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声明
第一章 绪论
1.1功率MOSFET发展
1.2高压器件设计技术
1.2.1常用终端技术
1.2.2 RESURF技术
1.2.3 Super Junction
1.3硅基耐压模型研究与进展
1.3.1硅基结构的耐压模型
1.3.2待解决的问题
1.4本文的主要工作
第二章 薄漂移区D-RESuRF器件二维电场模型
2.1引言
2.2 D-RESURF器件结构与模型
2.2.1 D-REStJRF结构和一维电场模型
2.2.2 D-RESURF器件二维电场模型
2.2.3结果与讨论
2.3不完全耗尽型S-RESURF器件耐压模型
2.3.1 S-RESURF器件一维耐压模型
2.3.2 S-RESURF器件二维耐压模型
2.3.3结果与讨论
2.4.高压D-RESURF器件实验研制
2.4.1高压器件工艺设计与优化
2.4.2实验结果与分析
2.5本章小结
第三章 薄漂移区阶梯掺杂高压器件耐压模型
3.1引言
3.2薄漂移区阶梯掺杂器件结构与模型
3.2.1薄漂移区阶梯掺杂器件结构
3.2.2薄漂移区阶梯掺杂器件耐压模型
3.2.3结果与讨论
3.3横向变掺杂器件工艺设计
3.4表面阶梯N层高压器件
3.4.1表面阶梯N层器件结构
3.4.2表面阶梯N层器件结果分析
3.5本章小结
第四章 薄型双漂移区横向高压器件研究
4.1引言
4.2薄型双漂移区LDMOS结构
4.3薄型双漂移区LDMOS结果分析
4.3.1埋层对击穿电压和导通电流的影响
4.3.2双漂移区器件结构优化与分析
4.4本章小结
第五章 薄漂移区SOI器件新结构与耐压模型
5.1引言
5.2埋层低掺杂漏SOI器件
5.2.1 BLD SOI结构
5.2.2 BLD SOI器件一维分析
5.2.3 BLD SOI器件结果分析
5.3双面阶梯埋氧层部分SOI新结构
5.3.1 DSB PSOI结构
5.3.2 DSB PSOI器件结果分析
5.4 SOI高压器件实验研制
5.4.1 SOI高压器件优化
5.4.2 SOI高压器件实验研制
5.5本章小结
第六章 总结
6.1总结
6.2进一步研究工作
致谢
参考文献
读博期间取得的研究成果