机译:采用有效基板电压法用任意漂移掺杂谱的SOI LDMOS的分析击穿模型
机译:SOI RESURF LDMOS的理想击穿电压和最佳掺杂分布的解析模型
机译:在埋入氧化物层顶部界面上具有横向可变掺杂分布的新型SOI LDMOS的击穿电压的提高
机译:SOI RESURF LDMOS器件中击穿电压对漂移长度和线性掺杂梯度的依赖性
机译:从电容电压测量中数值提取金属氧化物半导体掺杂分布
机译:对任意取向的椭圆形和圆柱形单元上感应的跨膜电压的分析描述。
机译:n 浮动层对Resurf Ldmos漂移掺杂的影响及其分析模型