一种具有结型漂移区结构的薄SOI LIGBT

摘要

本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种SOI LIGBT(Lateral Insulator Gate Bipolar Transistor)。本发明主要特征在于：采用凹形槽及结型漂移区结构，凹形槽底部与埋氧层不接触，仅留有极为狭窄的导电路径。正向导通时，凹形槽侧壁阻挡漂移区中的空穴被阴极抽取，因此提升了漂移区阴极端的空穴浓度，根据电中性的要求，更多的电子被注入漂移区，使得漂移区阴极端的载流子浓度显著提升，即注入增强。因此，器件漂移区的电导调制效应增强，正向导通压降减小；器件关断时，漂移区结构中的P条加速耗尽N型漂移区，并提供空穴的抽取路径，提高器件的关断速度、降低关断损耗。本发明的有益效果为，相对于传统SOI LIGBT结构，本发明具有更低的正向导通压降,同时具有良好的关断特性。