University of California, Los Angeles.;
机译:RHBD技术使用防护门缓解单事件命中的影响
机译:使用静电放电保护技术进行单事件瞬态缓解的最佳实践
机译:脉冲淬火基于28 nm批量CMOS过程的模拟单事件瞬态缓解模拟单事件瞬态缓解的辐射硬化
机译:使用低通滤波器在缓解技术中对45nm技术的单事件瞬态LSIS
机译:高速CMOS通信设备中的单事件表征和缓解。
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:批量偏见作为模拟单事件瞬态缓解技术,损失可忽略不计
机译:片上容错的综合技术与分析工具