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机译:利用阶跃掺杂漂移区优化SOI LDMOS的新分析模型
School of Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, Jiangsu, 210003, PR China;
SOI; LDMOS; step drift doping profile; RESURf;
机译:可变漂移区宽度SOI LDMOS器件的分析模型与优化
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机译:具有阶跃掺杂漂移区的新型600V部分SOI LDMOS
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