机译:基于SRAM的现场可编程门阵列的设计-第二部分:电路设计和布局
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机译:基于SRAM的现场可编程门阵列的设计。一,建筑
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机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。