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Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on
Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on
召开年:
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Tokyo
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1.
Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator.IWGI 2001 (IEEE Cat. No.01EX537)
机译:
栅极绝缘子国际研讨会的扩展摘要。IWGI 2001(IEEE目录号01EX537)
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
2.
Electronic structure of high-k transition-metal and rare-earth gatedielectrics for aggressively-scaled silicon devices
机译:
高k过渡金属稀土门的电子结构积极规模化硅器件的电介质
作者:
Lucovsky G.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
3.
Intrinsic limitations on performance and reliability of i) Sioxynitride and ii) high-k T-M oxides, and silicate and aluminate alloygate dielectrics
机译:
i)Si的性能和可靠性的内在限制氮氧化物和ii)高k T-M氧化物以及硅酸盐和铝酸盐合金栅极电介质
作者:
Lucovsky G.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
4.
Composition of ideal C-V curves for ultrathin gate dielectricsbased on experimental determination of substrate surface capacitance andpotential
机译:
超薄栅极电介质的理想C-V曲线的组成基于实验确定的基板表面电容和潜在
作者:
Yasuda N.
;
Yamaguchi T.
;
Nishikawa Y.
;
Satake H.
;
Fukushima N.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
5.
Impact of nitrogen incorporation in ultrathin SiO
2
onthe chemical and electronic structures of the SiO
2
/Si(100)interface
机译:
超薄SiO
2 sub>中氮的掺入对其的影响SiO
2 sub> / Si(100)的化学和电子结构接口
作者:
Yamashita H.
;
Mizubayashi W.
;
Murakami H.
;
Miyazaki S.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
6.
Extra-trap creation within unstressed interval under cyclicapplication of constant-current stress to thin SiO
2
films
机译:
循环下无压力间隔内的额外陷阱创建电流应力在薄SiO
2 sub>中的应用电影
作者:
Masuo A.
;
Komiya K.
;
Omura Y.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
7.
Increasing roughness at SiO
2
/Si interface during thermaloxidation
机译:
热过程中SiO
2 sub> / Si界面处的粗糙度增加氧化
作者:
Hojo D.
;
Tokuda N.
;
Yamabe K.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
8.
In-situ ESR observation of dangling bond formation during very thinamorphous SiO
2
growth on Si
机译:
极薄期间悬空键形成的原位ESR观察Si上非晶SiO
2 sub>的生长
作者:
Futako W.
;
Nishizawa M.
;
Yasuda T.
;
Isoya J.
;
Yamasaki S.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
9.
Effect of oxygen pressure on the structure and thermal stability of ultrathin Al/sub 2/O/sub 3/ film
机译:
氧气压力对超薄Al / sub 2 / O / sub 3 /薄膜的结构和热稳定性的影响
作者:
Kundu M.
;
Miyata N.
;
Ichikawa M.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
10.
Fabrication and electrical characterization of ultra thin epitaxialγ-Al
2
O
3
gate dielectric films on Si(100) bymolecular beam epitaxy (MBE)
机译:
超薄外延的制备和电学表征Si(100)上的γ-Al
2 sub> O
3 sub>栅介电膜分子束外延(MBE)
作者:
Shahjahan M.
;
Takahashi N.
;
Sawada K.
;
Ishida M.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
11.
Influence of SiO
2
/Si(111) interface structure onoxidation rate
机译:
SiO
2 sub> / Si(111)界面结构对结构的影响氧化率
作者:
Takahashi K.
;
Nohira H.
;
Nakamura I.
;
Seman M.B.
;
Ohmi T.
;
Hattori T.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
12.
Fixed charge-induced mobility degradation and its recovery inMISFETs with Al
2
O
3
gate dielectric
机译:
固定电荷诱导的迁移率下降及其在水中的恢复具有Al
2 sub> O
3 sub>栅极电介质的MISFET
作者:
Torii K.
;
Shimamoto Y.
;
Saito S.
;
Obata K.
;
Yamauchi T.
;
Hisamoto D.
;
Yokoyama N.
;
Hiratani A.
;
Onai T.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
13.
Metalorganic chemical vapor deposited thin films of high-kLa-oxides
机译:
金属有机化学气相沉积高k薄膜氧化镧
作者:
Shimizu T.
;
Yamada H.
;
Kurokawa A.
;
Ishi K.
;
Suzuki E.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
14.
A theoretical study on dielectric constants of SiO
2
-richZr silicates for high-k CMOS gate insulator applications
机译:
富含SiO
2 sub>的介电常数的理论研究用于高k CMOS栅极绝缘体的Zr硅酸盐
作者:
Hamada T.
;
Maruizumi T.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
15.
Characterization of hafnium and zirconium silicate films fabricatedby plasma-enhanced chemical vapor deposition
机译:
fabricated和锆硅酸锆薄膜的表征通过等离子体增强化学气相沉积
作者:
Kato H.
;
Nango T.
;
Miyagawa T.
;
Katagiri T.
;
Ohki Y.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
16.
Compatibility of candidate high permittivity gate oxides with frontand backend processing conditions
机译:
候选高介电常数栅极氧化物与正面的相容性和后端处理条件
作者:
Kingon A.I.
;
Maria J.-P.
;
Wicaksana D.
;
Hoffman C.
;
Stemmer S.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
17.
Physical models of ultra thin oxide reliability in CMOS devices andimplications for circuit reliability
机译:
CMOS器件中超薄氧化物可靠性的物理模型和对电路可靠性的影响
作者:
Stathis J.H.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
18.
In situ optical monitoring of the initial oxidation processes onSi(001) by reflectance difference spectroscopy (RDS)
机译:
原位光学监测初始氧化过程反射差光谱法(RDS)的Si(001)
作者:
Yasuda T.
