首页> 外文会议>Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on >Characterization of hafnium and zirconium silicate films fabricatedby plasma-enhanced chemical vapor deposition
【24h】

Characterization of hafnium and zirconium silicate films fabricatedby plasma-enhanced chemical vapor deposition

机译:fabricated和锆硅酸锆薄膜的表征通过等离子体增强化学气相沉积

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摘要

Recently, hafnium, and zirconium silicates have been considered tobe attractive for new materials with high permittivity We have tried todeposit these silicate films by plasma-enhanced chemical vapordeposition (PECVD). In this report, we discuss the electrical propertiesand chemical structure of the deposited films
机译:最近,铪和锆硅酸盐已被认为是 对具有高介电常数的新材料具有吸引力,我们已经尝试过 通过等离子体增强的化学蒸汽沉积这些硅酸盐膜 沉积(PECVD)。在本报告中,我们讨论了电气特性 和沉积薄膜的化学结构

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