机译:通过脉冲淬火缓解单事件瞬态的布局技术
Vanderbilt University, Nashville, TN, USA;
机译:脉冲淬火基于28 nm批量CMOS过程的模拟单事件瞬态缓解模拟单事件瞬态缓解的辐射硬化
机译:布局拓扑对65 nm体CMOS工艺中单事件瞬态脉冲猝灭的影响
机译:使用虚拟晶体管的单事件瞬态缓解的新型布局技术
机译:单事件瞬态缓解的布局技术研究
机译:极简主义的容错技术,用于缓解非辐射硬化微控制器中的单事件影响。
机译:在脉冲猝灭流动装置中测量的Eco RI限制性核酸内切酶的瞬时裂解动力学:酶浓度依赖性活性变化。
机译:利用晶体管折叠布局作为rhBD技术对单事件瞬变
机译:脉冲缓解和传热增强技术。第3卷。液钠传热装置和钠热管对脉冲正向和反向热负荷的瞬态响应