMP工艺
作者:
T. -C. Tseng
;
L. -J. Yang
;
C. -P. Hou
;
C. -Y. Fu
;
S. -M. Jang
;
C. -H. Yu
;
M. -S. Liang
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
38.
Understanding and addressing total wafer removal rate nonuniformities
机译:
理解和解决总晶圆去除率不均匀
作者:
Travis R. Taylor
;
C. Shan Xu
;
Rodney Kistler
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
39.
Development for low-k/barrier layer slurries
机译:
低k /屏障层浆料的开发
作者:
Nichole Koontz
;
Gert Moyaerts
;
Richard Jenkins
;
Saeed Mohseni
;
Deepak Mahulikar
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
40.
Friction induced chemical interaction during CMP - a new removal mechanism
机译:
CMP期间摩擦诱导的化学相互作用 - 一种新的去除机制
作者:
Hong Liang
;
Thierry LeMogne
;
Jean-Michel Martin
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
41.
Material removal regions in chemical mechanical polishing: coupling effects of slurry chemicals, abrasive size distribution and wafer-pad contact area
机译:
化学机械抛光中的材料去除区:浆料化学品,磨料尺寸分布和晶圆垫接触面积的偶联效果
作者:
Jianfeng Luo
;
Serdar Aksu
;
David A. Dornfeld
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
关键词:
Chemical mechanical polishing;
Bi-layer property of passive film;
Film generation rate;
Abrasive weight concentration;
Abrasive size distribution;
Wafer-pad contact area;
42.
CMP system using fixed abrasive (FX-CMP) for dielectric planarization
机译:
CMP系统采用固定磨料(FX-CMP)进行介电平坦化
作者:
S. Katagiri
;
K. Yasui
;
Y. Kawamura
;
U. Yamaguchi
;
M. Nagasawa
;
F. Kanai
;
R. Kawai
;
M. Tokuda
;
S. Moriyama
;
Y. Tanaka
;
M. Honda
;
N. Yamada
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
43.
Modeling of material removal for fixed abrasive CMP
机译:
固定磨料CMP材料去除材料的建模
作者:
Cyriaque P. Sukam
;
Jongwon Seok
;
Andrew T. Kim
;
John A. Tichy
;
Timothy S. Cale
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
44.
Next generation scratch and corrosion free conditioner for chemical mechanical planarization
机译:
下一代划痕和腐蚀自由调节器用于化学机械平面化
作者:
Jum-Yong Park
;
Yi-Koan Hong
;
Myoung-Shik Kim
;
Dae-Hong Eom
;
Beom-Young Myung
;
Sung Ko
;
Sang-Ick Lee
;
Jin-Goo Park
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
45.
The impact of inhibitor levels on corrosion during copper CMP
机译:
抑制剂水平对CMP铜腐蚀的影响
作者:
Mona Eissa
;
Lindsey Hall
;
Ashutosh Misra
;
Nilesh Doke
;
Matthew Fisher
;
Satyavolu Papa Rao
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
46.
A study on STI-CMP for the 0.10μm technology node
机译:
0.10μm技术节点STI-CMP研究
作者:
Zong-Huei Lin
;
Art Yu
;
Hsueh-Chung Chen
;
Wen-Yi Hsieh
;
Po-Wen Yen
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
47.
The dynamic slurry and WCMP process monitor method and auto tuning system study
机译:
动态浆料和WCMP流程监测方法和自动调谐系统研究
作者:
Pao-Kang Niu
;
Shui-Hung Chen
;
Mu-Chi Chiang
;
S. N. Peng
;
S. C. Wang
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
48.
A novel low pressure high selectivity barrier metal slurry
机译:
一种新型低压高选择性阻挡金属浆料
作者:
Jinru Bian
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
49.
Utilizing advanced pad conditioning and pad motion in WCMP
机译:
利用WCMP中的高级焊盘调节和焊盘运动
作者:
Sang-Yong Kim
;
Yang-Won Lee
;
JaeDeok Jeong
;
KwangHa Suh
;
Jeong Lee
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
关键词:
ADPC;
ADPM;
Pad life time;
Orbital scratch;
50.
Improved TiN liners for enhanced W CMP endpoint detection
机译:
改进的锡衬里,用于增强W CMP端点检测
作者:
V. Fortin
;
K. C. Wu
;
D. Lui
;
C. -H. Chen
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
51.
Defect issues in CMP
机译:
CMP中的缺陷问题
作者:
Paul Feeney
;
Christopher Hawes
;
Christopher Baker
;
Colin Schmidt
;
Homer Chou
;
Joseph Hawkins
;
Kevin Moeggenborg
;
David Patin
;
Daniel Mateja
;
Karen Harris
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
52.
Impact of diamond conditioning disk characteristics on removal rates of polyurethane polishing pads
机译:
金刚石调节磁盘特性对聚氨酯抛光垫去除率的影响
作者:
Mark Burnick
;
Sohail Qamar
;
Thomas Namola
;
Dave McClew
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
53.
Integrated CMP barrier slurry development to achieve adjustable rate selectivities scientist
机译:
集成的CMP屏障泥浆开发,实现可调率选择性科学家
作者:
Qianqiu (Christine) Ye
;
John Quanci
;
Matthew VanHanehem
;
Terence Thomas
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
54.
Well controlled abrasives assure successful CMP operation
机译:
良好控制的磨料确保成功的CMP操作
作者:
Robert Her
;
Eric Oswald
;
Brian Edelbach
;
John Givens
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
55.
Pad conditioning and removal rate in oxide chemical mechanical polishing
机译:
涂布氧化物化学机械抛光中的调节和去除率
作者:
A. Scott Lawing
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
56.
Evaluation of ESM-U pad with varied silica slurries for oxide CMP process
机译:
用不同二氧化硅浆料进行ESM-U垫对氧化物CMP工艺的评价
作者:
H. M. Wang
;
G. Moloney
;
C. Walsh
;
G. Duncan
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
57.
Improved direct polish STI CMP process with high selectivity slurry: reduced microscratching increased productivity
机译:
改进了直接波兰STI CMP工艺,具有高选择性浆料:减少了微颤动和提高生产率
作者:
Benjamin A. Bonner
;
Anand Iyer
;
Deepak Kumar
;
Brian Zhang
;
Thomas H. Osterheld
;
Annabel S. Nickles
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
58.
Evaluation on a pattern selectivity in fixed abrasive pad using hydrophilic polymer
机译:
使用亲水聚合物的固定磨损垫中图案选择性评价
作者:
Ho-youn Kim
;
Jae-Hong Park
;
Hae-do Jeong
;
Sang-ick Lee
;
Heun-duc Seo
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
59.
A study on the solid contents of silica slurry for advanced copper/low-k interconnections
机译:
高级铜/低k互连二氧化硅浆料固体含量的研究
作者:
Shih-Hsun Hsu
;
Hsueh-Chung Chen
;
Fu Yang Shao-Chung Hu
;
Ming-Hsu Lin
;
Chia-Lin Hsu
;
Wen-Yi Hsieh
;
Po-Wen Yen
会议名称:
《Chemical-Mechanical Planarization for ULSI Multilevel Interconnection Conference》
|
2002年
意见反馈
回到顶部
回到首页