;
Yamasaki S.
;
Ichikawa M.
;
Yamabe K.
;
Oheda H.
;
Matsudo T.
;
Ohta T.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
19.
Interface characterization of thin ZrO
2
/SiO
2
films on silicon
机译:
薄ZrO
2 sub> / SiO
2 sub>的界面表征硅膜
作者:
Maeda T.
;
Fukuda S.
;
Kato Y.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
20.
Tunneling current through ultra-thin silicon dioxide films formedby controlling preoxide in heating-up
机译:
隧道电流穿过形成的超薄二氧化硅膜通过控制加热中的预氧化物
作者:
Morita S.
;
Okazaki T.
;
Nishimura K.
;
Urabe S.
;
Morita M.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
21.
First-principle theoretical study on reliability SiO
2
thin films under external electric field
机译:
SiO
2 sub>可靠性的第一性原理研究外电场作用下的薄膜
作者:
Doi K.
;
Nakamura K.
;
Tachibana A.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
22.
First-principle electronic properties of ZrO
2
and HfO
2
crystals under external electric field
机译:
ZrO
2 sub>和HfO的第一性原理电子性质外电场作用下的
2 sub>晶体
作者:
Egami S.
;
Nakamura K.
;
Tachibana A.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
23.
Surface and interface morphologies of ultrathin oxynitrides filmsformed on Si(100)
机译:
超薄氧氮化物薄膜的表面和界面形态在Si(100)上形成
作者:
Furuno K.
;
Inoue K.
;
Nishizaki K.
;
Kato H.
;
Takahashi K.
;
Nohira H.
;
Tamura N.
;
Hikazutani K.
;
Sano S.
;
Hattori T.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
24.
Preparation and characterization of ZrO
2
/Si structure
机译:
ZrO
2 sub> / Si结构的制备与表征
作者:
Sohgawa M.
;
Kitai S.
;
Kanda H.
;
Kanashima T.
;
Fujimoto A.
;
Okuyama M.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
25.
Local electrical properties of HfO
2
thin films measuredby conducting atomic force microscopy
机译:
HfO
2 sub>薄膜的局部电学性能通过进行原子力显微镜
作者:
Goto T.
;
Sakashita S.
;
Ikeda H.
;
Sakashita M.
;
Sakai A.
;
Zaima S.
;
Yasuda Y.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
26.
Performance effects of two nitrogen incorporation techniques onTaN/HfO
2
and poly/HfO
2
MOSCAP and MOSFET devices
机译:
两种氮掺入技术对玉米的性能影响TaN / HfO
2 sub>和poly / HfO
2 sub> MOSCAP和MOSFET器件
作者:
Nieh R.
;
Onishi K.
;
Rino Choi
;
Hag-Ju Cho
;
Chang Seok Kang
;
Gopalan S.
;
Krishna S.
;
Lee J.C.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
27.
(100)Si with ultrathin layers of SiO
2
, Al
2
O
3
, and ZrO
2
: electron spin resonance study
机译:
(100)具有SiO
2 sub>,Al
2 sub> O超薄层的Si
3 sub>和ZrO
2 sub>:电子自旋共振研究
作者:
Stesmans A.
;
Afanasev V.V.
;
Houssa M.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
28.
Infrared interface analysis of high-k dielectrics deposited byatomic layer chemical vapour deposition
机译:
沉积高K电介质的红外界面分析。原子层化学气相沉积
作者:
Cosnier V.
;
Bender H.
;
Caymax A.
;
Chen J.
;
Conard T.
;
Nohira H.
;
Richard O.
;
Tsai W.
;
Vandervorst W.
;
Young E.
;
Zhao C.
;
De Gendt S.
;
Heyns A.
;
Maes J.W.H.
;
Tuominen M.
;
Rochat N.
;
Olivier M.
;
Chabli A.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
29.
Influences of elevated extension structure on the performance ofMISFETs with high-K gate dielectrics
机译:
高架延伸结构对其性能的影响具有高K栅极电介质的MISFET
作者:
Kamata Y.
;
Ono M.
;
Nishiyama A.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
30.
Effects of interface oxide layer on HfO
2
gatedielectrics MISFETS
机译:
界面氧化物层对HfO
2 sub>栅极的影响电介质MISFETS
作者:
Morisaki Y.
;
Sugita Y.
;
Irino K.
;
Aoyama T.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
31.
Understanding of hard and soft breakdown phenomena in thin gateoxides through carrier transport properties after breakdown
机译:
了解薄浇口中的硬击穿和软击穿现象击穿后氧化物通过载流子传输性质
作者:
Takagi S.
;
Takayanagi A.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
32.
Improved TDDB reliability of 1.5 nm thick gate dielectrics grown byradical oxynitridation
机译:
通过生长的1.5 nm厚栅极电介质提高了TDDB的可靠性自由基氧氮化
作者:
Yamamoto T.
;
Ezaki T.
;
Watanabe K.
;
Togo M.
;
Morioka A.
;
Hane M.
;
Tatsumi T.
;
Mogami T.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
33.
Reduction of leakage current of crystallized Ta
2
O
5
through substitution with TiO
2
机译:
降低结晶Ta
2 sub> O
5的漏电流 sub>通过TiO
2 sub>取代
作者:
Salam K.M.A.
;
Konishi H.
;
Fukuda H.
;
Nomura S.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
34.
Photo oxidation and PECVD stacked gate insulator for poly-Si TFTsat 200-300° C
机译:
用于多晶硅TFT的光氧化和PECVD叠栅绝缘子在200-300°C
作者:
Nakata Y.
;
Okamoto T.
;
Hamada T.
;
Itoga T.
;
Ishii Y.
会议名称:
《Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on》
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